あいあいしいの英語

微粒子一酸化チタン（ＩＩ）の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING PARTICULATE TITANIUM(II) MONOXIDE - 特許庁

テーブル２の回転に伴い、袋２８が停止位置ＩＩＩから停止位置ＩＶに移動するとき、アーム２０及び吸盤１９が従動移動し、シール後、これらは停止位置ＩＩＩに復帰する。例文帳に追加

When the bag 28 is moved from the stop position III to the stop position IV with the rotation of a table 2, an arm 20 and the suction cup 19 are moved accordingly and brought back to the stop position III after being sealed. - 特許庁

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層を備えた積層構造体において、活性層が、含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバリア層とＩＩＩ族窒化物半導体からなる井戸層とから構成される量子井戸構造を有する。例文帳に追加

In a laminated structure provided with an active layer, composed of a III-V compound semiconductor on the barrier layer composed of the boron- containing III-V compound semiconductor, the active layer has a quantum well structure constituted of the barrier layer composed of the boron-containing III-V compound semiconductor, and a well layer composed of a III nitride semiconductor. - 特許庁

希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。例文帳に追加

The HEMT 200A includes a first group III-V intrinsic layer 209a doped with a rare earth additive and also includes a second group III-V intrinsic layer 210a formed over the intrinsic layer 209a and a group III-V semiconductor layer 220 formed over this second group III-V intrinsic layer. - 特許庁

水難溶性のセリウム化合物（Ａ）は、炭酸セリウム（ＩＩＩ）、フッ化セリウム（ＩＩＩ）、フッ化セリウム（ＩＶ）及び酸化セリウム（ＩＶ）から選ばれる１種又は２種以上であることが好ましい。例文帳に追加

The hardly water-soluble cerium compound (A) is preferably at least one selected from cerium carbonate (III), cerium fluoride (III), cerium fluoride (IV) and cerium oxide (IV). - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。例文帳に追加

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer. - 特許庁

Ｘ線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブ（ＩＩＩ）のピークを有し、１次粒子径が１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする微粒子酸化ニオブ（ＩＩＩ）。例文帳に追加

The particulate niobium (III) oxide includes a peak of a niobium (III) oxide in X-ray diffraction profile and a primary particle diameter of 100 nm to 1 μm. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。例文帳に追加

A group III nitride based semiconductor device and a method of manufacturing the group III nitride based semiconductor device having the active region including at least one of the quantum well structure are provided. - 特許庁