function returns the number of column positions for the wide-character string s, truncated to at most length n.発音を聞く 例文帳に追加

関数は、ワイド文字文字列 s の表現に必要なカラム数を返す。 - JM

Gates of the N transistor N 17 and N transistor N 18 are commonly connected to a column line CL.例文帳に追加

ＮトランジスタＮ１７のゲートおよびＮトランジスタＮ１８のゲートは，カラム線ＣＬに共通接続されている。 - 特許庁

A 16200-bit LDPC code in code length N is written to a mb×N/(mb)-bits unit storage area of memory 31 in a column direction and read out in a row direction.例文帳に追加

符号長Nが16200ビットのLDPC符号が、メモリ３１の、mb×N/(mb)ビットの単位記憶領域のカラム方向に書き込まれ、ロウ方向に読み出される。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

function returns the number of columns needed to represent the wide-character string pointed to by s, but at most n wide characters.発音を聞く 例文帳に追加

関数は、s が指すワイド文字文字列を表現するために必要なカラム数を返す。 - JM

The aromatic polysulfone is dissolved in 1-methYl-2-pyrrolidone and is diluted by N,N-dimethylformamide, and is passed through the N,N- dimethylformamide with N,N-dimethylformamide as an eluent.例文帳に追加

芳香族ポリスルホンを１−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで希釈し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを溶離液としてゲルパーミエーションクロマト分離カラムを通過させる。 - 特許庁

The data set is transformed to generate a partition table of data points where a column includes the fluorescence at cycle (n) and a second column includes the fluorescence at cycle (n+i).例文帳に追加

データセットは、一つのカラムがサイクル（ｎ）のときの蛍光を含み且つ第二のカラムがサイクル（ｎ+ｉ）のときの蛍光を含むデータ点のパーティションテーブルを生成するように変換される。 - 特許庁

n-Hexane is supplied to the upper layer 14 cooled to an ambient temperature, and the n-haxane dissolves the PCBs captured by the first column 10 to flow into the second column 20.例文帳に追加

常温へ冷却した上層１４へｎ−ヘキサンを供給すると、このｎ−ヘキサンは、第一カラム１０において捕捉されているＰＣＢ類を溶解して第二カラム２０へ流れる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in manufacture of SJ-MOSFET by trench filling epitaxial technique, which does not isolate a p-column from a n-type source on a n-column without degrading on-resistance because of a drive diffusion in a n-type source region.例文帳に追加

トレンチ埋め込みエピ方式によるＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの製造において、ｎ型ソース領域のドライブ拡散によりオン抵抗を悪化させることなく、ｐカラムとｎカラム上のｎ型ソース領域を分離させない半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

When the number of bits required for assigning the column address of the memory module is larger than the number of index bits, tag bits following lower N bits are used to assign the column address.例文帳に追加

前記メモリモジュールのカラムアドレスを割り当てるために必要なビットが前記インデックスビットよりも大きいとき、前記下位Ｎビットから続くタグビットは、前記カラムアドレスを割り当てるために用いられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that has a high breakdown-voltage yield by reducing variance in charge balance between an n-type column and a p-type column.例文帳に追加

ｎ型カラムとｐ型カラムのチャージバランスばらつきを低減し、耐圧良品率の高い超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a matching technology which outputs the data coupling tuples of data of which key columns coincide with each other while concealing the coinciding key columns with respect to data recorded in n table storage units.例文帳に追加

ｎ個のテーブル記憶部に記録されたデータに対して、一致するキーカラムを秘匿化しつつキーカラムが一致するデータのタプルを結合したデータを出力するマッチング技術を提供する。 - 特許庁

The PCBs are captured by the alumina 23 in the vicinity of an inlet of the second column 20, the second column 20 is separated thereafter from the first column 10, a hydrophilic solvent is supplied and passed along a direction reverse to a passing direction of the n-hexane, and the extracted liquid is obtained with the PCBs dissolved in the hydrophilic solvent of small amount.例文帳に追加

ＰＣＢ類は、第二カラム２０の入口付近のアルミナ２３により捕捉されるため、第二カラム２０を第一カラム１０から分離し、ｎ−ヘキサンの通過方向とは逆方向に親水性溶媒を第二カラム２０へ供給して通過させると、ＰＣＢ類が少量の親水性溶媒に溶解した抽出液が得られる。 - 特許庁

The column and job names can be provided in ratio of one-to-N so that the user can most intuitively select a name easy to comprehend.例文帳に追加

カラムとその業務名とは１対Ｎで持つことができ、ユーザが最も直感的に分かりやすい名称を選択できるようにした。 - 特許庁

Also, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has an N-type transistor connected to the read column selection signal.例文帳に追加

さらに、リード回路内に、リードカラムセレクション信号に接続されたＮ型トランジスタを有する。 - 特許庁

N memory cells 130 of each column being extended in the column direction of a storage region 126-1 compose one storage section.例文帳に追加

記憶領域１２６_-1のカラム方向に延びる各行のｎ個のメモリセル１３０は、夫々１つの記憶部を構成する。 - 特許庁

To provide an optically active N-PINAP in a simple method without using separation by a column chromatography.例文帳に追加

カラムクロマトグラフィーによる分離を行うことなく簡便な方法によりＮ−ＰＩＮＡＰの光学活性体を提供する。 - 特許庁

The image sensor includes a pixel array with unit pixels N in rows and M in columns, where M and N are a natural number, and data output terminals "dataout" of the unit pixels 100 arranged on first and second column lines 10, 20, which are adjacent to each other, are connected to one common column bus.例文帳に追加

イメージセンサは、単位画素がロー方向にＮ個、カラム方向にＭ個(Ｎ及びＭは自然数)配列され、相互に隣接する第１及び第２カラムライン１０、２０に位置する単位画素１００のデータ出力端子ｄａｔａ ｏｕｔが、１本の共通カラムバスに接続されて構成された画素アレイを備えている。 - 特許庁

An adder 125-1 comprises n addition sections 140_0 to 140_n-1 for carrying out the addition of respective bits of n bits, and the n addition sections 140_0 to 140_n-1 are aligned with the pitch of the column in the memory region 126-1.例文帳に追加

加算器１２５_-1はｎビットのそれぞれのビットの加算を行うためのｎ個の加算部１４０_0〜１４０_n-1からなり、これらｎ個の加算部１４０_0〜１４０_n-1はメモリ領域１２６_-1のカラムのピッチに揃えて配されている。 - 特許庁

When performing table equal coupling processing among database devices 10A, 10B and 10C, N (three in Fig.1) pieces of object column values of the coupling object column of a table A1 are transmitted from the database device 10A to the database devices 10B and 10C (step (b)).例文帳に追加

データベース装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの間で、テーブル等結合処理を行う場合、データベース装置１０Ａから、テーブルＡ１の結合対象カラムのＮ個（図１では３個）の対象カラム値を、データベース装置１０Ｂ，１０Ｃへ送信する（ステップ（ｂ））。 - 特許庁

A semiconductor memory device using a N (N: natural number ≥2) bit prefetch scheme is provided with a serial/parallel converter, parallel/ serial converter, and a column decoder.例文帳に追加

Ｎ（Ｎは２以上の自然数）ビットプリフェッチ方式を使用する半導体メモリ装置は、直列／並列変換器、並列／直列変換器及びカラムデコーダを具備する。 - 特許庁

To provide a method for measuring molecular weight without a risk of damaging a packing in a separation column by a gel permeation chromatography even in the case of aromatic polysulfone that cannot be disssolved easily in N,N-dimethylformamide.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し難い芳香族ポリスルホンであっても、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、分離カラムの充填剤を傷めるおそれなく、分子量を測定し得る方法を提供する。 - 特許庁

A column 1 of a high-speed liquid chromatograph is filled with a material having a gate-type ion exchanger as a substrate represented by (RN^+(CH_3)_2-(CH_2)_n-COO^-) wherein a carboxyl group is introduced.例文帳に追加

高速液体クロマトグラフのカラム１として、カルボキシル基を導入した （ＲＮ^+（ＣＨ_3）_2−（ＣＨ_2）_n−ＣＯＯ^-） で表わされるゲート式イオン交換体を基材に担持して充填したものを使用する。 - 特許庁

After a refining column section 5 is filled up with a filler through gel-filtration and analytical flow passages S_1, S_2,..., S_n are filled up with a matrix for separation, a buffer solution is injected into a sample introducing flow passage 3.例文帳に追加

精製カラム部５にゲル濾過充填剤を充填し、分析流路Ｓ_1，Ｓ_2，…，Ｓ_nに分離用マトリックスを充填し、サンプル導入流路３にバッファー液を注入する。 - 特許庁

Gates of the N transistor 15 and the N transistor 16 are connected, so that a column switch selection signal CSELn is inputted in common.例文帳に追加

ＮトランジスタＮ１５のゲートおよびＮトランジスタＮ１６のゲートは，カラムスイッチ選択信号ＣＳＥＬｎが共通入力されるように接続されている。 - 特許庁

A memory access in an N-bit unit and a memory access switching in a 2N-bit unit are made possible, and when the memory access in the N-bit unit is made, a column system address remains as it is and a row system address is doubly expanded.例文帳に追加

Ｎビット単位でのメモリアクセスと２Ｎビット単位でのメモリアクセスの切り換えを可能し、Ｎビット単位でのメモリアクセスのときには、カラム系アドレスはそのままとしてロウ系アドレスを２倍に拡張する。 - 特許庁

A p-type column layer 13 forming a superjunction structure is formed on the n-type epitaxial layer 12, and a p-type base layer 14 is formed on the column layer 13.例文帳に追加

このｎ型エピタキシャル層１２に、スーパージャンクション構造を形成するｐ型カラム層１３が形成され、ｐ型ベース層１４がこの上部に形成される。 - 特許庁

A column switch circuit CSC1n which connects a pair of bit line BLn/BLnb and a sub-data bus SDBn/SDBnb is constituted of four N transistors N15, N16, N17, N18.例文帳に追加

ビット線対ＢＬｎ／ＢＬｎｂとサブデータバスＳＤＢｎ／ＳＤＢｎｂとを接続するカラムスイッチ回路ＣＳＣ１ｎは，４つのＮトランジスタＮ１５，Ｎ１６，Ｎ１７，Ｎ１８から構成されている。 - 特許庁

When reading image data from work memories 32, 33 consisting of an SDRAM for rotation processing by a block unit of m×n pixels, the access to the SDRAM is made by the burst access of random column system.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭで構成されたワークメモリ３２、３３から回転処理用に画像データをｍ画素×ｎ画素のブロック単位に読み込むとき、ＳＤＲＡＭへのアクセスをランダムカラム方式のバーストアクセスで行なう。 - 特許庁

The voltages to be applied to the columns are chosen in an increasing series of (2^n+1) voltages, distributed in pairs that display the range of grey levels.例文帳に追加

カラムに印加される電圧は、グレーレベルの範囲を表示する２つ１組に配分された（２^ｎ＋１）個の電圧の増加系列の中から選択される。 - 特許庁

This β1,4-galactose transferase specific to N-acetylglucosamine-6- sulfate is obtained by treating a suspension of the large intestine mucous membrane of pig, man or the like with an affinity chromatography using a UDP-hexanolamine sepharose column and an asialo-agalacto-ovomucin column.例文帳に追加

ブタ、ヒト等の大腸粘膜の懸濁液を、ＵＤＰ−ヘキサノールアミンセファロースカラム及びアシアロ−アガラクト−オボムチンセファロースカラムを用いたアフィニティークロマトグラフィーにより処理することにより、Ｎ−アセチルグルコサミン−６−硫酸に特異的に作用するβ１，４−ガラクトース転移酵素を得る。 - 特許庁

Since the latch circuit switches a current, glitch is completely eliminated from the signal to the current switch section by taking a delay time of the row decoder and the column decoder and a clock timing into account and the S/N is improved.例文帳に追加

ラッチ回路により電流をスイッチさせるようにしたので，ロウデコーダ，カラムデコーダの遅延時間と，クロックのタイミングを考慮することにより，電流スイッチ部への信号からグリッチを完全に除去でき，ＳＮ比を改善できる。 - 特許庁

A deblocking filtering method includes at least one or more macroblocks for each and comprises steps of: setting a first to n-th macroblock groups which are adjacent to one another in a column direction; and sequentially performing deblocking filtering on the first through n-th macroblock groups.例文帳に追加

それぞれ少なくとも一つ以上のマクロブロックを備え、カラム方向に隣接して位置する第１ないし第ｎマクロブロックグループを設定するステップと、第１ないし第ｎマクロブロックグループを順次にデブロッキングフィルタリングするステップと、を含むことを特徴とするデブロッキングフィルタリング方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide an N-alkylchitosan derivative that is a polymer material capable of using for a primer for an electroless plating and a carrier for biomedical analysis such as a carrier for affinity chromatography, an ion-exchange resin, a carrier for microbial immobilization and a column carrier for metal recovery, and a method for preparing the N-alkylchitosan derivative.例文帳に追加

無電解メッキ用プライマーやアフィニティークロマトグラフィー担体等の生化学的分析用の担体、イオン交換樹脂、微生物固定用担体、金属回収カラム担体等への適用が可能な高分子材料となりうるＮ−アルキルキトサン誘導体の製造方法とＮ−アルキルキトサン誘導体を提供する - 特許庁

To provide a method for producing an N-alkylchitosan derivative capable of providing a polymeric material applicable to a primer for electroless plating, a carrier for biochemical analysis such as an affinity chromatographic carrier, an ion exchange resin, a carrier for immobilizing a microorganism, a carrier for a metal recovering column, etc., and to obtain the N-alkylchitosan derivative.例文帳に追加

無電解メッキ用プライマーやアフィニティークロマトグラフィー担体等の生化学的分析用の担体、イオン交換樹脂、微生物固定用担体、金属回収カラム担体等への適用が可能な高分子材料となりうるＮ−アルキルキトサン誘導体の製造方法とＮ−アルキルキトサン誘導体を提供する - 特許庁

The source line SL of a memory cell Trm formed in the N well of a memory cell array 11 is connected commonly to a column source line CSL being a source line in a block and a block source source line BSL in common, and is connected to a source line MSL outside the block via a block source select gate BSSG.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１のＮウェルに形成したメモリセルＴｒｍのソース線ＳＬを、ブロック内ソース線であるカラムソース線ＣＳＬおよびブロックソース線ＢＳＬで共通に接続するとともにブロックソースセレクトゲートＢＳＳＧを介してブロック外ソース線ＭＳＬに接続する。 - 特許庁

Data entered from an input data line DIN is written via write selectors WSLC1... and a write bit line WBITI into a memory cell where column select signals CA1.. are at H levels among memory cells CELL (1, n)... of a row selected by write word lines WWL1... .例文帳に追加

ライトワードラインＷＷＬ１…によって選択された行のメモリセルＣＥＬＬ（１，ｎ）…のうち、カラムセレクト信号ＣＡ１…がＨレベルのメモリセルには、入力データラインＤＩＮから入力されたデータがライトセレクタＷＳＬＣ１…およびライトビットラインＷＢＩＴ１を介して書き込まれる。 - 特許庁

The method is accomplished, as a result of researching simple, low cost, and industrially applicable methods of producing N-methylcyclobutylamine, by a finding that the above object can be achieved by producing the same via a synthetic route comprising a reaction process of removing tert-butyloxycarbonyl from tert-butylcyclobutyl(methyl)carbamate without using a waterfree condition and without isolating the resulting product by column chromatography.例文帳に追加

本発明者らは、工業的生産に耐えうる、簡便で安価なN-メチルシクロブチルアミンの製造法について検討し、tert-ブチル シクロブチル(メチル)カルバマートのtert-ブチルオキシカルボニル除去反応の工程を含む合成経路を用いて製造することにより、禁水性条件を使用する必要がなく、カラムクロマトグラフィーによる生成物の単離等を伴うことなく、これらの目的を達することができることを見出し、本発明を完成した。 - 特許庁