An N- silicon wafer is laminated on the surface of an N+ silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハの表面に、Ｎ^−シリコンウェーハを張り合わせる。 - 特許庁

Where N is the number of the serial port, starting from zero.発音を聞く 例文帳に追加

ここで、Nはシリアルポートの番号を示し、この番号は0 から始まります。 - FreeBSD

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

N is the number of cylinders (the number of cylinder bores 24) and n is a natural number.例文帳に追加

また、Ｎは気筒数（シリンダボア２４の数）であり、ｎは自然数である。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt which has a specific structure of a trimethyl(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ammonium salt, bis(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ethylmethyl ammonium salt, N-methyl-N-(pentamethyldisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(heptamethyltrisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(trimethylsilylmethyl)pyrrolidinium salt or the like is used for the ion liquid.例文帳に追加

トリエチル（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）アンモニウム塩、ビス（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）エチルメチルアンモニウム塩、N−メチル−N−（ペンタメチルジシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（トリメチルシリルメチル）ピロリジニウム塩等の特定の構造を有する第４級アンモニウム塩をイオン液体として使用する。 - 特許庁

If it is turned off, then use N cylinders, 64 heads and 32 sectors/track, where N is the capacity of the disk in MB.発音を聞く 例文帳に追加

無効になっている場合、N シリンダ、64 ヘッド、 32セクタ/トラックを使用しますが、 ここで `N' は MB 単位のディスク容量です。 - FreeBSD

The output switch 401 switches each of the inputted serial data LVIN(n) so as to output it as arbitrary output Pout(n).例文帳に追加

出力切り替え器401は、入力されたシリアルデータLVIN(n)のそれぞれを、任意の出力Pout(n)として出力するように切り替える。 - 特許庁

The bactericidal substance is N-(trimethoxypropyl)isothiouronium chloride, N-trimethoxysilylpropyl-N-alkyl-N-methylammonium chloride or N-trimethoxysilylpropyl-N-alkyl-N, N-dimethylammonium chloride.例文帳に追加

殺菌性のある物質は、Ｎ−（トリメトキシルプロピル）イソチオウロニウムクロライト、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ−アルキル−Ｎ−メチルアンモニウムクロライド、又は、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ−アルキル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムクロライドである。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON WAFER AND N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコンウェーハ並びにｎ型多結晶シリコンインゴット及びその製造方法 - 特許庁

The signal receiving device is equipped with N signal receiving blocks (N is an integer of two or above), and receives N sets of serial signals and N clocks having the same number of cycles with the N sets of serial signals.例文帳に追加

本発明の信号受信装置は、Ｎ個の信号受信ブロック（Ｎは２以上の整数）を備え、Ｎ組のシリアル信号とサイクル数がそれぞれ等しいＮ個のクロックとを受信する。 - 特許庁

In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａの上層には、不純物濃度がＮ型領域５ａより高く、Ｎ型領域６，８と同程度のＮ型ドープトポリシリコン膜１１がＮ型領域５ａに接触して形成されている。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

An n-type epitaxial growth layer 2 is formed on an n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^+型シリコン基板１上にＮ型エピタキシャル成長層２が形成されている。 - 特許庁

A threshold voltage of the single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n is set to become larger sequentially.例文帳に追加

単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n の閾値電圧は順次高くなるように設定する。 - 特許庁

An n-conductive carbon nanowall 81 is formed on an n-conductive silicon substrate 80.例文帳に追加

ｎ伝導型シリコン基板８０上に、ｎ伝導型カーボンナノウォール８１を形成した。 - 特許庁

The silicon oxide external region is formed at the upper part of the n-, separation, and n+ regions.例文帳に追加

シリコン酸化物外枠は、ｎ^−領域、分離領域部、そしてｎ^＋領域部の上方に形成される。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

To provide an all light type serial-to-parallel converting circuit in which the degradation of S/N ratios is low.例文帳に追加

S/N劣化の小さい全光型シリアル−パラレル変換回路を提供する。 - 特許庁

The image reader outputs n pieces of copy objects which are replaced as distribution materials to n persons.例文帳に追加

装置は、置換えが行なわれたｎ部のコピー物を、ｎ人の者への配布資料として出力する。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

An n-type pull-out region (sinker) 8 reaching the n+-embedded drain region 2 from the surface of the n-type semiconductor region 3 is provided.例文帳に追加

さらに、ｎ型の半導体領域３の表面から、ｎ^+埋め込みドレイン領域２に達するｎ型の引き出し領域（シンカー）８を有する。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台９に、ｎ＝２以上のｎ相交流電圧を印加する電極１、２、３を設け、ｎ相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

(2) If there are N (N≥3) introduction ports, an angle formed by two of the N introduction ports and the silicon core bars is 160 degrees or more.例文帳に追加

（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

ｎ側電極１３上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成されている。 - 特許庁

The measurement results M1...Mm, N1...Nn of each of these measurement series M, N are each determined in rotation positions where the samples have equal distance from each other.例文帳に追加

これら測定系列（Ｍ，Ｎ）の各々の測定結果（M_1…M_m，N_1…N_n）は、上記試料の互いに等距離な回転位置において各々決定される。 - 特許庁

The silicon substrate 1 contains n-type impurities.例文帳に追加

シリコン基板１はｎ型の不純物を含む。 - 特許庁

However, a bit length of the coefficient Q_HV is N_HV.例文帳に追加

但し量子化係数Ｑ_HVのビット長はＮ_HVである。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 has a boron nitride (B-N) bond.例文帳に追加

前記シリコン窒化膜７は、Ｂ−Ｎ結合を有する。 - 特許庁

N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｎ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

This composition for local anesthesia comprises an N-alkylpipecolic acid-2,6-xylidide (e.g. N-n-propylpipecolic acid-2,6-xylidide being an L-isomer) as an active ingredient and an acidic mucopolysaccharide (e.g. sodium chondroitin sulfate) as a development promoter for anesthetic action.例文帳に追加

有効成分であるN-アルキルピペコリン酸-2,6-キシリダイド（例えばL-異性体であるN-n-プロピルピペコリン酸-2,6-キシリダイドなど）と麻酔作用発現促進剤である酸性ムコ多糖類（例えばコンドロイチン硫酸ナトリウムなど）とを含む局所麻酔用組成物。 - 特許庁

A monomer which emits light in a visible region upon excitation is represented by formula: M^n+(L)^n-(CL)_x, wherein n+ represents a valency of M, and (L) represents anion ligands having a total n- valent of 1 or 2 or more and at least one of the ligands has formula: Ch-X-Y.例文帳に追加

励起によって可視領域で発光する、次の一般式で表されるモノマーであって、(化１)Ｍ^n+（Ｌ）^n-（ＣＬ）_x、ｎ+は、Ｍの価数を表し、（Ｌ）は、１又は２以上の総計ｎ−価を有するアニオンリガンドを表し、前記リガンドの少なくとも１つは次の式を有する。 - 特許庁

A memory cell of (n) bits in which an address is specified for each plurality of (n) bits unit is sectioned for each n/k (k:2 or more), selected successively every n/k bits, output data of the selected memory cell of the n/k are discriminated by sense amplifiers of n/k pieces, and outputted in serial as read-out data.例文帳に追加

複数ｎビット単位でアドレス指定されたｎビットのメモリセルを、ｎ／ｋ（但し、ｋは２以上）ずつに区分して、ｎ／ｋビットずつ順次選択し、選択された前記ｎ／ｋのメモリセルの出力データをｎ／ｋ個のセンスアンプで判定し、読み出しデータとしてシリアルに出力する。 - 特許庁

To provide a method for easily and rapidly obtaining structural information, by identifying the bonding position of a labeling compound within a molecule by MS^n(n>1) analysis, along with enabling MS^n (n>1) analysis of a trace amount of a sample.例文帳に追加

本発明の目的は、微量試料においてもＭＳ^n（ｎ＞１）解析を可能にするとともに、ＭＳ^n（ｎ＞１）解析によって分子中の標識化合物の結合位置を同定することによって簡便、迅速に構造情報を得る方法を提供することである。 - 特許庁

A ratio N(M)/N(Ni) of a total atomic weight N(M) of each element of Co, Cr, Ti, Mn, Zr, Fe and Mg to the atomic weight N(Ni) of Ni contained in the phosphorous compound forming the precipitate is controlled to 0.05 to 30.例文帳に追加

前記析出物を形成するりん化合物中に含まれるＮｉの原子量Ｎ（Ｎｉ）に対する、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｚｒ，ＦｅおよびＭｇの各元素の原子量の合計Ｎ（Ｍ）の比Ｎ／Ｎ（Ｎｉ）が０．０５以上、３０以下とされたものである。 - 特許庁

An N^+-layer 2 is formed on the surface layer of an n-type silicon substrate 3, functioning as a drain region for discharging unwanted charges, and grooves 5 are formed in a forming region for a light-receiving part in the n-type silicon substrate wherein the N^+-layer is formed.例文帳に追加

不要電荷を排出するドレイン領域として機能するｎ型シリコン基板３の表層にＮ^＋層２を形成し、Ｎ^＋層が形成されたｎ型シリコン基板の受光部形成領域に溝部５を形成する。 - 特許庁

An n^- silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。 - 特許庁

To attain a long lifetime of a catalyst using an organometallic complex such as N, N'-bis (salicylidene) ethylene-diamino metal complex or N, N'-mono-8-quinolyl-o-phenylene diamine metal complex.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ビス（サリシリデン）エチレンジアミノ金属錯体あるいはＮ，Ｎ’−モノ−８−キノリル−ｏ−フェニレンジアミン金属錯体等の有機金属錯体を用いた触媒の長寿命化を図る。 - 特許庁

Analysis information change rates r_Ti, r_N of Ti and N constituting the sample 5 are calculated from relation data of an ionization cross section to (energy of a primary electron beam/binding energy).例文帳に追加

（一次電子線のエネルギー/結合エネルギー）に対するイオン化断面積の関係データから試料５を成すTiとNの分析情報変化率ｒ_Ti、ｒ_Nを算出する。 - 特許庁

An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｐ−シリコン基板１とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｎ＋埋め込み拡散領域３が形成され、Ｎ＋埋め込み拡散領域３とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｐ＋埋め込み拡散領域４が形成されている。 - 特許庁