アバランシェ効果の英語

アバランシェ電界効果トランジスタとその製造方法例文帳に追加

AVALANCHE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

パワーＭＯＳ電界効果トランジスタ等のアバランシェ動作時の電流経路をゲート電極近傍ではないものとして、アバランシェ動作による電気的特性の変動を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with its electric characteristics protected from variation due to avalanche performance by not allowing the avalanche current to pass near the gate electrodes of a power MOS field effect transistor or the like during avalanche performance, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

また、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００にアバランシェダイオード３００を並列に接続して、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００の破壊を防ぐ。例文帳に追加

Further, an avalanche diode 300 is connected in parallel to the insulating gate type field effect transistor 200 to prevent the same transistor 200 from being destroyed. - 特許庁

ＡＰＤ１５Ｂはレンズ３Ｂとライトガイド５Ｂを介して、ＰＤ１５Ａより多くの光束を受光し、アバランシェ効果により電流に変換する。例文帳に追加

An APD 15B receives luminous flux more than the PD 15A via the lens 3B and the light guide 5B and converts it into a current by the avalanche effect. - 特許庁

この光導電体としては、例えばアバランシェ効果による電流増幅機構を有するものがあり、具体的にはｃ−Ｓｉ、ａ−Ｓｅ、又はａ−ＳｉＣ等を用いることができる。例文帳に追加

As for the photoconductor, for example, a photoconductor having a current amplifying a mechanism by the avalanche effect is used, and c-Si, a-Se, a-SiC or the like can be used. - 特許庁

縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。例文帳に追加

To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor. - 特許庁

アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層１４をＩｎＡｌＡｓ層、ＩｎＡｌＮＡｓ層、あるいはＧａＩｎＮＡｓ層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。例文帳に追加

A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation. - 特許庁