かくまくじすとろふぃーの英語

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、広いフォーカス深度マージンを与える、リソグラフィー用反射防止膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a photoresist layer, having a high dry etching rate compared to the photoresist and giving a wide focus depth margin. - 特許庁

各モニタ要素デバイスは、半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜３９、４０と、このフィールド酸化膜３９、４０に周囲を囲まれた前記半導体基板１１の表面領域に形成された薄い酸化膜４１と、この薄い酸化膜４１上に島状に形成されたレジストアイランド１５と、前記フィールド酸化膜３９、４０上に形成されたレジスト膜１３とから構成されている。例文帳に追加

Each monitor element device is constituted by field oxide films 39, 40 formed on the semiconductor substrate; a thin oxide film 41 formed in a surface region of the semiconductor substrate 11 enclosed by the field oxide films 39, 40, a resist island 15 formed island-like on this thin oxide film 41, and a resist film 13 formed on the field oxide films 39, 40. - 特許庁

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。例文帳に追加

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31. - 特許庁

ＬＤＭＯＳトランジスタ部では、ドレイン形成予定領域及びチャネル形成予定領域にもフィールド酸化膜２４ｄを形成しておき、そのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてチャネル用拡散層３８を形成し、さらにそのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてソース拡散層４０ａを形成する。例文帳に追加

At an LDMOS transistor part, a field oxide film 24d is also formed in a drain-forming region and a channel-forming region, a channel diffusion layer 38 is formed using the field oxide film 24d as a mask, and then a source diffusion layer 40a is farmed using the field oxide film 24d as a mask. - 特許庁

膜表面の疎水性が高く、かつリソグラフィー特性も良好なレジスト膜を形成でき、液浸露光用として好適な液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition for immersion exposure, which is suitable for immersion exposure and forms a resist film having high hydrophobicity of a surface thereof and good lithography characteristics, and also to provide a method of forming a resist pattern. - 特許庁

この光センサ内蔵表示装置は、ＴＦＴ（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）アレイ基板４０ａの各画素部に、微結晶シリコンＴＦＴで構成された画素駆動用ＴＦＴ２２と、微結晶シリコンＴＦＴで構成された第１の光電変換用ＴＦＴ２０と、非晶質シリコンＴＦＴで構成され、第１の光電変換用ＴＦＴ２０と並列接続された第２の光電変換用ＴＦＴ２１とを備える。例文帳に追加

In the display device including the optical sensor, each pixel part of a TFT (TFT: thin film transistor) array substrate 40a is provided with: a pixel driving TFT 22 composed of a fine crystal silicon TFT; a first photoelectric conversion TFT 20 composed of fine crystal silicon TFT; and a second photoelectric conversion TFT 21 composed of an amorphous silicon TFT and connected to the first photoelectric conversion TFT 20 in parallel. - 特許庁

信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部２２と、フローティングディフュージョン部２２の電位変化に応じた信号を出力する増幅回路と、を備え、フローティングディフュージョン部２２が、増幅回路に含まれる１つのトランジスタのゲート電極２４に、拡散防止膜３４を介して接続されている。例文帳に追加

The amplifier for charge transfer devices comprises a floating diffusion section 22 for accumulating signal charges; and an amplification circuit for outputting a signal, corresponding to the change in the potential of the floating diffusion section 22, and the floating diffusion section 22 is connected to a gate 24 in one transistor which is included in the amplifying circuit via a diffusion-preventing film 34. - 特許庁

各画素の駆動用素子として薄膜トランジスタを有するフィールドシーケンシャル方式液晶表示装置において、一定のソース電圧に対して、前記薄膜トランジスタのゲート電圧ＶＧとドレイン電流ＩＤの積ＶＧ×ＩＤが１５Ｅ−６ＶＡ以上となるようにする。例文帳に追加

In this field sequential liquid crystal display unit having thin-film transistors each serving as the element for driving a pixel, it is so set that VG×ID≥15E-6VA for a specified source voltage, wherein VG is the gate voltage and ID is the drain current of the thin-film transistor. - 特許庁