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英和・和英辞典で「のろし n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「のろし n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 40



例文

An n-type electrode 13, wherein Ti, Al, Ni and Au are sequentially laminated, is formed on the exposed part of the n-type contact layer 2.例文帳に追加

n型コンタクト層2の露出部分にはTi、Al、Ni及びAuが順次積層されたn型電極13が形成されている。 - 特許庁

An insulating layer covers an exposed surface of the n-type compound semiconductor layer and a side wall of the opening.例文帳に追加

絶縁層がn型化合物半導体層の露出面と開口部の側壁とを覆う。 - 特許庁

The method has a process for roughening up an exposed face of an n^+ type SiC layer 1 and a process for forming an electrode 9 on the roughened up exposed face of the n^+ type SiC layer 1.例文帳に追加

n^+型SiC層1の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたn^+型SiC層1の露出面に電極9を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極53は、溝2の側面6を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域30にショットキー接合J2している。 - 特許庁

Then an n-type electrode 17 is formed on an exposed part of the n-type conductive layer 14, and a p-type electrode 18 is formed on the p-electrode 16.例文帳に追加

そして、n型導電層14の露出した部分上にはn型電極17が形成されるとともに、p型電極16上にはp型電極18が形成されている。 - 特許庁

The silicide layer 12 is a low-resistance region, the second exposed regions 14R of the N^+-diffusion layer 14 are medium-resistance regions, and the exposed region 13R of the N-well 13 is a high-resistance region.例文帳に追加

シリサイド層12は低抵抗領域を、N^+拡散層14の第二露出領域14Rは中抵抗領域を、Nウェル13の露出領域13Rは高抵抗領域をそれぞれ形成している。 - 特許庁

A heat treatment is performed to the back of an n^+ type SiC substrate 10 in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed rear surface of an n-type SiC substrate 10 is cleaned, and a drain electrode 100 is formed.例文帳に追加

n^+型SiC基板10の裏面に、1000℃、1分間の熱処理を真空中で行って、n^+型SiC基板10の露出された裏面表面を清浄化した後、ドレイン電極100を形成する。 - 特許庁

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

ついで、n型半導体基板1およびp型エピタキシャル層3の露出面上にn型エピタキシャル層4をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When covering an exposed portion of lead with copper, radiation with the property of uranium begins to be emitted from the N pole.例文帳に追加

そこで鉛の露出している部分を銅で覆うと、今度はN極からウランの性質を帯びた放射線が放出され始める。 - 特許庁

An anode electrode is formed to cover the exposed portion of the n-type region and the p^+ semiconductor projection 4.例文帳に追加

アノード電極は、上記のn型領域の露出した部分およびp^+半導体凸部4を覆うように形成される。 - 特許庁

Next, the width of the remaining mask laminated film is narrowed, to expose portions of the n-type semiconductor 22 close to the opening ends of the trenches 25 (second exposed portions).例文帳に追加

次いで、残されたマスク積層膜の幅を狭くして、n型半導体22の、トレンチ25の開口端付近の部分を露出する(第2の露出部)。 - 特許庁

The exposed surface of an n^+ Si film 205 is reformed by the surface reforming treatment, and a surface-reformed treatment surface 205a is formed.例文帳に追加

表面改質処理により、n^+Si膜205の露出表面が表面改質され、表面改質処理面205aが形成される。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度N型半導体層202の表面には、N型半導体領域204の表面の一部が露出するように絶縁膜205が形成され、N型半導体領域204の露出部分を覆う第1電極206と、N型半導体基板201の裏面を覆う第2電極207とが形成されている。 - 特許庁

An anode electrode 12 is formed on the exposed part of an N type semiconductor area 14 to one main surface SA of a semiconductor base 11 and a cathode electrode 13 is formed on the exposed part of an N^+ semiconductor area 16 to one main surface SA of the semiconductor base 11.例文帳に追加

N型半導体領域14の半導体基体11の一方の主面SAへの露出部分にアノード電極12を形成し、N^+型コンタクト領域16の半導体基体11の一方の主面SAへの露出部分にカソード電極13を形成する。 - 特許庁

A negative electrode 108 is formed in the exposed section of the top face of the n-type GaN layer 104, and a positive electrode 109 is formed in the exposed section of the p-type GaN layer 106.例文帳に追加

n型GaN層104の上面の露出部には負電極108が形成されており、p型GaN層106の露出部には正電極109が形成されている。 - 特許庁

The efficient manufacture of ^99Mo is conducted by generating ^99Mo through the ^98Mo(n, γ) reaction by irradiating an Mo water solution where an Mo compound is dissolved in water with neutrons in an irradiation capsule placed in the core of a nuclear reactor and recovering the Mo water solution sequentially or batch by batch.例文帳に追加

Mo化合物を水に溶解したMo水溶液を、原子炉の炉心に設置した照射キャプセル中で中性子を照射して^98Mo(n,γ)反応によって^99Moを生成させ、そのMo水溶液を連続的あるいはバッチ的に回収することによって効率的に^99Moを製造する。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド9の目ずれが原因でN−拡散層6の一部がオーバーエッチングされてPウェル1が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりN−拡散層11で覆うため、N−拡散層6とPウェル1との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

A translucent electrode 20 formed of ITO is formed on the polarity inversion layer 16, and an electrode 30 is formed on an exposed surface of the n-contact layer 11.例文帳に追加

極性反転層16の上にはITOから成る透光性電極20が、nコンタクト層11の露出面上には電極30が形成されている。 - 特許庁

A continuous linear isolation trench S is then formed deeper by about 50-70 μm than the exposed surface of an n layer 2 through irradiation with a laser beam having a beam diameter of about 10 μm (Fig. (b)).例文帳に追加

次に、ビーム径約10μmのレーザービームを照射して、n層2の露出面より更に約50μm〜70μm程度深い連続線状の分離溝Sを形成した(図4(b))。 - 特許庁

Since the p-type semiconductor 27 is also grown from the second exposed portions of the n-type semiconductor 22, formation of V-shaped grooves are prevented on the surface of the p-type semiconductor 27.例文帳に追加

また、n型半導体22の第2の露出部からもp型半導体27が成長するので、p型半導体27の表面にV字状の溝が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁

The n-type layer 12 is exposed partially by removing a part of the p-type layer 14 and the light emitting layer 13 from the GaN-based semiconductor layer L by etching, and a negative electrode 15 is formed on the exposed surface.例文帳に追加

GaN系半導体層Lからp型層14と発光層13の一部をエッチング除去することにより、n型層12が部分的に露出しており、その露出面上に負電極15が形成されている。 - 特許庁

The n-type distribution Bragg reflection layer 3 is partially exposed in the vicinity of the laser light reflection face, and an electrode 16 for injecting a current into the reflection layer 3 is formed on the exposed region.例文帳に追加

また、n型分布ブラッグ反射層3は、レーザ光反射面の近傍でその一部が露出しており、その露出した領域上に、分布ブラッグ反射層へ電流を注入するための電極16が形成されている。 - 特許庁

Next, after a sacrificial oxide film is formed in this exposure region and in the interior of the trench 8 by thermal oxidation, n+ impurities are implanted as ions at an angle of 0 degree toward the front layer of the p-base 2 and a bottom part of the trench 8.例文帳に追加

つぎに、熱酸化によりこの露出領域およびトレンチ8内部に犠牲酸化膜を形成した後、 pベース2表層およびトレンチ8底部に向けてn+不純物を0度の角度でイオン注入する。 - 特許庁

In the mirror end face 401, means irregularity at a part where the laminate 12 is exposed is not higher than one half of mean irregularity at a part where the n-GaN substrate 10 is exposed.例文帳に追加

ミラー端面401においては、n−GaN基板10が露出する部分の凹凸平均に比べて積層体12の露出する部分の凹凸平均が1/2以下である。 - 特許庁

Active material coated parts 28 are formed on one sides in a longitudinal direction of the positive electrode plate P and the negative electrode plate N, and active material uncoated parts 27 wherein an aluminum foil 25 and a copper foil 26 are exposed are formed on the other sides.例文帳に追加

正極板P、負極板Nには、長手方向の一側に活物質塗工部28が形成されており、他側にアルミニウム箔25、銅箔26の露出した活物質未塗工部27が形成されている。 - 特許庁

By an RTA apparatus, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed surface of the n-type epitaxial layer 20 is cleaned, and a gate oxide film 50 and a gate electrode 60 are formed.例文帳に追加

RTA装置で、1000℃、1分間の熱処理を真空中で行い、n型エピタキシャル層20の露出された表面を清浄化し、ゲート酸化膜50、ゲート電極60を形成する。 - 特許庁

A first N+ gallium arsenide layer 3 is provided on a germanium substrate 1, an N-type gallium arsenide layer 4 and a second N+ gallium arsenide layer 5 are laminated on this layer 3 in such a way that this layer 3 is exposed, an anode electrode 7 is connected on the exposed part of the above layer 3, and a cathode electrode 6 is connected on the layer 5.例文帳に追加

ゲルマニウム基板1上に、第一のn^+ 型ガリウム砒素層3を設け、この第一のn^+ 型ガリウム砒素層3上に、この第一のn^+ 型ガリウム砒素層3が露出するようにn型ガリウム砒素層4、第二のn^+ 型ガリウム砒素層5を積層して設け、前記第一のn^+ 型ガリウム砒素層3の露出部分にアノード電極7を接続して設けると共に、第二のn^+ 型ガリウム砒素層5上にカソード電極6を接続して設ける。 - 特許庁

Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11).例文帳に追加

逆阻止IGBTのpベース領域3に挟まれたn^- ドリフト領域1の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極10の一部領域をショットキー接触(ショットキー接合11)させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。 - 特許庁

The light emitting element with the bar type structure includes a rod type semiconductor core 11 made of n-type GaN, and a semiconductor layer 12 covering a coating part 11b other than an exposed part of the semiconductor core 11 such that a part of the semiconductor core 11 on one end side is not covered to serve as the exposed part 11a, and made of p-type GaN.例文帳に追加

棒状のn型GaNからなる半導体コア11と、半導体コア11の一端側の部分を覆わないで露出部分11aとするように、半導体コア11の露出部分以外の被覆部分11bを覆うp型GaNからなる半導体層12とを備える。 - 特許庁

During the plasm process, carbon atoms C and/or nitrogen atom N collides with a plurality of exposed surfaces of the nano-sized features 12, and infiltrates from the exposed surfaces to react with the silicon Si, thereby forming the hardened shell 20 made of the silicon carbide, the silicon nitride, or charring silicon nitride.例文帳に追加

プラズマ処理中は炭素原子C及び/又は窒素原子Nが極小形状部12の複数の露出面に衝突してそれらが露出面から浸透し、シリコン(Si)と反応して炭化ケイ素、窒化ケイ素または炭化窒化ケイ素からなる硬化外殻20が形成される。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.例文帳に追加

層間膜80にコンタクトホールを形成し、RTA装置を用いて、1000℃、1分間の熱処理を真空中で行い、n^+型ソース領域40の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極90を形成する。 - 特許庁

On a region of the high-concentration p-type GaN layer 106 which is exposed in an opening 107a formed in the n-type AlGaN layer 107, a gate electrode 112 having an ohmic contact with the high-concentration p-type GaN layer 106 is formed.例文帳に追加

高濃度p型GaN層106におけるn型AlGaN層107に形成された開口部107aからの露出領域の上には、高濃度p型GaN層106とオーミック接触するゲート電極112が形成されている。 - 特許庁

A loading pattern V1 is generated by referring to core loading patterns of K types and burnup maps of fuel displayed one by one on a display unit in the decreasing order of the conformity of the loading patterns N and determinatively recombining the loading patterns of the K types.例文帳に追加

装荷パターンNの適合度の高い順から表示装置に順次表示されるK種類の炉心装荷パターンと燃料の燃焼度マップとを参照し前記K種類の装荷パターンを確定的に組み替えて装荷パターンV1を生成する。 - 特許庁

In a unit LED element, exposed parts 17c, 17d of n-type semiconductor layers 17a, 17b exposed on p-type semiconductor layers 16a, 16b are located on the center part of the p-type semiconductor layers 16a, 16b and connected with a cathode bump electrode 12 formed on a second protection film 13, via negative electrode wiring 19.例文帳に追加

単位LED素子のp型半導体層16a,16bから露出するn型半導体層17a,17bの露出部17c,17dは、p型半導体層16a,16bの中央部にあり、負電極配線19を介して第2保護膜13上に形成されたカソード用バンプ電極12と接続している。 - 特許庁

Further, when the luminance value of the subject is less than a fixed value, the exposure control has a frame rate priority exposure mode wherein the exposure control is performed by varying a gain while an extremely short exposure time is maintained and an S/N priority mode wherein the exposure control is performed by varying the exposure time while a very low gain is maintained.例文帳に追加

さらに、この露出制御には、被写体の輝度値が一定値未満の場合、極力短い露出時間を維持しつつゲインを変化させて露出制御を行うフレームレート優先モードと、極力低いゲインを維持しつつ露出時間を変化させて露出制御を行うS/N比優先モードとを有する。 - 特許庁

Furthermore, potential energy distribution on the surface is uniformized and stable ultrahigh-speed operation is established, by forming a thin layer 2A, where the conductivity is inverted into a first conductive type (p-type), at the exposed surface part of a second conductivity (n-type) of low-concentration semiconductor layer 2 being exposed by narrowing the light absorbing layer 1.例文帳に追加

さらに、光吸収層1を狭幅化するとにより露出する第二の導電型(n型)の低濃度半導体層2の露出表面部分に、その導電型を第一の導電型(p型)に反転させた薄層2Aを形成することにより、該表面上におけあるポテンシャルエネルギー分布を均一化し、安定な超高速動作を可能にする。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のp^+型コンタクト層4上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極5が設けられ、チャネル層3の下側に設けられるn^+型コンタクト層2の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極6が設けられることにより、接合型FETが形成されている。 - 特許庁

例文

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極16及びソース電極17を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素(GaAs)層15aの表面に張り出すような形状に形成して、溝16a及び17aの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのn型ガリウム砒素(GaAs)層13に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

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