Then, the film N coated with the water is heated and carried by a single heating drum 22.例文帳に追加

次に、水が塗布されフィルムＮは単一の加熱ドラム２２で加熱搬送される。 - 特許庁

This method for producing the enamine is provided by heating for reacting a 2-nitrotoluene or its derivative with N, N-dimethylformamide dimethylacetal in the presence of a tertiary amine in a reaction solvent.例文帳に追加

エナミンの製造方法は、反応溶媒中で、３級アミン存在下、２−ニトロトルエンまたはその誘導体と、N，N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタールを加熱して反応させる。 - 特許庁

The layer containing the semiconductor film formed on the substrate is formed so that the total stress of the layer may be -500 N/m or more and +50 N/m or less or preferably -150 N/m or more and 0 N/m or less after the heating.例文帳に追加

ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

The second drying cylinder 22 heats a paper S coated with an aqueous varnish N to dry the aqueous varnish N.例文帳に追加

このうち、第２乾燥胴２２によって、水性ニスＮが塗布された紙Ｓを加熱して、水性ニスＮを乾燥させる。 - 特許庁

This power source circuit 1a is the boosting circuit boosting peak values VB of input pulses to (n) times (n is an integer of two or more).例文帳に追加

この電源回路１ａは入力パルスの波高値ＶＢをｎ倍（ｎは２以上の整数）に昇圧する昇圧回路である。 - 特許庁

This part assembling method for a workpiece includes: a process of heating the hole part Wa in a workpiece having the hole part Wa to which a part N is assembled by a heating means 2; and a process of inserting the part N in the heated hole part Wa and assembling it.例文帳に追加

部品Ｎが組み付けられる孔部Ｗａを有するワークＷにおける該孔部Ｗａを加熱手段２により加熱する工程と、前記加熱された孔部Ｗａに前記部品Ｎを挿入して組み付ける工程とを備える。 - 特許庁

The organic sulfur compound having a portion expressed with a basic skeleton structure (CxSyNz)n (where, x≥2, y≥1.8, z>0, n≥2) is manufactured by heating poly-carbon sulfide with a vulcanization agent or a vulcanization accelerator agent.例文帳に追加

ポリカーボンサルファイドを加硫剤あるいは加硫促進剤とともに加熱し、基本骨格構造（Ｃ_xＳ_yＮ_z）_n（ただしｘ≧２、ｙ≧１．８、ｚ＞０、ｎ≧２）で表される部分を有する有機イオウ化合物を製造する。 - 特許庁

The n-side reflection prevention layer 2 and the p-side Bragg reflection layer 4 also work as a contact layer.例文帳に追加

ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。 - 特許庁

The pressure roll 76 is brought into press-contact with the heating roll 74 at pressures of ≤9 N/cm^2.例文帳に追加

加圧ロール７６は、加熱ロール７４に９Ｎ／ｃｍ^２以下で圧接される。 - 特許庁

The garbage N or the like is sucked by a vacuum pump 5, heated by the electric immersion heater 8, and dried.例文帳に追加

そして、真空ポンプ５で吸引しつつ投込み式ヒータ８で加熱し、生ゴミ等Ｎを乾燥させる。 - 特許庁

The heating and pressing condition preferably is set to a temperature of 50-350°C and to a pressure of 10-10,000 N/cm^2.例文帳に追加

加熱・加圧条件は、５０〜３５０℃の温度、１０〜１００００N/cm^２の圧力とすることが好ましい。 - 特許庁

The outer circumferential surface of the heating belt 6 partly forms a nip N together with the pressure roller 5.例文帳に追加

加熱ベルト６の外周面の一部は、加圧ローラ５との間にニップＮを形成している。 - 特許庁

The nitride film is formed on the surface of the through hole by touching mixture gas of a compound containing N and Si or Al, or a compound containing N and a compound containing Si or Al to a heated catalyst and touching chemical species produced through catalytic cracking reaction to the through hole.例文帳に追加

この窒化膜は、NとＳｉ又はＡｌを含む化合物、又はNを含む化合物及びＳｉ又はＡｌを含む化合物の混合気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を、前記貫通孔に触れさせ、該貫通孔表面上に形成される。 - 特許庁

This method for producing the aqueous solution of the 1,3- propanediamine-N,N'-tetraacetic acid ferric ammonium complex, characterized by heating Fe2O3 and metal iron (100: about 5 to 50 as Fe contents) together with the partially ammonium-neutralized product of 1,3-propanediamine-N,N'- tetraacetic acid in an aqueous medium at ≥50°C.例文帳に追加

Ｆｅ_2Ｏ_3と金属鉄（Ｆｅ成分で１００：５〜５０程度）を、１,３−プロパンジアミン−Ｎ,Ｎ'−四酢酸のアンモニア部分中和物と共に水性媒体中で５０℃以上に加熱することを特徴とする１,３−プロパンジアミン−Ｎ,Ｎ'−四酢酸第二鉄アンモニウム錯体水溶液の製造方法。 - 特許庁

As for the layer containing the semiconductor film formed on the substrate, it is formed so that the total stress of the layer may be no less than -500 N/m and no more than +50 N/m, or preferably no less than -150 N/m and no more than 0 N/m after the heating mentioned above.例文帳に追加

基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 - 特許庁

This polyasparagine derivative is obtained by heating an N- substituted maleamic acid ammonium salt and/or N,N-disubstituted maleamic acid ammonium salt, or by mixing aspartic acid with a primary amine- or a secondary amine-derived ammonium salt followed by heating the mixture.例文帳に追加

Ｎ−置換マレアミド酸アンモニウムおよび／またはＮ，Ｎ−二置換マレアミド酸アンモニウムを加熱することにより、またはアスパラギン酸に第１アミンあるいは第２アミン由来のアンモニウム塩を混合し、加熱することによりポリアスパラギン誘導体が得られる。 - 特許庁

The heating nip N for a recording material capable of switching pressurization at total pressure 300 N and pressurization at total pressure 150 N is formed by making a pressure roller 2 which can be ascended and descended in press-contact with a fixing belt 1 whose inner side surface is supported by the pressure member 5 and a heating member 4.例文帳に追加

加圧部材５及び加熱部材４によって内側面を支持された定着ベルト１に昇降可能な加圧ローラ２を圧接させて、総圧３００Ｎの加圧と総圧１５０Ｎの加圧とを切り替え可能な記録材の加熱ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

Movable sections (pressure release levers 31a, 31b) which release the pressure contact state of the heating nip section N by a pressurization spring 36 are respectively disposed nearer an upstream side and downstream side of the sheet conveyance direction than the heating nip section N.例文帳に追加

加圧バネ２６による加熱ニップ部Ｎの圧接状態を解除する可動部（圧解除レバー３１ａ，３１ｂ）を、加熱ニップ部Ｎよりシート搬送方向上流側及び下流側にそれぞれ設けた。 - 特許庁

In the heating time calculating part 11, the count number N is calculated from a heating amount control signal (a coefficient K) and a basic clock cycle and the count number N is derived from the basic clock.例文帳に追加

加熱時間算出部１１は、加熱量制御信号（係数Ｋ）と基本クロック周期から、カウント数Ｎを計算し、基本クロックからカウント数Ｎを求める。 - 特許庁

By executing the multistage chemical reaction while the film N is heated and carried by the single heating drum 22, irregular processing caused by the transfer of the film N is prevented and the compact and simple device is constructed.例文帳に追加

このように、単一の加熱ドラム２２でフィルムＮを加熱搬送する間に、多段階の化学反応を行うことで、フィルムＮの受け渡しによる処理ムラがなくなり、また、小型でシンプルな装置を構築できる。 - 特許庁

A recording media shift mechanism 11 causes a passage position of recording media P at a heating nip N to be moved reciprocally in a width direction, so as to be capable of expanding a passage range of the recording media at the heating nip N.例文帳に追加

記録材シフト機構１１は、加熱ニップＮにおける記録材Ｐの通過位置を幅方向に往復移動させて、加熱ニップＮにおける記録材の通過範囲を拡張可能である。 - 特許庁

A polarizing film and a protective film are laminated, and an obtained laminated film is subjected to heating treatment at 60°C to 120°C, in a state where a tension of 60 N/m to 450 N/m is applied.例文帳に追加

偏光フィルムと保護フィルムとを積層し、前記積層フィルムに６０Ｎ/ｍ〜４５０Ｎ/ｍの張力をかけた状態で、加熱温度６０℃〜１２０℃の条件で加熱処理を実施する。 - 特許庁

An alumina substrate in which iron oxide and molybdenum oxide are held is placed in a heating furnace, then N,N-dimethylformaldehyde vapor and gaseous ammonia are introduced into the furnace, and the raw materials are heated at a temperature of ≥500°C.例文帳に追加

酸化鉄と酸化モリブテンが保持されたアルミナ基板を加熱炉に設置し、この炉中にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド蒸気とアンモニアガスを導入し、５００℃以上の温度で加熱する。 - 特許庁

The printing area S of the paper P does not come into contact with the outer peripheral surface N in contact with the thermistor 53, of the heat roller 48, consequently, the unfixed toner image is also prevented from sticking to the outer peripheral surface N of the heat roller 48.例文帳に追加

サーミスタ５３が接触している加熱ローラ４８の外周面Ｎには用紙Ｐの印字範囲Ｓが接触しないので、加熱ローラ４８の外周面Ｎに未定着のトナー画像が付着することもない。 - 特許庁

The heating amount control means 43 indirectly controls the water temperature of a hot water circuit 1 by controlling the heating amount of a burner according to a set level (n).例文帳に追加

加熱量制御手段４３は、設定レベルｎに応じてバーナの加熱量を制御することで温水回路１の水温を間接的に制御する。 - 特許庁

The nip form of the nip part N between the heat roller 10 and the pressure roller 20 is specified to be convex in the heat roller 10 side.例文帳に追加

このとき、加熱ローラ１０と加圧ローラ２０のニップ部Ｎのニップ形状が加熱ローラ１０側に凸となる形状とされている。 - 特許庁

The image forming apparatus has a heating device 14 which heats the heated material P while clipping and conveying by a nip part N and a feeding device 19 which feeds the heated material to the heating device.例文帳に追加

ニップ部Ｎで被加熱材Ｐを挟持搬送しつつ加熱する加熱装置１４と、加熱装置に対して被加熱材を給送する給送装置１９と、を有する。 - 特許庁

The thermistor 53 comes into contact with the outer peripheral surface N in contact with the paper-passing area X of the paper P, of the heat roller 48, consequently, the temperature of the outer peripheral surface N of the heat roller 48 detected by the thermistor 53 becomes nearly the same as that of the outer peripheral surface M of the heat roller 48.例文帳に追加

サーミスタ５３は用紙Ｐの通紙範囲Ｘが接触する加熱ローラ４８の外周面Ｎに接触しているので、サーミスタ５３で検知される加熱ローラ４８の外周面Ｎの温度は用紙Ｐの印字範囲Ｓが接触する加熱ローラ４８の外周面Ｍの温度と略同じ温度になる。 - 特許庁

The production method of N-vinyl formamide comprises evaporating N-(α-substituted-ethyl)formamide under reduced pressure in an evaporator and introducing the obtained vapor to a heated reaction tube to thermally decompose, wherein the N-(α-substituted-ethyl)formamide is mixed with formamide and evaporated in the evaporator.例文帳に追加

減圧下、蒸発器でＮ−（α−置換−エチル）ホルムアミドを蒸発させ、得られた蒸気を加熱した反応管に導いて熱分解するＮ−ビニルホルムアミドの製造方法において、Ｎ−（α−置換−エチル）ホルムアミドにホルムアミドを混合して蒸発器で蒸発させる。 - 特許庁

Cobalt metal films were deposited on heated substrates by the reaction of alternating doses of cobalt(II) bis(N,N'-diisopropylacetamidinate) vapor and hydrogen gas.例文帳に追加

コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。 - 特許庁

A titanium oxide powder is subjected to heating treatment of exhaust gas in a glass vacuum system at 400°C for 1 hour to dehydrate it, and reacts with n-octyltriethoxysilane to provide the white powdered catalyst.例文帳に追加

二酸化チタン粉末をガラス真空系中で、４００℃で１時間、排気加熱処理を施して脱水した後、n-オクチルトリエトキシシランと反応させて白色粉末状の触媒を得た。 - 特許庁

The heating temperature of a mother sheet 4M is adjusted so that each region R in the lateral direction of the mother sheet 4M that is in the arrangement direction of nozzles N faces the respective nozzles N squarely.例文帳に追加

マザーシート４Ｍの加熱温度を、ノズルＮの配列方向であるマザーシート４Ｍの横方向の各領域Ｒが各ノズルＮと正対するように調整した。 - 特許庁

Then, the object 3 is integrally formed from an area corresponding to the nip N to a part on the upstream side of the recording material P in a feeding direction to the entrance part Ni of the nip N.例文帳に追加

そして、被加熱体３をニップＮに対応する領域からそのニップＮの入口部Ｎｉに対して記録材Ｐの搬送方向上流側に至る部分にまで一体に形成する。 - 特許庁

Also, the heating and cooling means 3 are electrothermal converting elements obtained by making P-type Peltier elements and N-type Peltier elements as pairs and are arranged at the positions opposing to the reaction cells 2 in the lattice shape.例文帳に追加

また、加熱・冷却手段３は、P型ペルチェ素子およびN型ペルチェ素子を1対とする電—熱変換素子とし、これを反応セル２に対向する位置に格子状に配置したものである。 - 特許庁

The N-oxyl compound remaining in the oxidized pulp is removed by heating the oxidized pulp to 50-120°C at a pH of 3-10 and washing the resultant material with water.例文帳に追加

酸化パルプをｐＨ３〜１０の条件下で５０℃以上１２０℃以下の温度に加熱紙た後に水洗することにより、酸化パルプ中に残留するN−オキシル化合物を除去する。 - 特許庁

Electric charges are intermittently supplied from a capacitor to a flash lamp to perform the flash light irradiation to a semiconductor wafer preheated to 500°C for n times (n is an integer equal to or larger than 2).例文帳に追加

５００℃に予備加熱した半導体ウェハーに対してコンデンサからフラッシュランプに電荷を断続的に供給してｎ回（ｎは２以上の整数）のフラッシュ光照射を行う。 - 特許庁

An Li/(CF)_n based coin type battery has a metal lithium of a negative electrode 2 compression bonded to inside of a cover 1 of a stainless steel which serves also as a negative electrode terminal.例文帳に追加

Ｌｉ／（ＣＦ）_n系のコイン型電池として負極端子を兼ねるステンレス鋼製の蓋１の内側に負極２の金属リチウムが圧着されている。 - 特許庁

At the time of forming a p^+ collector layer of NPT type IGBT using an FZ-N substrate, boron is implanted into the rear face while heating the FZ-N substrate at 400°C-500°C.例文帳に追加

ＦＺ−Ｎ基板を用いたＮＰＴ型ＩＧＢＴのｐ^+コレクタ層を形成する際、ＦＺ−Ｎ基板を４００℃〜５００℃に加熱した状態でその裏面にボロンを注入する。 - 特許庁

The fixing device is configured such that tension F is applied to the sheet material S supplied to the fixing nip N on the upstream side from the fixing nip N in the conveyance direction of the sheet material S, by the rotation driving force of the heating member 20.例文帳に追加

加熱部材２０の回転駆動力によって、定着ニップＮに供給されたシート材Ｓに、定着ニップＮよりもシート材Ｓの搬送方向上流側で張力Ｆを与えるように構成した。 - 特許庁

Next, one section of the bare fiber part h is heated by moving the tip end part n of a burner nozzle in the vicinity of the bare fiber part n to perform the TEC treatment.例文帳に追加

次いでバーナノズル先端部ｎを裸ファイバ部ｈ近傍へ移動させることにより裸ファイバ部ｈの局所を加熱してＴＥＣ処理を行う。 - 特許庁

A film N drawn from a cartridge 18 is carried and heat-developed in a state such that the film N is brought into contact with the outside peripheral surface of the drum 24 heated by the heater 26 while being superposed on a processing member K for development.例文帳に追加

パトローネ１８から引き出されたフィルムＮは、現像用処理部材Ｋと重ね合わされた状態でヒータ２６により加熱されたドラム２４の外周面と接触した状態で搬送され熱現像される。 - 特許庁

This processed soybean powder material is obtained by subjecting raw soybeans to heat treatment, wherein the material has a water-soluble nitrogen index of 55-70 and an LOX (lipoxygenase) value of ≤20, does not contain or scarcely contains n-hexanal, and has a Brix value of 3.0-6.0.例文帳に追加

生大豆を加熱処理して得られ、水溶性窒素指数が55-70であり、LOX値が20以下であり、n-ヘキサナールを含まないか僅かに含み、ブリックス値が3.0-6.0であることを特徴とする加工大豆粉末素材。 - 特許庁

The piston ring is obtained by heating martensitic stainless steel containing, by mass, 0.35 to 0.90% C, 7 to 13% Cr and 0.05 to 0.20% N at 850 to 1,000°C, thereafter performing quenching treatment thereto, and subjecting at least the sliding face to nitriding treatment.例文帳に追加

質量比でＣ 0.35〜0.90%、Cr 7〜13%、N 0.05〜0.20%を含むマルテンサイト系ステンレス鋼を８５０〜１０００℃に加熱後焼入れ処理した後、少なくとも摺動面を窒化処理されてなるピストンリング。 - 特許庁