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かっせいかしょうへきの英語

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ライフサイエンス辞書での「かっせいかしょうへき」の英訳

活性化障壁


「かっせいかしょうへき」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

ZnO系半導体活性層3は、井戸層と障壁層を備える量子井戸構造である。例文帳に追加

The ZnO-based semiconductor active layer 3 is a quantum well structure having a well layer and a barrier layer. - 特許庁

以前の処理ステップからトンネル障壁層に残される(disposed)、酸素あるいは窒素などの別の反応物質が紫外線放射によって活性化され、トンネル障壁層内の欠陥を修復する。例文帳に追加

Another reactive substance, such as oxygen, nitrogen, etc., disposed in the tunnel barrier layer after a previous treatment step is activated by the irradiated ultraviolet rays and restores defects in the barrier layer. - 特許庁

電子障壁層16はMgBeZnSeTe単層、またはMgSe/BeZnTe超格子からなり、電子障壁層16の伝導体下端が活性層15の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 includes an MgBeZnSeTe single layer or the MgSe/BeZnTe superlattice, and has a composition ratio, where the lower end of the conductor of the electron barrier layer 16 becomes a level higher than that of the lower end of the conduction band of the active layer 15. - 特許庁

活性層とp型クラッド層の間に1〜10nmのZnMgSe第1追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とn型クラッド層の間に1〜10nmのZnSSe第2追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。例文帳に追加

A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes. - 特許庁

また、活性層30の量子井戸層32および障壁層31は、それぞれ、Alを含む窒化物半導体から構成されている。例文帳に追加

The quantum well layer 32 and the barrier layer 31 in the active layer 30 are each composed of a nitride semiconductor containing Al. - 特許庁

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。例文帳に追加

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device element and passivation of a dielectric material. - 特許庁

例文

活性層15は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。例文帳に追加

The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「かっせいかしょうへき」の英訳

活性化障壁


「かっせいかしょうへき」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

そして、活性層23の障壁層23bが、AlとInとを含む窒化物半導体から構成されている。例文帳に追加

The barrier layer 23b of the active layer 23 is formed of a nitride semiconductor containing Al and In. - 特許庁

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。例文帳に追加

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device component and deactivation of a dielectric material. - 特許庁

本方法は、前記トンネル接合素子の前駆層上に前記トンネル障壁層を形成することと、酸化プロセスおよび窒化プロセスからなる群から選択される処理によって、前記トンネル障壁層を非導電性材料に変換することと、前記トンネル障壁層に紫外光を照射することを含み、該紫外光は、前記トンネル障壁層内にある反応物質に入射し、前記紫外光は、前記反応物質を活性化することにより、前記反応物質が、前記トンネル障壁層の材料に反応し、該材料を前記非導電性材料に変換する。例文帳に追加

Since the ultraviolet rays activate a reactive substance contained in the barrier layer when the rays are made incident to the substance, the substance reacts to the material of the barrier layer and transforms the material into the nonconductive material. - 特許庁

光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。例文帳に追加

Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating. - 特許庁

半導体層は、III族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層71と、n型障壁層72と、活性層73と、p型障壁層74と、p型コンタクト層75とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate. - 特許庁

一回燃料噴射の均質燃焼から排気浄化触媒活性化のための成層ストイキ燃焼へ切り換えるときの、安定度を確保する。例文帳に追加

To provide a control device for a direct injection type spark ignition engine capable of securing the stability when changing-over is made from a homogeneous combustion of one run fuel injection into a stratified stoichiometric combustion for activating an exhaust gas purifying catalyst. - 特許庁

これにより被めっき物表面が触媒活性を示さない場合であってもエネルギ障壁が低下し、前記被めっき物表面が活性化してめっき反応を開始し、被めっき物表面にCuやNi等の金属皮膜を析出させることができる。例文帳に追加

In this way, even in the case the surface of the object to be plated does not exhibit catalytic activity, the surface of the object to be plated is activated to start plating reaction, thus a metallic film of Cu, Ni or the like can be precipitated over the surface of the object to be plated. - 特許庁

例文

これによれば、触媒に吸着した反応分子を光励起して反応性を高めると同時に触媒作用により反応の活性化障壁を下げることで、反応をスムーズに進行させることができる。例文帳に追加

In this method, the reacting molecules adsorbed on the catalyst are photoexcited to increase their reactivity, and at the same time the activation barrier for the reaction is lowered by a catalytic action, thereby the reaction proceeds smoothly. - 特許庁

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