アモルファスシリコン素子の英語

アモルファスシリコントランジスタを含む画素回路によって有機ＥＬ素子を駆動する際に、アモルファスシリコントランジスタの閾値がシフトするのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent threshold shift of an amorphous silicon transistor when an organic EL element is driven by means of a pixel circuit containing the amorphous silicon transistor. - 特許庁

この溝４２に、ｉ型アモルファスシリコン層３４、ｎ型アモルファスシリコン層３５及びｎ側電極３６を順次埋め込んで、受光素子アレイを形成する。例文帳に追加

An i-type amorphous silicon layer 34, an n-type amorphous silicon layer 35 and an n-side electrode 36 are buried in the groove 42 one by one, and a photosensitive element array is formed. - 特許庁

素子分離領域の基板１をエッチングして溝５ａを形成する際のマスクとなる窒化シリコン膜３の下部にアモルファスシリコン膜（バッファ膜）１６を設け、素子分離溝の形成後に窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６を除去した際、素子分離溝に埋め込まれた酸化シリコン膜７の表面を窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６の膜厚に相当する分だけ高くする。例文帳に追加

At the lower part of a silicon nitride film 3 that becomes a mask when a substrate 1 of an element separation region is etched for forming a groove 5a, an amorphous silicon film (buffer film) 16 is provided. - 特許庁

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit. - 特許庁

回路基板17上にフォトダイオード素子18を構成するアモルファスシリコン膜35および透明導電膜39を積層する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 35 and a transparent conductive film 39 constituting a photodiode element 18 are laminated on a circuit board 17. - 特許庁

高水素希釈低温プラズマ蒸着によって製造されるアモルファスシリコン系素子の向上せしめられた安定化特性例文帳に追加

IMPROVED STABILIZING PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON SERIES ELEMENT MANUFACTURED BY HIGH HYDROGEN DILUTION LOW TEMPERATURE PLASMA VAPOR DEPOSITION - 特許庁

受光素子として用いられる太陽電池５０は、アモルファスシリコンで形成され、被写体輝度に応じた光電電流を発生する。例文帳に追加

A solar battery 50 used as a photodetector is formed of amorphous silicon and generates a photoelectric current in accordance with subject luminance. - 特許庁

静電破壊保護素子２３はＦＰＣの可撓性基板に覆われており、アモルファスシリコンへの光の照射量を低減することができる。例文帳に追加

The electrostatic discharge protection element 23 is covered with a flexible substrate of the FPC and an irradiation level of the light to the amorphous silicon can be reduced. - 特許庁