Thus, n-type impurity concentration of a capacitor electrode 23 in the n-type decoupling capacitor region 4 is low compared to a conventional case.例文帳に追加

これにより、従来と比較して、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４のキャパシタ電極２３のｎ型不純物濃度が低い。 - 特許庁

Then, a controller 303-R converts the IF up-link digital signal into N sets of up-link channels.例文帳に追加

次に、コントローラ３０３−Ｒで、ＩＦアップリンクディジタル信号をＮ個のアップリンクチャネルに変換する。 - 特許庁

A decoupling capacitance is formed between the N-wells 108 and the embedded P-well 104.例文帳に追加

Ｎウェル１０８と埋込Ｐウェル１０４との間でデカップリング容量が形成される。 - 特許庁

Edge part of the deep N well touches the bottom part of the N well to form an overlap region 24 where charge carriers are not depleted and the N well can be connected electrically with the deep N well or where charge carriers are depleted and the N well can be separated electrically from the deep N well.例文帳に追加

深いＮウェルの縁部は、Ｎウェルの底部と接触してオーバーラップ領域２４を形成するが、このオーバーラップ領域において、電荷担体を空乏化させず、それによって深いＮウェルにＮウェルを電気的に接続することも、電荷担体を空乏化させ、それによって深いＮウェルからＮウェルを電気的に分離することもできる。 - 特許庁

Thereby, a decoupling capacitance C1 connected parallelly with the power source is formed between the P^+-type silicon layer and the N^+-type silicon layer 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

Further, a coupling capacitor element 5a is connected between the input terminal 7 and the N-channel MOS transistor 5b.例文帳に追加

そして入力端子７と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ５ｂとの間には、カップリングコンデンサ素子５ａが接続されている。 - 特許庁

The substrate bias voltage is controlled by capacitor coupling when the n-channel MOS transistor 1 is turned on/off.例文帳に追加

ＮｃｈＭＯＳトランジスタ１がＯＮ／ＯＦＦする時にコンデンサカップリングにより基板バイアス電圧を制御する。 - 特許庁

In the map, the hydraulic control value is set to be smaller as the slip amount N(SLP) gets greater in positive value.例文帳に追加

マップにおいては、スリップ量Ｎ（ＳＬＰ）が正の値で大きくなるほど油圧制御値が小さくなるように設定される。 - 特許庁

By this setup, the decoupling capacitor C1 connected to a power supply in parallel is provided between the p^+-type silicon layer 3 and the n^+-type silicon layers 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

Preferably the aromatic polyamide fiber is a para-type aromatic polyamide fiber, the adhesive component is a silane coupling agent or a thermosetting resin and the fiber-swelling organic solvent comprises one or more kinds selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide and sulfolane.例文帳に追加

さらには、該芳香族ポリアミド繊維が、パラ型芳香族ポリアミド繊維であることや、接着剤成分が、シランカップリング剤または熱硬化性樹脂であること、繊維膨潤性の該有機溶剤が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキサイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルフォランの群から選ばれるいずれか一種以上を含むものであることが好ましい。 - 特許庁

The number of the uplink channels N changes responding to change of the convolutional code rd added to the downlink channel Cd, so, the N is an integer multiple of the variable convolutional code rd.例文帳に追加

アップリンクチャネルＮの数は、ダウンリンクチャネルＣ_ｄに加えられる畳込み符号ｒｄの変化に応じて変化し、したがって、Ｎは、前記可変畳込み符号ｒｄの整数倍数である。 - 特許庁

The thick gate insulating film 7 is interposed between the n-type buried layer 3 and resistance element IR to reduce coupling capacity formed between a substrate 1 (n-type buried layer 3) and the resistance element IR.例文帳に追加

ｎ型埋込み層３と抵抗素子ＩＲとの間に厚いゲート絶縁膜７を介在させることにより、基板１（ｎ型埋込み層３）と抵抗素子ＩＲとの間に形成されるカップリング容量が低減される構造になっている。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device, a gate for the n-type MIS transistor region 3 is implanted in a state where an n-type decoupling capacitor region 4 is covered.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、ｎ型ＭＩＳトランジスタ領域３のためのゲート注入を、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４を覆った状態で行う。 - 特許庁

This pigment for a cosmetic is obtained by coating the surface of a pigment to be subjected to a coating treatment, with 0.5-30 wt.% n- octyltrimethoxysilane or n-octyltriethoxysilane based on the amount of the pigment by a silane coupling reaction.例文帳に追加

被覆処理される顔料の表面をその顔料に対して０．５重量％〜３０重量％のｎ−オクチルトリメトキシシラン、またはｎ−オクチルトリエトキシシランでシランカップリング反応にて被覆する。 - 特許庁

In the transmission system provided with the plurality of stations, each station performs transmission by at least one channel which forms a plurality of uplink channels of N pieces to be transmitted by an uplink information bit rate Ru toward a destination station.例文帳に追加

複数の局を備える伝送システムでは、各局は、宛先局に向けてアップリンク情報ビットレートＲｕで伝送されるＮ個の複数のアップリンクチャネルを形成する少なくとも１つのチャネルで伝送する。 - 特許庁

A p-type top region 62 and an n-type drift layer 24 are adjacent to each other and stretch in parallel with each other, with holes drifting in the top region 62 and electrons drifting in the drift layer 24.例文帳に追加

ｐ型のトップ領域６２とｎ型のドリフト層２４が隣接して並行に伸びており、そのトップ領域６２には正孔が流動し、そのドリフト層２４には電子が流動することを特徴としている。 - 特許庁

The fixing device is provided with members 110, 120 and 130 for forming a nip region N and a pressure member 140 which applies a pressure that is higher than the above-mentioned nip pressure and destroys the surface layer of a toner constituting an unfixed toner image T on the upstream side from the nip region N in the passing direction of a recording sheet P.例文帳に追加

ニップ領域Ｎを形成するニップ領域形成部材１１０，１２０，１３０と、ニップ領域Ｎよりも記録用シートＰの通過方向上流側で未定着トナー像Ｔに、上記ニップ圧よりも高く、未定着トナー像Ｔを構成するトナーの表面層を破壊する圧力を付与する加圧部材１４０とを備える。 - 特許庁

The silane coupling agent used here is one selected from the group consisting, for example, of N-β(aminoethyl)γ- aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ- aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane and N-phenyl-γ- aminopropyltrimethoxysilane.例文帳に追加

ここで用いられるシランカップリング剤は、例えば、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシランおよびＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選ばれたものである。 - 特許庁

The copolymer can be provided by sequentially polymerizing styrene and butadiene, reacting with the coupling agent of Cl4-nMRn type (M=Sn or Si, R = alkyl or aryl base, n is the integer of 0 to 2), and hydrogenating thus obtained copolymer.例文帳に追加

この重合体はスチレンとブタジエンとを逐次的に重合させついでCl_4-nMRn型（Ｍ＝Sn又はSi、Ｒ＝アルキル又はアリール基であり、nは０〜２の整数である）のカップリング剤と反応させついで得られた重合体を水素化することにより得られる。 - 特許庁

The switching hub executes a role of multiplexing the compressed data packet received from the data compressor (50) and the compressed data packet from other network camera and uplinking it from an output port (153) to the adjacent other network camera (an (n+1) th network camera).例文帳に追加

そして、受け取ったデータ圧縮機(50)からの圧縮データパケットと他のネットワークカメラからの圧縮データパケットとをマルチプレクシングして出力ポート(153)から他の隣のネットワークカメラ(第(n+1)番目ネットワークカメラ)にアップリンクする役割を実行する。 - 特許庁

It is further preferable to add to the above-described four components, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, etc., as a coupling agent.例文帳に追加

また、以上の４成分にシランカップリング剤としてβ−（３ ，４ エポキシシクロヘキシル） エチルトリメトキシシラン、Ｎ−β（ アミノエチル） γ− アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（ アミノエチル） γ− アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ− アミノプロピルトリエトキシシランなどを追加するとさらによい。 - 特許庁

The RF coil is used in proximity to the subject for the magnetic resonance imaging includes the number n (n=integer of 2 or more) of unit coils (12-82) which are arrayed across the width of the body of the subject (1) in the range equivalent to the width thereof but not mutually coupled.例文帳に追加

磁気共鳴撮影を行うために撮影の対象に近接して使用されるＲＦコイルであって、対象（１）の体幅に相当する範囲に体幅方向に沿って配列された相互にカップリングしないｎ（ｎは２より大きい整数）個の単位コイル（１２〜８２）を具備する。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display device 1, a coupling signal S0 corresponding to the sum total of outputs of all data signal lines SL1 to SLn is detected by a detection bus line 12 crossing data signal lines SL1 to SLn.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置１において、データ信号線ＳＬ_1 〜ＳＬ_n に交差する検出用バスライン１２によって、全データ信号線ＳＬ_1 〜ＳＬ_n の出力の総和に応じたカップリング信号Ｓ０が検出される。 - 特許庁

The coupling agent is N-β(aminoethyl)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ- aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, or γ-aminopropyltriethoxysilane.例文帳に追加

水溶性アミノシランカップリング剤がＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン及びγ−アミノプロピルトリエトキシシランのいずれかである。 - 特許庁

The coupling agent is preferably N-β(aminoethyl)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ- aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, or γ- aminopropyltriethoxysilane.例文帳に追加

水溶性アミノシラン系カップリング剤は、好ましくはＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン及びγ−アミノプロピルトリエトキシシランのいずれかである - 特許庁

The concentration of a low concentration N-type diffusion layer 14 of a drain electrode 26 that affects the characteristics of N channel high voltage MOS transistor 10 can be increased 50% by generating an overlapping region 36 at the border portion between a gate electrode 22 and the low concentration of N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

ゲート電極２２と、ドレイン電極２６の低濃度Ｎ型拡散層１４との境界部分にオーバーラップ領域３６を設けることで、上記Ｎチャンネル高耐圧ＭＯＳトランジシタ１０の所謂トランジスタ特性に影響のある低濃度Ｎ型拡散層１４の濃度を約５０％増加することができる。 - 特許庁

The method for producing the atenolol includes: a step for coupling chloromethylbenzene with isopropylamine to afford N-benzyl-N-isopropylamine; a step for reacting the N-benzyl-N-isopropylamine with epichlorohydrin; a step for converting the halohydrin to an epoxide; a step for reacting a salt of phenylacetamide with the halohydrin or the epoxide in the presence of a base; and a step for debenzylating the N-benzylated atenolol to afford the racemized atenolol.例文帳に追加

クロロメチルベンゼンをイソプロピルアミンとカップリングして、Ｎ−ベンジル−Ｎ−イソプロピルアミンを生成するステップと、Ｎ−ベンジル−Ｎ−イソプロピルアミンをエピクロロヒドリンと反応させるステップと、塩基の存在下で、ハロヒドリンをエポキシドに変換するステップと、塩基の存在下で、フェニルアセトアミドの塩をハロヒドリンまたはエポキシドと反応させるステップと、Ｎ−ベンジル化アテノロールをラセミ体アテノロールに脱ベンジル化するステップからなるアテノロールの製造方法。 - 特許庁

In a state where an N- or P-type silicon substrate subjected to dopant processing is not subjected to oxidation treatment but subjected to hydrogen termination treatment, surface treatment is performed by a silane coupling reagent to obtain a surface modification semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。 - 特許庁

Thus, depletion easily occurs when voltage is applied to the capacitor electrode 23, and leak current in the n-type decoupling capacitor can be suppressed.例文帳に追加

そのため、キャパシタ電極２３に電圧を印加した場合に空乏化が発生しやすくなり、ｎ型デカップリングコンデンサにおけるリーク電流を抑制することができる。 - 特許庁

A semiconductor device has decoupling capacitance wherein a p-type MOS capacitor C1 and an n-type MOS capacitor C2 are connected in series between VDD and GND.例文帳に追加

半導体装置において、ＶＤＤとＧＮＤの間にＰ型ＭＯＳキャパシタＣ１とＮ型ＭＯＳキャパシタＣ２を直列に接続したデカップリング容量を有する。 - 特許庁

Variation amount ΔVCC of equivalent in power supply voltage in the semiconductor device corresponding to the mounting configuration of the decoupling capacitors C_1-C_n is calculated based on the specified first and second relationships.例文帳に追加

デカップリングコンデンサＣ_１〜Ｃ_ｎの実装形態に対応する半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量ΔＶＣＣは、特定された第１及び第２の関係に基づいて算出される。 - 特許庁

The fixing device 5 melts and fixes an unfixed toner image on a recording material 9 by conveying the recording material 9 while sandwiching it in the nip area N.例文帳に追加

定着装置５は、記録材９をニップ領域Ｎで挟持しながら搬送することにより記録材９上の未定着トナー像を溶融定着させる。 - 特許庁

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁

In the general formulas (1-1) or (1-2), R^3 shows -S-, -N(R^8)- or the like and Z^1 shows an interacting group selected from a silane coupling group or the like.例文帳に追加

一般式（１−１）又は（１−２）中、Ｒ^３は、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^８）−等を表し、Ｚ^１はシランカップリング基等から選択される相互作用性基を表す。 - 特許庁

By using the same n-well (64; 164) for both devices, the integrated circuit chip area required to implement this pin-to-pin protection is much reduced.例文帳に追加

双方のデバイスに対して同じｎウエル（64;164）を使用することによって、このピンからピンへの保護を実施するのに必要な集積回路のチップ領域が非常に減少される。 - 特許庁

The moistureproof insulation coating includes as the essential components (a) a thermoplastic polymer, (b) a silane coupling agent and/or a tackifier, and (c) an n-propyl acetate.例文帳に追加

前記防湿絶縁塗料は、（ａ）熱可塑性ポリマー、（ｂ）シランカップリング剤および／または粘着付与剤、および（ｃ）酢酸ｎ−プロピルを必須成分とする。 - 特許庁

To improve program characteristics and to reduce an area of a memory cell by increasing a coupling ratio of an N+ source layer to a floating gate.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層とフローティングゲートとのカップリング比を高くしてプログラム特性を改善すると共にメモリーセルの面積の縮小化を図る。 - 特許庁

In formula (1), R^1 is 1-8C alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or vinyl group; R^2 is 1-5C alkyl group; and n is 0-2.例文帳に追加

〕で示されるオルガノシラン化合物０〜５０質量部、含フッ素共重合体５０〜２００質量部、及びシランカップリング剤０．１〜５．０質量部を含む塗料組成物。 - 特許庁

In order to couple an object light beam (10) and a reference light beam (9) with an evaluation unit (11), light guide units (23, 25) comprising a large number (N) of optical fibers (24, 26) are provided.例文帳に追加

対象物光線（１０）と参照光線（９）とを評価装置（１１）にカップリングさせるため、多数（Ｎ）の光ファイバー（２４,２６）を備えた光誘導装置（２３,２５）を設ける。 - 特許庁

Further, a second relationship between mounting configuration of the decoupling capacitors C_1-C_n mounted between the semiconductor device 100 and a power source 120 and the maximum operating frequency Fmax of the internal circuit 10 is specified.例文帳に追加

更に、半導体装置１００と電源１２０との間に実装されるデカップリングコンデンサＣ_１〜Ｃ_ｎの実装形態と、内部回路１０の最大動作周波数Ｆｍａｘとの間に存在する第２の関係が特定される。 - 特許庁

A fixing device includes a heat wave reflection member 201 that is provided only at a position opposite to a first passage area L1 of a nip area n, and no heat wave reflection member at a position opposite to a third passage area L3.例文帳に追加

ニップ領域ｎの第１通過領域Ｌ１に対向する位置にのみ熱線反射部材２０１が配置され、第３通過領域Ｌ３に対向する位置には熱線反射部材は設けられていない。 - 特許庁

The guide face 44a is formed so as to incline in the part positioned in the nip area N in the direction of the pressure roller 19 toward the downstream side in the direction of paper conveyance.例文帳に追加

案内面４４ａは、ニップ領域Ｎに位置する部分で用紙搬送方向下流側へ向かうにつれて加圧ローラ１９側に傾斜するように形成される。 - 特許庁

In the second control or later, the control command LUdty is increased by a time gradient of DFFdty to allow the lock-up to proceed during a time 55 when the torque converter slip amount N_err is set value Nth or more.例文帳に追加

制御２回目以降は、トルクコンバータスリップ量Ｎ_err が設定値Ｎｔｈ以上である間（５５）、制御指令ＬＵｄｔｙをＤＦＦｄｔｙの時間勾配で増大させてロックアップを進行させる。 - 特許庁

To provide a disk device of an N-CSS system which is less contaminated by sliding, is not required to be high in the accuracy of parts disposing positions and does not require large lift-up force in unloading.例文帳に追加

摺動による汚染が小さく、部品配設位置精度が高くなくてよく、アンローディング時に大きなリフトアップ力を必要としないＮ‐ＣＳＳ方式のディスク装置を提供する。 - 特許庁