ひずみ層の英語

また、基層に生じる最大ひずみを１とすると、導電性層に生じる最大ひずみが０．２以下となっている。例文帳に追加

In addition, assuming that the maximum strain caused in the base layer is 1.0, the maximum strain in the conductive layer is 0.2 or less. - 特許庁

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。例文帳に追加

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13. - 特許庁

トレンチ側壁にひずみ層を有するトレンチ型ＭＯＳゲート素子例文帳に追加

TRENCH TYPE MOS GATE ELEMENT HAVING STRAINED LAYER ON TRENCH SIDE WALL - 特許庁

ひずみセンサ（ひずみゲージ４）を前記樹脂層３ｂに設けて水素吸蔵合金の粒子２ａが水素を吸蔵した際の体積膨張を検知する。例文帳に追加

A distortion sensor (distortion gauge) is provided on the resin layer 3b so as to detect a volume expansion when the particle 2a of the hydrogen storage alloy stores hydrogen. - 特許庁

ひずみ半導体層を具備する半導体装置に関して、ひずみ測定のための好適な構造を提案する。例文帳に追加

To propose a suitable configuration for measuring distortion of a semiconductor device including a distorted semiconductor layer. - 特許庁

さらに、ひずみゲージ回路２０１，２０２の表面は、弾性体材料によってひずみゲージコート層２２１，２２２が形成されている。例文帳に追加

Strain gauge coat layers 221, 222 are formed of an elastic material in the surfaces of the strain gage circuits 201, 202. - 特許庁

金属／ＦＲＰパイプの全体に対して、「金属層の降伏ひずみ（ε^Ｙ_金属）＋金属層の残留ひずみ（ε^Ｔ_金属）」で求められる所定のひずみ値になるまで引っ張り荷重を加え、次いで、除荷する。例文帳に追加

A tensile load is applied to the whole of the metal/FRP pipe until the value of the yield strain (ε^Y_metal) of the metal layer plus the residual strain (ε^T_metal) reaches a predetermined value of strain, and the load is removed. - 特許庁

ひずみＳｉ層の欠陥密度が十分に低く、しかもゲート酸化膜形成前にひずみＳｉ層が残っているような、相反する命題を解決したひずみ半導体ウェーハおよび半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a strain semiconductor wafer that has solved conflicting propositions such that the defect density of a strained-Si layer is very low and the strained-Si layer is left before a gate oxide film is formed and a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁