To provide a cut mark detection device constituted so that a detection signal whose S/N is as high as possible can be obtained regardless of the change of a carrying state in order to suppress the occurrence of such a state that a cut mark is erroneously detected or it is not detected.例文帳に追加

カットマークの誤検出や未検出の発生を抑えるべく搬送状態の変化に関係なくできるだけＳ／Ｎの高い検出信号が得られるカットマーク検出装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁