The n_b is usually >1.508 and preferably ≥1.55, and the n_B is usually ≤1.53.例文帳に追加

ｎ_ｂは通常１．５０８よりも高く１．５５以上が好ましく、ｎ_Ｂは通常１．５３以下である。 - 特許庁

A diagonal bolt segment 1-(n+1) has diagonal bolt holes 5a-(n+1), 5b-(n+1).例文帳に追加

斜ボルトセグメント１−（ｎ＋１）は、斜めのボルト用穴５ａ−（ｎ＋１）、５ｂ−（ｎ＋１）を有する。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

The fluorescent material is characterized in that a relation between the refractive index n_P of the fluorescent material and the refractive index n_B of the binder is n_P/n_B < 1.5.例文帳に追加

蛍光材料の屈折率ｎ_Ｐとバインダの屈折率ｎ_Ｂとの関係が、ｎ_Ｐ／ｎ_Ｂ ＜ １．５であることを特徴とする。 - 特許庁

In formula, n is an integer of 1-5, and m is 1 or 2.例文帳に追加

（式中、ｎは１〜５の整数、ｍは１又は２である。） - 特許庁

In general formula (I), n is an integer of 1-5.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、ｎは１〜５の整数を表す。 - 特許庁

The frequency division ratio (N) is generated via a control circuit (15).例文帳に追加

分周比（Ｎ）は、制御回路（１５）を介して生成される。 - 特許庁

In a lamp diagnosis device provided with a N-P-N type transistor 15 supplying minute current to a stop lamp 1 and a computer 10 diagnosing the stop lamp 1 based on voltage applied to the stop lamp 1, the N-P-N transistor 15 intermittently supplies the minute current.例文帳に追加

本発明は、ストップランプ１に微電流を入力するn-p-n型トランジスタ１５と、ストップランプ１に加えられている電圧に基づいてストップランプ１を診断するコンピュータ１０と、を備えたランプ診断装置において、n-p-n型トランジスタ１５を、前記微電流を断続的に入力するようにした。 - 特許庁

Either one (N+1 in the drawing) of the seven (actually fifteen) print elements N, N+1, N+2,..., N+6 can be superposed with either one of seven print chips n, n+1, n+2,..., n+6 of the print chip 12-n without a shift in the main scanning direction in the principle of a caliper.例文帳に追加

７個（実際には１５個）の印字素子Ｎ、Ｎ＋１、Ｎ＋２、・・・、Ｎ＋６のいずれか１個（図ではＮ＋１）が印字チップ１２−ｎの７個の印字素子ｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、・・・、ｎ＋６のいずれかとノギスの原理で必ず主走査方向に殆どずれない状態で重なり合う場所ができる。 - 特許庁

Also, RD rotation orientation density is defined as G, to make the alloy satisfy conditions of C<15, G<15, 1/20<G/C<1, and further satisfy C<15, N<15, 1/20<N/C<1, G<15, 1/20<G/C<1.例文帳に追加

さらには、Ｃ＜１５、Ｎ＜１５、１／２０＜Ｎ／Ｃ＜１、Ｇ＜１５、１／２０＜Ｇ／Ｃ＜１、の各条件を満たすものとした。 - 特許庁

In P-well regions 152 and 153 arranged in both sides of the N-well region 151, N-channel transistors 108 and 109 and the like are formed.例文帳に追加

Ｎウェル領域１５１の両側に配置されたＰウェル領域１５２，１５３には、Ｎチャネルトランジスタ１０８，１０９等が形成されている。 - 特許庁

Each of equivalent C/N ratio adding sections 15-2 to 15-N adds a digital interference wave equivalent C/N ratio, apparatus deterioration equivalent C/N ratio, the analog interference wave equivalent C/N ratio and the like and outputs an output signal C/N ratio.例文帳に追加

そして、等価ＣＮ比加算部１５−２〜１５−Ｎが、デジタル干渉波等価ＣＮ比、装置劣化等価ＣＮ比、アナログ干渉波等価ＣＮ比等を加算し、出力信号ＣＮ比を出力する。 - 特許庁

The CPU15 compares with Te_max, n_max with a preset threshold value Te_ref, n_ref.例文帳に追加

ＣＰＵ１５は、Ｔｅ_max、ｎ_maxを予め設定された閾値Ｔｅ_ref、ｎ_refと比較する。 - 特許庁

A p+ layer 16 is provided on the n+ layer 15 and the n++ buffer layer 20.例文帳に追加

ｐ＋層１６は、ｎ＋層１５およびｎ＋＋バッファ層２０の上に設けられている。 - 特許庁

After that, on the distortion inhibition layer 13, an n-type cladding layer 15 made of n-type Al_0.07Ga_0.9.3N is grown.例文帳に追加

続いて、歪抑制層１３の上に、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｎ型クラッド層１５を成長する。 - 特許庁

In the formula, n and m are integers of 8 to 15 satisfying 0.5<n/m<3.5, and y is an integer of 4 to 10.例文帳に追加

（但し、ｎ、ｍは８〜１５の整数、０．５＜ｎ／ｍ＜３．５、ｙは４〜１０の整数である。） - 特許庁

Where each (m) and (n) is 0-13 and (m)+(n) is 7-13 and (p) is 15-50.例文帳に追加

ただし、ｍ及びｎは０〜１３、かつｍ＋ｎは７〜１３であり、ｐは１５〜５０である。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

In the concentration measuring apparatus, the concentration of liquid is calculated from a brix value obtained from an expression: brix value = measured brix value-pressure value (MPa)/N, where N is 5-15.例文帳に追加

ブリックス値＝測定ブリックス値−圧力値（ＭＰａ）／Ｎ・・・（１式）Ｎは５〜１５ - 特許庁

The reflection preventing film 151 is so formed that a ratio R_n=n_D/n_C of a refractive index n_D of an outer peripheral part D through which an outer edge of an effective luminous flux passes to a refractive index n_C of a center part C through which light on an optical axis passes satisfies R_n<1.0.例文帳に追加

反射防止膜１５１は、有効光束の外縁が透過する外周部Ｄにおける屈折率ｎ_Dの、光軸上の光線が透過する中央部Ｃにおける屈折率ｎ_Cに対する比Ｒ_n＝ｎ_D／ｎ_CがＲ_n＜１．０となるよう形成されている。 - 特許庁

In the inter-digital transducer 3, electrode fingers 15a1, 15a2,...15an, 15b1, 15b2,...15bn of (n) lines (30≤n≤75) are extended respectively toward opposite side pads alternately from two opposite pads 13, 14.例文帳に追加

インターデジタルトランスデューサ３は、二つの対向したパッド１３，１４からそれぞれｎ本（３０≦ｎ≦７５）の電極指１５ａ_1，１５ａ_2，…１５ａ_n、１５ｂ_1，１５ｂ_2，…１５ｂ_nが交互に相手側のパッドに向かって延在している。 - 特許庁

An n^+-type drain layer 15 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the n^--type offset layer 13.例文帳に追加

ｎ-型オフセット層１３には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ドレイン層１５が形成されている。 - 特許庁

N band image data are output to an image data processing device 100 from an N band photographing device 150 capable of photographing multi-bands of N>4.例文帳に追加

Ｎ＞４のマルチバンドの撮影が可能なＮバンド撮影装置１５０から画像データ処理装置１００にＮバンド画像データが出力される。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

The yoke 113 has n/m number of pole tooth 115 in an angle range θ of 360°/m where (m) is a divisor of (n) except 1 and (n).例文帳に追加

ヨーク１１３は、３６０°／ｍ（ｍは１及びｎを除くｎの約数）の角度範囲θ内にぞれぞれｎ／ｍ個の極歯１１５を有する。 - 特許庁

When the position error En-en exceeds the allowable error, the time interval Tn is set shorter than the previous one.例文帳に追加

そして、その位置誤差（Ｅ_n−ｅ_n）が、許容誤差を超えたときには、時間間隔（Ｔ_n）を前回よりも短く設定する。 - 特許庁

N and in which B, Zr and N satisfy the following inequality: -0.0010≤[N]-1.3[B]-0.15[Zr]≤0.0020 (where each symbol of element in brackets represents the content of the element).例文帳に追加

-０．００１０≦［Ｎ］−１．３［Ｂ］−０．１５［Ｚｒ］≦０．００２０ （式中、［ ］は、各元素の含有量を表す） - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

The pitch (a) between the pole teeth 115 positioned in each angle range θ is set in the range of (90°/n) [4-m/(n-m)]<a<(360°/n).例文帳に追加

各角度範囲θ内に位置する極歯１１５間のピッチａを、（９０°／ｎ）［４−ｍ／（ｎ−ｍ）］＜ａ＜（３６０°／ｎ）の範囲内の値とする。 - 特許庁

(1) 1≤Mn≤MT1/N×1.5 [MT is total draw ratio (MT=M1×M2×...×MN], N is drawing stage number (N≥2).例文帳に追加

（１） １≦Ｍｎ≦Ｍ_T^1/N×１．５ ただし、Ｍ_Tは総延伸倍率（Ｍ_T＝Ｍ_1×Ｍ_2×・・・×Ｍ_N）、Ｎは延伸段数（Ｎ≧２）とする。 - 特許庁

When the N pole (N_1) of a magnet 9b is opposed to the inner peripheral surface 15 of the member 14, the N poles (N_a, N_b and N_c) magnetized on the inner peripheral surface 15 of the member 14 and the N pole (N_1) of the magnet 9b are not opposed in parallel.例文帳に追加

磁気シール部材１４の内周面１５に磁石９ｂのＮ極（Ｎ_１）が対向した場合、磁気シール部材１４の内周面１５に着磁されたＮ極（Ｎ_ａ、Ｎ_ｂ、Ｎ_ｃ）と、磁石９ｂのＮ極（Ｎ_１）は平行に対向しない。 - 特許庁

The receiver (14) receives the n optical signals (λ_1 to λ_n) via the transmission lines (15_1 to 15_n), multiplexes the n optical signals (λ_1 to l_n) on the basis of the reception order of the n optical signals (λ_1 to λ_n) and outputs the multiplexed signal as the client signal (λ).例文帳に追加

受信装置（１４）は、伝送路（１５_１〜１５_ｎ）を介してｎ個の光信号（λ_１〜λ_ｎ）を受信し、ｎ個の光信号（λ_１〜λ_ｎ）の受信の順序に基づいてｎ個の光信号（λ_１〜λ_ｎ）を多重してクライアント信号（λ）として出力する。 - 特許庁

The circuit configuration includes a plurality of first multiplication circuits (14, 15, 16, 17) for multiplying adjustable coefficients (C_aa^(n), C_ba^(n), C_bb^(n), C_ab^(n)) to the first error signal.例文帳に追加

本回路構成は、第１誤差信号に調整可能な係数（Ｃ_ａａ^（ｎ）、Ｃ_ｂａ^（ｎ）、Ｃ_ｂｂ^（ｎ）、Ｃ_ａｂ^（ｎ））を乗算する多数の第１乗算回路（１４、１５、１６、１７）を含む。 - 特許庁

The refrigerant is a single refrigerant, represented by molecular formula: C_3H_mF_n (m=1-5, n=1-5 and m+n=6), and having a single double bond in a molecular structure, or a refrigerant mixture including the single refrigerant.例文帳に追加

そして、冷媒は、分子式：Ｃ_3Ｈ_mＦ_n（但し、ｍ＝１〜５、ｎ＝１〜５、かつ、ｍ＋ｎ＝６）で示され、かつ、分子構造中に二重結合を１個有する単一冷媒、またはこの単一冷媒を含む混合冷媒である。 - 特許庁

To provide a refrigerating device can suppress functional degradation of a compressor and the like even when a refrigerant represented by a molecular formula: C_3H_mF_n (m=1-5, n=1-5, m+n=6), and having one double bond in a molecular structure is used.例文帳に追加

分子式：Ｃ_3Ｈ_mＦ_n（但し、ｍ＝１〜５，ｎ＝１〜５且つｍ＋ｎ＝６）で示され且つ分子構造中に二重結合を１個有する冷媒を用いても、圧縮機の機能低下等を抑制することができる冷凍装置を提供する。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The number N of prints (N=0 at the time of replacement) is written in an RF tag 15a of another new loaded toner unit 15 by replacement, in the same manner.例文帳に追加

交換により、新規に装着されたトナーユニット１５のＲＦタグ１５ａに対しても同様に、プリント枚数Ｎ（交換時にＮ＝０）を書き込む。 - 特許庁

The surface of the n-type buried region 106 is an n-type in the region where the charge accumulator 152 and charge holding region 154 are formed.例文帳に追加

Ｎ型埋込領域１０６の表面部は、電荷蓄積部１５２および電荷保持領域１５４が形成された領域においてＮ型とされる。 - 特許庁

The source S and drain D have a lightly doped extension region (N^- region 151) and a heavily doped region (N^+ region 152), respectively.例文帳に追加

ソースＳ、ドレインＤは、それぞれ低濃度エクステンション領域（Ｎ^−領域１５１）、高濃度領域（Ｎ^＋領域１５２）を有する。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

Four N poles N_a, N_b, N_c and N_d and four S poles S_a, S_b, S_c and S_d are magnetized obliquely to the longitudinal direction X of the developing sleeve 9 on the inner peripheral surface 15 of the magnetic sealing member 14.例文帳に追加

磁気シール部材１４の内周面１５には、４つのＮ極Ｎ_ａ、Ｎ_ｂ、Ｎ_ｃ、Ｎ_ｄと、４つのＳ極Ｓ_ａ、Ｓ_ｂ、Ｓ_ｃ、Ｓ_ｄが、現像スリーブ９の長手方向Ｘに対して斜めに着磁されている。 - 特許庁

(In the formula, m1 indicates 0 or 1, and n indicates an integer ranging from 1 to 5).例文帳に追加

（式中、ｍ１は０または１を表し、ｎは１〜５の整数を表す。） - 特許庁

An n-side contact layer 15 is grown from the crystal part 12A.例文帳に追加

そののち、結晶部１２Ａからｎ側コンタクト層１５を成長させる。 - 特許庁

Thereafter, an n-side contact layer 15 is grown from the crystal portion 11A.例文帳に追加

そののち、結晶部１１Ａからｎ側コンタクト層１５を成長させる。 - 特許庁