エレクトロンビームの英語

真空チャンバ１の天井部には、エレクトロンビームＥＢを発生させるためのエレクトロンビーム照射機構６が設けられている。例文帳に追加

An electron beam irradiating mechanism 6 which generates an electron beam EB is provided to the sealing part of the vacuum chamber 1. - 特許庁

溶接がエレクトロンビーム溶接又はフラッシュバット溶接である。例文帳に追加

Welding is performed by means of electron beam welding or flash butt welding. - 特許庁

真空チャンバ１の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを支持する載置台２が設けられており、真空チャンバ１の天井部には、エレクトロンビームＥＢを発生させるためのエレクトロンビーム照射機構６が設けられている。例文帳に追加

A placing table 2 is provided to hold a semiconductor wafer W as a substrate to be treated in a vacuum chamber 1, and an electron beam irradiation mechanism 6 is provided on the ceiling of the vacuum chamber 1 to produce an electron beam EB. - 特許庁

封着金属の接合部にニッケル箔あるいはニッケル合金箔を押し当て、箔の上から例えばレーザー光線、エレクトロンビームなどの熱源を当て、箔を溶解する。例文帳に追加

Nickel foil or nickel alloy foil is pressed against a joining part of the sealing metal, and a heat source such a laser beam or an electron beam is applied from the upper side of the foil to melt the foil. - 特許庁

載置台２には電極１０が設けられており、載置台２とエレクトロンビーム照射機構６との間には、メッシュ状又は多孔状に構成された中間電極１２が設けられている。例文帳に追加

An electrode 10 is provided on the table 2, and a mesh-like or porous intermediate electrode 12 is provided between the table 2 and the electron beam irradiating mechanism 6. - 特許庁

載置台２は、昇降装置３によって上下動自在とされており、エレクトロンビーム照射機構６と半導体ウエハＷとの距離を、所望の距離に設定可能に構成されている。例文帳に追加

The placing table 2 is vertically and freely movable by means of an elevating device 3, thereby freely setting a distance between the electron beam irradiation mechanism 6 and the semiconductor wafer W. - 特許庁

この状態で、ＥＢユニット２１１から熱板２０４に載置されたウエハＷに対してエレクトロンビームを照射し、絶縁膜材料を発泡させる。例文帳に追加

In this state, the material of an insulating film is foamed by projecting an electron beam upon a wafer W placed on a hot plate 204 from an EB unit 211. - 特許庁