けい素面の英語

ＧａＮ基板上に形成された半導体レーザ素子においてＧａＮ基板の窒素面を研磨して薄片化する。例文帳に追加

This semiconductor device is thinned by grinding a GaN substrate nitride surface in a semiconductor laser element formed on a GaN substrate. - 特許庁

このヘッド素体１を支持装置３０に装着し、フェース素面２の研削加工及びスコアライン２１の形成を行う。例文帳に追加

The basic element 1 of the head is attached to a supporting device 30 and grinding process and formation of score lines 21 of the face base surface 2 is performed. - 特許庁

画素面積が小さい、高精細画面のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置における輝度傾斜を小さくする。例文帳に追加

To reduce the gradient of luminance in a top emission type organic EL display device with a high-definition screen whose pixel area is small. - 特許庁

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1. - 特許庁

この波面収差の計測に基づく樹脂材２６の注入量の制御のみで、最適形状となったレンズ素面３１を形成する樹脂材２６を紫外線照射により硬化させる。例文帳に追加

Thus, the material 26 for forming the surface 31 becoming an optimum shape is cured by irradiating an ultraviolet ray thereto only by controlling the injecting amount of the material 26 based on the measurement of the aberration. - 特許庁