く形領域の英語

画像形成領域を短くすること。例文帳に追加

To shorten an image forming area. - 特許庁

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。例文帳に追加

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5. - 特許庁

トレンチ隔離領域の形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF TRENCH ISOLATION REGION - 特許庁

さらに素子形成領域８に動作領域の直下に位置する第１領域８ａと該第１領域を除いた部分である第２領域８ｂとを形成し、第１領域８ａを第２領域８ｂより薄くした。例文帳に追加

Then a first area 8a and a second region 8b which is left after removing the first region 8a are formed immediately below the operating region in the element forming region 8 and the first area 8a is made thinner in thickness than the second region 8b. - 特許庁

各シリコンナノワイヤー１１にはソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成しておく。例文帳に追加

Source, channel, and drain regions are formed in each silicon nanowire 11. - 特許庁

シリコン酸化物外枠は、ｎ^−領域、分離領域部、そしてｎ^＋領域部の上方に形成される。例文帳に追加

The silicon oxide external region is formed at the upper part of the n-, separation, and n+ regions. - 特許庁

識別情報記録領域６は、リードイン領域７より内周側の領域に形成されている。例文帳に追加

The identification information recording region 6 is formed in a region of farther inner periphery than the lead-in region 7. - 特許庁

ゲート領域６６の両側には、ｎ^+領域からなるソース領域６８、ドレイン領域７０が形成され、ゲート領域６６の下方がｎ領域からなるチャネル領域７２となっている。例文帳に追加

On the both sides of the gate region 66, a source region 68 composed of an n-region and a drain region 70 are formed and a channel region 72 composed of an n-region is formed below the gate region 66. - 特許庁