かくまくじっしつえんの英語

本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。例文帳に追加

In an embodiment of the present invention, an insulating protective layer is formed on a multilayered magnetic layer by a plasma CVD apparatus in which a plasma source and a deposition chamber are separated from each other by a partition plate. - 特許庁

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に配置された配線と、前記配線に接続され、電気的に絶縁可能な間隔を有して対向し、前記間隔に導電部材を配置することにより導通可能な第１および第２の接続端部を有した第１および第２のアンチヒューズ配線と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; an interlayer dielectric film formed on the semiconductor substrate; a wiring disposed in the interlayer dielectric film; and a first and a second anti-fuse wiring that are connected to the wiring, face each other with a space therebetween that provides electrical insulation, and are capable of conduction through the disposition of a conductive member in the space. - 特許庁

第２の一般化された実施形態において、薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタが浮遊拡散部の代わりに用いられ、キャリア基板の上の誘電体分離金属スタック内に遮蔽された状態で配置される。例文帳に追加

In a second generalized embodiment, a thin film transistor and a metal-insulator-metal capacitor are used in place of the floating diffusion region, and are arranged, shielded in a dielectric-isolated metallization stack over a carrier substrate. - 特許庁

ＡＬＣ等の外装材の表面に施された塗膜の透水試験を極めて短時間で、かつ液体やシーリング材等の消耗品を用いずに簡単かつ確実に実施し得る試験装置を目的とする。例文帳に追加

To provide a testing device capable of executing, simply and surely, a permeability test of a coating film applied onto the surface of armoring material such as ALC or the like in an extremely short time without using consumables such as liquid, sealing material. - 特許庁

実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、シリコンを含む基板と、前記基板上に間隔をあけて設けられた複数のメモリセルと、前記メモリセルの側壁に形成された絶縁膜と、を備えている。例文帳に追加

A non-volatile semiconductor storage device according to an embodiment comprises: a substrate containing silicon; a plurality of memory cells provided on the substrate with intervals; and an insulating film formed on a sidewall of the memory cell. - 特許庁

各表面コートフィラーＣＦ１，ＣＦ２は、無機絶縁性物質からなるフィラーＦと、フィラーＦの表面を覆う樹脂皮膜Ｌとからなり、全体の外形が実質的に球面体である。例文帳に追加

The respective surface-coated fillers CF1 and CF2 are composed of a filler F composed of an inorganic insulating substance and a resin coating film L covering a surface of the filler F, and the whole external shape is substantially a spherical surface body. - 特許庁

１回に照射するレーザーエネルギーを低くすることができ、確実に、かつヒューズ周辺の絶縁膜に物理的ダメージを与えることなく、実質的に電気的不導通の状態を得ることができる。例文帳に追加

A laser energy to be irradiated once can be lowered and it is possible to attain the substantially electrically unconductive state reliably and without physically damaging a peripheral insulated film of the fuse. - 特許庁

これにより、等電位線が層間絶縁膜１０内にまで入り込むため、当該箇所に層間絶縁膜１０を形成していない従来の縦型ＭＯＳトランジスタと比較して、本実施形態の縦型ＭＯＳトランジスタでは等電位線の間隔が広くなり、電界集中を緩和することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, equipotential lines enter the inside of the inter-layer insulating film 10, so a vertical MOS transistor as the embodiment of this invention has the equipotential lines at wider intervals than the conventional vertical MOS transistor in which an inter-layer insulating layer 10 is not formed at a corresponding place and reduces electric field concentration. - 特許庁