One part of the side surface of the reservoir 6 is bent in V-shaped so as to scrape the toner grains T' attached to the roller 5.例文帳に追加

リザーバ６の側面の一部はＶ字型に曲げられて、ブラシローラ５に付着したトナー粒子Ｔ’を擦り落とす。 - 特許庁

A nearly V-shaped notch is provided in the front surface of the tray 5, and a rib 5c for sliding down the disk is provided to a part of the notch.例文帳に追加

トレイ５の前面に、略Ｖ字状の切欠きを設け、該切欠きの一部にディスクを滑り落とすリブ５ｃを設ける。 - 特許庁

Through a magenta toner image is transferred by applying the transfer bias of +600 V at the point of time when the transfer material P2 is positioned at a transfer part TM, the transfer bias is lowered to +200 V for the prevention of the retransfer of the toner or the like when the image pattern GC passes.例文帳に追加

この転写部ＴMでは、転写材Ｐ２が位置した時点で＋６００Ｖの転写バイアスを印加してマゼンタトナー像を転写したが、画像パターンＧCが通過際には、トナーの再転写防止等のために転写バイアスを＋２００Ｖに落とす。 - 特許庁

A voltage control circuit (42A) acts so as to repeat the process of gradually reducing an adaptor voltage (V_ADP) and a process of raising the adaptor voltage as a first step, in response to the detection signal.例文帳に追加

電圧制御回路（４２Ａ）は、アダプタ電圧（Ｖ_ＡＤＰ）を徐々に落とす工程と、検出信号に応答して一旦アダプタ電圧を上昇させる工程とを繰り返すように動作する。 - 特許庁

To achieve a III-V nitride semiconductor thin film of good quality in which the surface of an Si substrate does not deteriorate and the throughput does not lower even if Ga or N radicals are generated from matters adhering to the inside of a furnace.例文帳に追加

炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。 - 特許庁

Furthermore, by a low data holding power supply control circuit 150, controlling voltage for low data holding power supply for a memory cell is made higher in a degree of 0.1 V than the ground level, so that a current potential for an access transistor is lowered.例文帳に追加

さらに、ローデータ保持電源制御回路１５０により、メモリセルのローデータ保持電源の電圧を接地レベルよりも０．１Ｖ程度高い電圧に制御してアクセストランジスタの電流能力を落とす。 - 特許庁

The body of the car V is divided into the rear and the front, and the detergent applied to the rear by the detergent spraying device 13 is flushed off with the sprinkled water in association with the movement of the frame 2, and then the detergent applied to the front is flushed off with the sprinkled water in association with the movement of the frame 2.例文帳に追加

自動車Ｖの車体を後部と前部に分け、洗剤散布装置１３で後部に塗布した洗剤を、フレーム２の移動に伴って散水で洗い落し、ついで前部に塗布した洗剤をフレーム２の移動に伴って散水で洗い落すようにした。 - 特許庁

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance.例文帳に追加

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。 - 特許庁