けい素ドープの英語

フッ素ドープ二酸化ケイ素が、好ましいコーティング材料である。例文帳に追加

Fluorine-doped silicon dioxide is the preferable coating material. - 特許庁

金属元素ドープ酸化珪素粉末の製造方法及び製造装置例文帳に追加

METHOD OF AND DEVICE FOR PRODUCING METALLIC ELEMENT- DOPED SILICON OXIDE POWDER - 特許庁

典型的な実施形態では、酸素含有膜は酸素ドープされた炭化ケイ素膜であり得る。例文帳に追加

The oxygen-containing film may be an oxygen-doped silicon carbide film in an exemplary embodiment. - 特許庁

珪素を溶融浸透した複合体中における珪素をドープされた窒化硼素で被覆された繊維例文帳に追加

FIBER COATED WITH SILICON-DOPED BORON NITRIDE IN COMPOSITE MELT-INFILTRATED WITH SILICON - 特許庁

窒素ドープメソポーラスカーボン（Ｎ−ＫＩＴ−６）およびその製造方法例文帳に追加

NITROGEN-DOPED MESOPOROUS CARBON (N-KIT-6) AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

ホウ素ドープシリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING BORON-DOPED SILICA FILM AND MANUFACTURE OF ELECTRONIC COMPONENT - 特許庁

剛直系複素環高分子からなるポリマードープの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING POLYMER DOPE COMPRISING RIGID HETEROCYCLIC POLYMER - 特許庁

炭化珪素半導体基板１００は、炭化珪素単結晶基板１０１上に、窒素（Ｎ）をドープしたＮドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２、およびリン（Ｐ）をドープしたＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３が順に積層されている。例文帳に追加

The silicon carbide semiconductor substrate 100 has a silicon carbide mono crystal substrate 101 with an N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 with nitrogen (N) doped and a P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 with a phosporous (P) doped sequentially laminated. - 特許庁