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あんどーばーの英語
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「あんどーばー」の部分一致の例文検索結果
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ポリマーと溶媒とからドープを調製する際、ドープ濃度や粘度を安定化させる。例文帳に追加
To stabilize dope concentration and viscosity when preparing the dope from a polymer and a solvent. - 特許庁
ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。例文帳に追加
Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate. - 特許庁
アンテナを内蔵したフィードーバック干渉信号除去無線中継装置例文帳に追加
FEEDBACK-INTERFERENCE-SIGNAL CANCELED RADIO FREQUENCY REPEATER WITH BUILT-IN ANTENNA - 特許庁
この面発光型半導体光デバイス１０では、アンドープＧａＩｎＰ又はアンドープＡｌＧａＩｎＰの抵抗率は１０^５Ωｃｍ以上である。例文帳に追加
In the surface-emitting type semiconductor optical device 10, the resistivity of the undoped GaInP or the undoped AlGaInP is ≥10^5 Ωcm. - 特許庁
ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。例文帳に追加
This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9. - 特許庁
キラルジルコニウム触媒とアンチ選択性非対称アルドール反応方法例文帳に追加
CHIRAL ZIRCONIMU CATALYST AND ANTI-SELECTIVE ASYMMETRIC ALDOL REACTION METHOD - 特許庁
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「あんどーばー」の部分一致の例文検索結果
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積層周波数選択板及びアンテナレドーム並びに艦船用マスト例文帳に追加
LAMINATED FREQUENCY SELECTIVE PLATE, ANTENNA DOME AND MAST FOR WARSHIPS - 特許庁
ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。例文帳に追加
In the ZnO semiconductor element, an n-type Mg_ZZnO layer 2, an undoped MgZnO layer 3, an MQW active layer 4, an undoped Mg_XZnO layer 5 and an acceptor-doped Mg_YZnO layer 6 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1. - 特許庁
ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。例文帳に追加
An undoped ZnO layer 2, a co-doped MgZnO layer 3 and a transparent conductive film 4 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1. - 特許庁
ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、窒素ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。例文帳に追加
An undoped ZnO layer 2, a nitride-doped MgZnO layer 3 and a transparent conductive film 4 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1. - 特許庁
レドーム板１６は、フレア板１４の開口部に設けられ、アンテナ外板１０に接続される。例文帳に追加
The radome plate 16 is provided in an opening of the flare board 14 and is coupled to the antenna outer plate 10. - 特許庁
電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。例文帳に追加
This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18. - 特許庁
バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。例文帳に追加
The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10. - 特許庁
このＧＰＳアンテナ装置は、ＡＢＳ樹脂よりなるレドーム１内部に例えば一体成形によりループアンテナ３を封止している。例文帳に追加
Relating to this GPS antenna device, a loop antenna 3 is sealed inside a radome 1 made of ABS resin by integral molding. - 特許庁
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