あらいその４ちょうめの英語

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。例文帳に追加

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2). - 特許庁

酸液漏洩による異常の疑われる領域４１を含む、オンラインの酸洗槽の鉄皮外面をドライアイスで冷却し、その表面温度の回復速度を観測して、他の部分より回復速度の速い部分４２を異常個所として特定することを特徴とする酸洗槽鉄皮の異常箇所特定方法である。例文帳に追加

The method for specifying the abnormal place in the steel shell of the pickling tank including a region 41 where abnormality due to the acid leakage is suspected includes: cooling the exterior surface of the steel shell of the on-line pickling tank by dry ice; observing the recovery velocity of its surface temperature; and specifying a portion 4 of the recovery velocity higher than that for the other portions as the abnormal point. - 特許庁