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ありえんてぃーの英語
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英訳・英語 that's impossible; I can't believe it
「ありえんてぃー」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 559件
MT1は非変動ユーザであり、MT2が時変動ユーザである。例文帳に追加
MT1 is a non-time-variation user and MT2 is a time-variation user. - 特許庁
公開鍵は、エンティティのIDであり得るか、またはエンティティのIDから導き出される。例文帳に追加
The public key may be an entity's identity or derived from an entity's identity. - 特許庁
(Ti_u N_v )が第2の元素であり、NはTi以外の元素である。例文帳に追加
A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti. - 特許庁
上部および下部電極208、202は、TiN/Tiなどであり得る。例文帳に追加
The upper and lower electrodes 208 and 202 may be TiN/Ti, etc. - 特許庁
種の発展の説明は、創世記の説とダーウィンの説の二つだけしかありえない。例文帳に追加
1. There are only two possible explanations for the development of species, the Genesis account and the Darwinian account.発音を聞く - Ian Johnston『科学のカリキュラムで創造説?』
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「ありえんてぃー」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 559件
このとき、Geの含有量(b)は10at.%≦b≦15at.%であり、Sbの含有量(c)は20at.%≦c≦25at.%であり、Teの含有量(d)は40at.%≦d≦55at.%でありうる。例文帳に追加
At this time, the content (b) of Ge can be 10 at.%≤b≤15 at.%, the content (c) of Sb can be 20 at.%≤c≤25 at.%, and the content (d) of Te can be 40 at.%≤d≤55 at.%. - 特許庁
D()は距離関数であり、A〜DはグリッドA〜Dのそれぞれの代表点(画像)である。例文帳に追加
D () is applied as a distance function, and A-D are representative point (image) of each of A-D. - 特許庁
不活性層は銅とチタンの合金又はCuTix/TiNのスタック層であり得る。例文帳に追加
The inert layers can be the stack layers of the alloy of copper and titanium or CuTix/TiN. - 特許庁
4はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、Mg_YZnO層3に接して形成されている。例文帳に追加
A gate insulation film or an organic matter electrode 4 is formed in contact with the Mg_YZnO layer 3. - 特許庁
通常状態では、nチャネルFET2がオンであり、LD1のアノードとカソードがFET2を通じて実質的に短絡されている。例文帳に追加
In a normal state, an N-channel FET 2 turns on, and an anode and a cathode of an LD 1 are substantially shorted through the FET 2. - 特許庁
MVM31aは、MK31bとともにあり、Apertosシステムの核31を構成する。例文帳に追加
An MVM 31a exists along with an MK 31b and constitutes a core 31 of an Apertos system. - 特許庁
4はゲート絶縁膜であり、Mg_YZnO層3に接して形成されている。例文帳に追加
A reference numeral 4 is a gate insulation film and formed so as to contact with the Mg_YZnO layer 3. - 特許庁
FET41、42、51、52で構成される2段のインバータ回路において、FET31のソース及びゲートは、電源VD1及びVD2に接続してあり、FET31のドレインは、FET41のソースに接続してある。例文帳に追加
In an inverter circuit of two stages composed of FETs 41, 42, 51 and 52, a source and a gate of an FET 31 are connected to power sources VD1 and VD2 and a drain of the FET 31 is connected to a source of the FET 41. - 特許庁
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