ſe ſの英語
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「ſe ſ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 110件
In the formula, X represents Se or S; and R^1 and R^2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or a substituted aryl group.例文帳に追加
(式中、Xは、SeまたはSであり、R^1およびR^2は、水素原子、アルキル基、または置換アリール基である。) - 特許庁
Further, the plated layer may contain one or more kinds of elements selected from S, Se, Cl, Br, Na and K.例文帳に追加
なお、めっき層が、S、Se、Cl、Br、Na、Kのうちの1種以上の元素を含有してもよい。 - 特許庁
In July of 1959, the next year, the speed of the car reached 163 km/s in speed tests on the Tokaido main line, surpassing the speed record of Odakyu's SE cars.発音を聞く 例文帳に追加
翌1959年7月には、東海道本線での速度試験で最高速度163km/hに達し、小田急SE車の速度記録を更新した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To suppress the production of an artifact and the decrease in S/N due to deterioration in characteristic resulting from the crystallization of a-Se (amorophous Se), as to an imaging device equipped with a solid-state detector including a layer consisting principally of a-Se.例文帳に追加
a−Seを主成分とする層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置において、a−Seの結晶化により特性が劣化して生じるアーティファクトの発生や、S/Nの低下を抑える。 - 特許庁
T shows O, S, Se, N(R^1), C(R^2) (R^3) or C(R^4)=(R^5).例文帳に追加
Tは、O、S、Se、N(R^1)、C(R^2)(R^3)またはC(R^4)=C(R^5)を表す。 - 特許庁
The thin-film transistor contains a specific kind of an organic semiconductor material including S, Se, O and the like.例文帳に追加
S、Se、O等を含む特定の種類の有機半導体材料を含有する薄膜トランジスタ。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「ſe ſ」の英訳 |
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SeS
fly | 遺伝子名 | SeS |
同義語(エイリアス) | ptuf1; Dm-SelD; ptf1: patufet; SelD; Selenium donor protein; Selenophosphate synthetase; selenide,water dikinase; selD-like; 142926_at; anon-WO0172774.145; selD; dSelD; Protein patufet; Selenide, water dikinase; patufet; l(2)k12303; ptuf; Dm SelD; PTF1; CG8553; anon-WO0172774.146; SPS1 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O18373 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:36587 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0020615 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Weblio例文辞書での「ſe ſ」に類似した例文 |
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ses
saigas
sakis
larks
skuas
テグー
tejus
heathers
「ſe ſ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 110件
Further, as the inhibitor forming elements, small quantities of S, Se, Al, B or the like can further be added thereto.例文帳に追加
また、インヒビター形成元素としては更にS、Se、Al、Bなどを少量添加しても良い。 - 特許庁
Zn, Cd, of Hg is selected as the element of group II, and S, Se, Te, or O is selected as the element of group VI.例文帳に追加
II族元素としては、Zn、Cd、Hg、VI族元素としてはS、Se、Te、Oが選択できる。 - 特許庁
When S ≥ Se is not set, a variable (i) is incremented in a step S55, and the step is returned to a step S15.例文帳に追加
S≧Seでなければ、ステップS55で変数iをインクリメントして、ステップS15に戻る。 - 特許庁
To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加
Cu(Ga及び(又は)In)Se_2薄膜層、Cu(InGa)(S,Se)_2 薄膜層、太陽電池、Cu(Ga及び(又は)In)Se_2薄膜層の形成方法及びCu(InGa)(S、Se)_2薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁
Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加
好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも1種以上を含有する化合物を、下記(1)式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁
A composition contains a polymer having a repeating unit represented by the chemical formula, wherein Z is Se, S, O, NR, or PR; Y is NH, O, C(R)_2, N(R)_2, and S; X is O, S, Se, or NH; and E is a functional or a non-functional end group.例文帳に追加
下記式の繰返し単位を有するポリマーを含む組成物: (ZはSe、S、O、NR又はPR;Yは、NH、O、C(R)_2、N(R)_2及びS;Xは、O,S、Se又はNH、そしてEは、官能性又は非官能性末端基である。)。 - 特許庁
The method comprises reacting a compound represented by the following formula (wherein X denotes S or Se, either X or Y or both X and Y denote Se) with a mixture of at least one type of polyanion.例文帳に追加
次の式:(式中、XはS又はSeであり、X及びYの一方又は両方はSeである)なる化合物、及び少なくとも1種のポリアニオンからなる混合物を反応させる。 - 特許庁
To obtain a grain oriented silicon steel sheet having good magnetic properties both in the L direction and C direction even if impurities such as Se, S, O and N are contained to some degree.例文帳に追加
Se,S,O,N等の不純物がある程度含有されていても、L方向およびC方向ともに良好な磁気特性を有する方向性電磁鋼板を得る。 - 特許庁
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