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こうえいちょう3ちょうめの英語
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「こうえいちょう3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 368件
GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。例文帳に追加
The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁
11系統(木津南循環バス):木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加
Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
慶長3年、忠輝が7歳の時、家康は忠輝と面会しているが、そのときでさえこう述べたという。例文帳に追加
In 1598, when Tadateru was 7 years old, Ieyasu met him and said the following.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
慶長3年(1598年)の頃になると秀吉と共に利家も健康の衰えを見せ始めるようになる。例文帳に追加
In 1598 or so, not only Hideyoshi but also Toshiie began to show the decline of health.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
めっき披膜3が成長していくと、絶縁層の上にせり出し、絶縁層開口4が形成される。例文帳に追加
As a plated coating film 3 grows, it is pushed out on the insulated layer to form an insulated layer opening 4. - 特許庁
上記半導体基板1のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板1を成長室3内に保持する。例文帳に追加
The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁
レイアウトフローにおけるCTSの工程が終了した後、各々のCTSについて、CTS最終段バッファからFFまでの最長配線長を調べ、最長配線長の平均値lを求める。例文帳に追加
After the process of CTS in a layout flow is completed(2), longest wiring lengths from a CTS final stage buffer to FF concerning each CTS are inspected(3) and the average l of the lengths is obtained(4). - 特許庁
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「こうえいちょう3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 368件
そして、微粒子集合体3の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置5を微粒子分散液2の側へ移動させることにより、微粒子集合体3の成長端4を微粒子分散液2の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加
By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁
この歪分布が存在する試料表面にInAsを成長させ、露出したInGaAs層3上にInAsを選択的に成長させ、InAs量子細線やInAs量子ドットなどの微細構造を形成する。例文帳に追加
An InAs layer is grown on the surface of the sample, on which this strained distribution exists, an InAs layer is selectively grown on the exposed part of the layer 3 and microstructures, such as InAs quantum fine wires and InAs quantum dots, are formed. - 特許庁
3. 我々の、世界経済の強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組みは、持続力のある成長と我々の共通目標を達成するに当たっての課題に対処するための協働を継続する上での、重要な仕組みである。例文帳に追加
3. Our Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth for the global economy is a key mechanism through which we will continue to work together to address the challenges associated with achieving a durable recovery and our shared objectives.発音を聞く - 財務省
基台2に対して座体3を前後方向に調整移動する為の水平調整手段4を備えていても良い。例文帳に追加
A horizontal adjusting means 4 for adjusting and moving the seat body 3 in the longitudinal direction to the base 2 may also be mounted. - 特許庁
基板1上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてAlを用い、前記ZnTeの成長条件の最適化を行うことによって、1×10^17cm^-3以上の高濃度n型ZnTe層2の成長を行う。例文帳に追加
An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁
オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部(4)および凹部(3)を有する構造化された成長面(2)を備えた成長基板(1)と、 − この成長面(2)にデポジットされるアクティブ層列(5)と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加
The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁
世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3%と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加
From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省
これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
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