あすとらかんの英語

素子間アイソレーション４０は、増幅器トランジスタ１０とバイアス回路用単位トランジスタ２０の間に設けられており、増幅器トランジスタ１０とバイアス回路用単位トランジスタ２０を電気的に分離する。例文帳に追加

The inter-device isolation 40 is provided between the amplifier transistor 10 and the bias circuit unit transistor 20 and electrically isolates the amplifier transistor 10 and the bias circuit unit transistor 20. - 特許庁

非発光期間のスイッチングトランジスタと検知トランジスタのオン／オフ制御によって、ドライブトランジスタには、非発光期間と発光期間から成る１発光サイクルにおいて、正バイアスがかかる期間と負バイアスがかかる期間が生ずるようにし、信頼性を向上させる。例文帳に追加

By on/off control of the switching transistor and the detecting transistors of a non-light emission period, a period when a positive bias is applied and a period when a negative bias is applied is generated in the drive transistor in one light emission cycle consisting of the non-light emission period and a light emission period, and thereby reliability is enhanced. - 特許庁

これによりフィードスルーを使って画素トランジスターにかかるゲート逆バイアスを緩和できる。例文帳に追加

Thereby, gate reverse bias given to the pixel transistor can be relaxed by using a feedthrough. - 特許庁

トランジスタのコレクタ・ベース間に接続されるバイアス抵抗Ｒ１が３ｋΩ以下とする。例文帳に追加

Bias resistance R1 connected between the collector and the base of the transistor is set to 3kΩ or less. - 特許庁

バイアス制御回路は、第１、第２トランジスタのゲート間の電流経路を遮断する。例文帳に追加

The bias control circuit cuts off a current path between the first and second transistors. - 特許庁

第３及び第４のトランジスタＱ3 、Ｑ4 のベース間に第３のバイアス回路７ｂを接続する。例文帳に追加

A third bias circuit 7b is connected between the bases of the third and fourth transistors Q3 and Q4. - 特許庁

血液中に放出された高濃度のアスパラギン酸トランスアミナーゼは、肝臓や心臓の損傷、がん、またはその他の疾患の徴候と考えられる。例文帳に追加

a high level of aspartate transaminase released into the blood may be a sign of liver or heart damage, cancer, or other diseases.発音を聞く  - PDQ®がん用語辞書 英語版

その結果、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に逆バイアス電圧が印加された場合には、トランジスタＱ２０，Ｑ２１が順バイアスとなり、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に印加される逆バイアス電圧が、トランジスタＱ２０，Ｑ２１のベース−エミッタ間の順バイアス電圧まで降圧されることになる。例文帳に追加

As the result, when the reverse bias voltage is impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2, the transistors Q20, Q21 become in the states of forward bias, then the reverse bias voltage impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2 is dropped to the forward bias voltage between the base-emitter of the transistors Q20, Q21. - 特許庁