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英和・和英辞典で「ついで n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「ついで n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 142



例文

An n-GaAs layer 102 and an n^+-GaAs layer 109 are successively grown on a semi-insulating GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板101上にn−GaAs層102、次いでn^+−GaAs層109を成長させる。 - 特許庁

Then a laminate structure portion 3 which has a wall surface 8 ranging from the n-type GaN layer 4 to the n-type GaN layer 6 is formed by etching.例文帳に追加

次いで、エッチングにより、n型GaN層4からn型GaN層6に跨る壁面8を有する積層構造部3を形成する。 - 特許庁

Next, the bound recording materials (n and n+1 recording materials) are discharged from the post-processing part 20 onto a paper discharge tray 12.例文帳に追加

次いで、それら綴じられた記録材(n,n+1枚目の記録材)を後処理部20から排紙トレイ12上に排出する。 - 特許庁

After that, a concrete 6 having compressive strength of below 60 N/mm^2 and more than 40 N/mm^2 is cast in the beam form 3.例文帳に追加

次いで、梁型枠3内に圧縮強度40N/mm^2以上60N/mm^2以下のコンクリート6を打設する。 - 特許庁

The reaction is carried out in a polar aprotic solvent selected from pyridine, lutidine, collidine, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide and acetonitrile when reacting the glutamine with a phthaloylation agent to provide N-phthaloylglutamine (IV), and adding a condensation agent to the product to directly convert the N-phthaloylglutamine into the thalidomide (I).例文帳に追加

グルタミンをフタロイル化剤と反応させ、N−フタロイルグルタミン(VI)を得、次いで、縮合剤を添加し、N−フタロイルグルタミンをサリドマイド(I)へ直接転換するに際し、反応を、ピリジン、ルチジン、コリジン、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドおよびアセトニトリルから選択される極性非プロトン性溶媒中で実施する。 - 特許庁

The compound can be converted to a t-leucine-N-substituted amide by the aid of corresponding amine.例文帳に追加

次いで、対応するアミンの助けによってt−ロイシン−N−置換アミドに転化される。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、n型半導体層2004上にp型半導体層2003を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an n^--region 14 can be formed as a portion of the epitaxial growth of the bipolar transistor.例文帳に追加

次いで、n−領域14を、バイポーラのエピタキシャル成長の一部として形成することができる。 - 特許庁

Then the remaining N bodies of characters are automatically selected from a sub-character group.例文帳に追加

次いで、サブキャラクタ群の中から残りのN体のキャラクタが自動選択される。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のn電極NTを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度n型窒化ガリウム層Nが露出するまで電流拡散層D、及びp型窒化ガリウム層Pをエッチングする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor silicon carbide substrate with the buried insulating layer having an n-type impurity layer includes implanting group V ions such as nitrogen ions into a semiconductor silicon carbide substrate with the buried insulating layer to form the n-type impurity layer, and then performing a heat treatment.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、窒素イオン等の5属イオンを注入しn型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなるn型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

ついで、n型半導体基板1およびp型エピタキシャル層3の露出面上にn型エピタキシャル層4をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Then a p-type GaN layer 5 and n-type GaN layer 6 are epitaxially grown on the ZnO film 4.例文帳に追加

ついで、ZnO膜4の上にp型GaN層5とn型GaN層6をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The method for producing the N-vinyl carbamate is to perform a rearrangement reaction of the acryloyl azide to obtain the N-vinylisocyanate which is reacted with an alcohol.例文帳に追加

更に、得られたアクリロイルアジド類を転位反応させてN−ビニルイソシアネート類を得、ついでアルコールと反応させてN−ビニルカルバメート類得る方法。 - 特許庁

The copolymer can be provided by sequentially polymerizing styrene and butadiene, reacting with the coupling agent of Cl4-nMRn type (M=Sn or Si, R = alkyl or aryl base, n is the integer of 0 to 2), and hydrogenating thus obtained copolymer.例文帳に追加

この重合体はスチレンとブタジエンとを逐次的に重合させついでCl_4-nMRn型(M=Sn又はSi、R=アルキル又はアリール基であり、nは0〜2の整数である)のカップリング剤と反応させついで得られた重合体を水素化することにより得られる。 - 特許庁

This transgenic mammalian animal other than human has a transducing gene consisting of a regulator gene functioning at cells of a local position generating a hyperacute rejection and a gene of a human N-acetyl glucosamine-transferase III, or a transducing gene consisting of the above regulating gene, the gene of the human N-glucosamine-transferase III and a gene of a human complement-regulating factor.例文帳に追加

本発明は、超急性拒絶の生じる局所の細胞で機能している調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子からなる導入遺伝子、または当該調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子とヒト補体制御因子の遺伝子からなる導入遺伝子を有するヒト以外のトランスジェニック哺乳動物である。 - 特許庁

The method for purifying the aqueous N-isopropylacrylamide solution comprises dissolving N-isopropylacrylamide containing a polymerization initiator in water and treating the resulting aqueous solution with an adsorbent.例文帳に追加

重合禁止剤を含有するN−イソプロピルアクリルアミドを水に溶解し、次いで該水性溶液を吸着剤で処理することを特徴とするN−イソプロピルアクリルアミド水性溶液の精製方法。 - 特許庁

Subsequently, the ground surface is exposed to proton emission and to two types of laser beams of different wavelengths to form an N^+ first buffer layer 2 and an N second buffer layer 12.例文帳に追加

次いで、この研削された面にプロトンを照射し、異なる波長の2種類のレーザを同時に照射して、N^+第1バッファ層2と、N第2バッファ層12とを形成する。 - 特許庁

Subsequently, a Laplacian pyramid of N (N is an integer of 2 or more) levels is created from the image data, and a Gaussian pyramid is created from the region luminance data.例文帳に追加

次いで、画像データからN(Nは2以上の整数)階層のラプラシアンピラミッドを生成する一方、領域輝度データからガウシアンピラミッドを生成する。 - 特許庁

The respective bank index shows whether a given n-gram exists on any page in the bank or not, and then, an index is given to a page map showing the page location of the n-gram in the bank.例文帳に追加

各バンク索引は更に、所与のnグラムがバンクのページのいずれかに存在するか否かを示し、次いで、バンク内のどのページがnグラムを含むかを更に示すページマップに索引を与える。 - 特許庁

Nextly, while the normal object N to be pulverized is fed onto the rotating pulverization table 22, the pulverization table 22 and the pulverization roller 23 are made to bite the normal object N to be pulverized to perform pulverization.例文帳に追加

次いで,回転する粉砕テーブル22上に通常被粉砕物Nを供給しながら,粉砕テーブル22と粉砕ローラ23との間に通常被粉砕物Nを噛み込ませて粉砕する。 - 特許庁

After selecting N to D, a driver releases a brake pedal to make the brake inoperable (t2), and increases the engine revolution by stepping on an acceleration pedal (t3) for starting a vehicle.例文帳に追加

N→Dセレクト後、運転者はブレーキペダルを釈放してブレーキを非作動にし(t2)、次いでアクセルペダルの踏み込みによりエンジン回転を上昇させて(t3)、車両を発進させる。 - 特許庁

Then the fiber 4 is divided into a plurality of measuring sections B, each having a prescribed length, so that a specific number of points of measurement (1, 2,..., N-1, N, and N+1) is provided at a prescribed measuring pitch in each measuring section.例文帳に追加

次いで、光ファイバ4を所定長さの測定区間Bに複数分割し、各測定区間に所定の測定ピッチとなるように特定の数の測定点(1、2〜N-1、N、N+1)を設ける。 - 特許庁

Next, one section of the bare fiber part h is heated by moving the tip end part n of a burner nozzle in the vicinity of the bare fiber part n to perform the TEC treatment.例文帳に追加

次いでバーナノズル先端部nを裸ファイバ部h近傍へ移動させることにより裸ファイバ部hの局所を加熱してTEC処理を行う。 - 特許庁

A manufacturing method of the diode begins by depositing an Al_xGa_1-xN nucleation layer on a SiC substrate, then an n+GaN buffer layer, an n-GaN layer, an Al_xGa_1-xN barrier layer, and an SiO_2 dielectric layer are deposited.例文帳に追加

ダイオードを製造する方法は、SiC基板上にAl_xGa_1-xN核生成層を付着させることによって開始され、次いでn+GaN緩衝層、n−GaN層、Al_xGa_1-xN障壁層およびSiO_2誘電体層を付着させる。 - 特許庁

Then, a film 22 including a second metal is formed in the N-channel MOSFET formation area 80 and the P-channel MOSFET formation area 82, and the film 22 is removed from the N-channel MOSFET formation area 80.例文帳に追加

次いで、NチャネルMOSFET形成領域80とPチャネルMOSFET形成領域82に第2金属を含む膜22を形成し、NチャネルMOSFET形成領域80から膜22を除去する。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも1種以上を含有する化合物を、下記(1)式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

Namely, linkers link the N and C terminals of the natural type protein by using a genetic engineering technique and then a variant to which new N and C terminals are transferred to the neighborhood of the active site is prepared.例文帳に追加

すなわち、遺伝子工学的手法を用いて天然型蛋白質のN/C末端をリンカーでつなぎ、次いで活性部位近傍に新たなN/C末端を導入した変異体を作製する。 - 特許庁

Then, in each of a plurality of pairs of detection paths, an instruction for the affected detection path is analyzed, and at most N (N≥2) areas of the adjacent affected detection path are identified.例文帳に追加

次いで、前記複数組の検出経路の各々毎に、当該組の影響を受けた検出経路の指示を解析して、隣接する影響を受けた検出経路の最大N(N≧2)の範囲を識別する。 - 特許庁

When the reproducing image selected is a motion picture, the recoded time of the motion picture is checked and the number N of reproducing times is determined corresponding to the recoded time of the motion picture checked and then the motion picture is reproduced by the number N of the reproducing times.例文帳に追加

選択された再生画像が動画像であるときは、動画像の記録時間を判別し、この判別された動画像の記録時間に応じて再生回数Nを決定し、次いで、動画像を決定された再生回数N分再生する。 - 特許庁

Next, the ECU compares the detected torque with the set torque, and determines whether the detected torque exceeds 200 N/m or not (step S8).例文帳に追加

次いで、ECUは、検出トルクと、設定トルクとを比較し、検出トルクが200N・mを超えたか否かを判定する(ステップS8)。 - 特許庁

Thereafter, n-type impurities are introduced to the gate electrodes in the narrow NMOS region 101n and the wide NMOS region 102n.例文帳に追加

次いで、狭幅NMOS領域101n及び広幅NMOS領域102n内のゲート電極にn型不純物を導入する。 - 特許庁

The signals with converted mode have the mode LP_m,_n and then coupled to a second waveguide having different transmission characteristics from those of the first waveguide.例文帳に追加

モードを変換した信号は、モードLP_m_,nを有し、次いで、第1のものとは異なる送信特性を有する第2導波路に結合される。 - 特許庁

A high permittivity film 20 is formed in the N-channel MOSFET formation area 80 and the P-channel MOSFET formation area 82.例文帳に追加

次いで、NチャネルMOSFET形成領域80とPチャネルMOSFET形成領域82に高誘電率膜20を形成する。 - 特許庁

Next, N-methyl-2-pyrolidone is added to the negative electrode material, and they are kneaded to prepare negative mix slurry.例文帳に追加

次いで、この負極材料にN−メチル−2−ピロリドンを添加し、これを混練することにより負極合剤としてのスラリーを作製する。 - 特許庁

An n-type amorphous silicon film 6 is formed on the p-type amorphous silicon film 5 and the i-type amorphous silicon film 4.例文帳に追加

次いで、p型非晶質シリコン膜5およびi型非晶質シリコン膜4上にn型非晶質シリコン膜6を形成する。 - 特許庁

Next, the width of the remaining mask laminated film is narrowed, to expose portions of the n-type semiconductor 22 close to the opening ends of the trenches 25 (second exposed portions).例文帳に追加

次いで、残されたマスク積層膜の幅を狭くして、n型半導体22の、トレンチ25の開口端付近の部分を露出する(第2の露出部)。 - 特許庁

The compound can be produced by reacting 2 mol N(OC2H5)5 with 1-1.1 mol M(OC2H4 OCH3)2, and collecting the product by distillation.例文帳に追加

該化合物は、N(OC_2H_5)_52モルとM(OC_2H_4OCH_3)_21〜1.1モルを反応させ、次いで、蒸留回収することにより製造できる。 - 特許庁

When engine speed N is lower than a lower limit value NL, switching to intake synchronous injection is performed (arrow Z).例文帳に追加

次いで、機関回転数Nが下限値NLよりも低くなると、吸気同期噴射に切り替えられる(矢印Z)。 - 特許庁

After that, the trench is filled in with a semiconductor of which the impurity concentration is lower than the impurity concentration of the n-type main semiconductor layer 1.例文帳に追加

次いで、トレンチをn型主半導体層1の不純物濃度よりも低い不純物濃度の半導体で埋める。 - 特許庁

The blank raw plates 1 are annealed while 6.86-68.6 N/cm^2 load is applied to the blank raw plates 1 in the laminated direction thereof.例文帳に追加

次いで、ブランク素板1に対しその積層方向に1平方センチメートル当たり6.86乃至68.6Nの荷重を印加しながら焼鈍する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer contains an n-type organic compound which has unpaired electrons and can be oxidized and reduced and a p-type organic semiconductor.例文帳に追加

前記光電変換層が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有する。 - 特許庁

Subsequently, a waiting state is maintained until the lapse of a predetermined time; and 1 is added to the memory N every time when a within-predetermined-time temperature changing signal is input.例文帳に追加

次いで所定時間が経過するまで待機し、所定時間内温度変更信号が入力される毎にNに1を加算する。 - 特許庁

例文

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34.例文帳に追加

次いで、熱処理を施して、N型不純物層32及びP型不純物層34の不純物を活性化させる。 - 特許庁

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