そしりはしりの英語

半導体装置２００は、シリコン基板１１０上に受光素子領域１２０と、回路素子領域１３０と、受光素子領域１２０を除くシリコン基板１１０上に形成された多層配線領域２１０とを有する。例文帳に追加

This semiconductor device 200 includes: a photoreceptive element region 120 on a silicon substrate 110; the circuit element region 130; and a multilayered wiring region 210 formed on the silicon substrate 10 excluding the photoreceptive element region 120. - 特許庁

好ましくは、シリコン層３は、能動素子領域となる主領域を含み、ゲッタリング領域は、シリコン層３のうち、主領域以外の部分に含まれる。例文帳に追加

Preferably, the silicon layer 3 includes a main region that becomes an active element region, and the gettering region is included in a part other than the main region within the silicon layer 3. - 特許庁

トレンチ４の上方には、シリコン酸化膜５ｂが形成され、このシリコン酸化膜５ｂの上に、素子領域に形成された半導体素子の電極メタル６から延引されたフィールドプレート６ａが形成されている。例文帳に追加

A silicon oxide film 5b is formed above the trench 4, and a field plate 6a extending from an electrode metal 6 of a semiconductor element formed in an element region is formed on this silicon oxide film 5b. - 特許庁

この半導体装置は、シリコン基板１と、そのシリコン基板１上に形成されたシリサイド層２と、そのシリサイド層２に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜３からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部７と、シリサイド層２及びフィールド酸化膜３上に形成された層間絶縁膜４と、を有する。例文帳に追加

This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3. - 特許庁

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。例文帳に追加

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12. - 特許庁