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そうないちょう２ちょうめの英語
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「そうないちょう２ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 400件
一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。例文帳に追加
On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2. - 特許庁
特に、埋め込み層２は、成長障壁層１の凹部Ｄ内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層２内の結晶転位が低減する。例文帳に追加
Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion. - 特許庁
成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加
Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁
また本発明は、２^k階調（ｎ＜ｋ≦２ｎ）の表示が可能である表示装置を用いて、２^n-α階調（０＜α＜２^n、αは自然数）の表示を行う。例文帳に追加
A display device capable of display of 2^k gradations (n<k≤2n) is used to display 2^n-α gradations (0<α<2n where α is a natural number). - 特許庁
表示装置の階調表示において、同一画面内に異なる２種類以上の階調データの上限をもつ画像を表示可能とする。例文帳に追加
Display of the images having the upper limit of ≥2 kinds of different gradation data within the same screen is made possible in the assigning intensity levels of the display device. - 特許庁
エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加
When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁
この気相成長装置１００は、シリコン単結晶基板Ｗを載置するためのサセプタ２を備えている。例文帳に追加
It is provided with a susceptor 2 to place the single crystal silicon substrate W. - 特許庁
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「そうないちょう２ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 400件
半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加
The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁
発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。例文帳に追加
Each LED chip 2 of a light-emitting device 1 is formed using an LED substrate formed by epitaxially growing a light-emitting layer 22 composed of a laminated structure film on the main surface side of a substrate for crystal growth 24. - 特許庁
両ユニット１、２の調湿方向が相反する運転モードにおいては、室内調湿ユニット２による運転を優先させる。例文帳に追加
In the operation mode with the humidity control directions of the two units 1 and 2 being opposite to each other, priority is given to an operation by the indoor humidity control unit 2. - 特許庁
現会長が1961年に創業し、現在は2代目が代表取締役を担っている。例文帳に追加
The current chairman founded the enterprise in 1961and the second generation currently holds the post of president. - 経済産業省
ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加
A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁
自己クローニング法により成長基板７上に形成されたフォトニック結晶積層体９に対して、その成長基板７側と反対側の面に、成長基板７とは別の支持基板２が接合される。例文帳に追加
A photonic crystal laminate 9 is formed on a growth substrate 7 by a self-cloning method, to which another support substrate 2 than the growth substrate 7 is joined to the opposite face of the crystal laminate to the growth substrate 7. - 特許庁
また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。例文帳に追加
The substrate 2 is obtained by a manufacturing method including a step of nitriding the semiconductor growing surface of the substrate 2 in a device which is different from the device used for growing a nitride semiconductor. - 特許庁
浴槽Ｗの底面に設置される腰掛体１の腰掛面１ｃの高さを調節可能な高低調節機構２を備えてなる。例文帳に追加
A height adjusting mechanism 2 capable of adjusting the height of a stool surface 1c of a stool body 1 installed at the bottom surface of a bathtub W is provided. - 特許庁
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