イットリウムアルミニウムガーネットの英語

主としてクロムを含有する透光性酸化イットリウムアルミニウムガーネット焼結体であって、可視から赤外域にわたって特異吸収以外での直線透過率が厚さ１mmで８３％以上、特異吸収である波長１０６４nmにおける直線透過率が、厚さ１mmで３０％以上７５％以下である透光性酸化イットリウムアルミニウムガーネット焼結体である。例文帳に追加

The mainly chromium-containing translucent yttrium aluminum oxide garnet sintered compact where the linear transmittance excluding specific absorption is 83% or more at 1 mm thickness in the range from visible to infrared regions and where the linear transmittance in a wavelength of 1,064 nm being the special absorption is 30% or more and 75% or less at 1 mm thickness is provided. - 特許庁

セリウムを含有するイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）の薄板表面に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層が形成されていることを特徴とする蛍光材料。例文帳に追加

In the fluorescent material, a diamond-like carbon (DLC) layer is formed on a surface of a thin plate of yttrium-aluminum-garnet (YAG) containing cerium. - 特許庁

純度９８．０％以上のアルミナ系基材の少なくともプラズマに曝される表面が、イットリウムアルミニウムガーネット層で形成されていることを特徴とする耐プラズマ性部材である。例文帳に追加

The plasma resistant member has an yttrium aluminum garnet layer formed at least on the surface of a ≥98.0% purity alumina based material to be exposed to plasma. - 特許庁

また、アルミナ及びイットリウムアルミニウムガーネット混成系の中間層を介して、アルミナ系基材と表面層と接合することによって機械的特性に優れた部材が得られる。例文帳に追加

The member having excellent mechanical property is obtained by bonding the alumina based base material with the surface layer through an intermediate layer of a mixture of alumina with yttrium aluminum garnet. - 特許庁

耐プラズマ性部材の発明は、実質的にセラミックス系燒結体から成る基材１３と、前記基材１３表面に溶融被覆された厚さ２μｍ以上のイットリウムアルミニウムガーネット層１４とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This plasma resistant member has a base material 13 consisting substantially of a sintered ceramic compact and a yttrium aluminum-garnet layer 14 of ≥2 μm in thickness with which the surface of the base material 13 is melt coasted. - 特許庁

ネオジム添加イットリウムアルミニウムガーネット結晶が元来有する優れた特性を備えるとともに全体の大きさを小型化したレーザー媒質を用いることにより、装置全体の大きさを小型化することができるようにしたレーザー装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser device which can miniaturize the whole device by using a laser medium with excellent properties which neodymium dop yttrium aluminum garnet crystal originally has and reduced size of the whole device. - 特許庁

上記成形体に、ビーム径が２０〜４０μｍ、レーザー媒質がネオジウム変性イットリウム−アルミニウム−ガーネット又はイットリウム−四酸化バナジウムであるレーザー光線を照射して印字するレーザーマーキング方法である。例文帳に追加

The laser marking method comprises irradiating the above molded body with a laser light having a beam diameter of 20-40 μm and emitted from a laser medium of a neodymium-modified yttrium-aluminum-garnet or yttrium-vanadium tetraoxide and performing the printing. - 特許庁

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。例文帳に追加

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4. - 特許庁