ケイ素面の英語

炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method for the silicon carbide sintered body including silicon carbide includes steps of: forming a blending powder including silicon carbide; molding the blending powder in a predetermined form and sintering thereof; and forming a silicon carbide film on the surface of the sintered silicon carbide sintered body by the sputtering method. - 特許庁

含フッ素有機ケイ素化合物及び含フッ素界面活性剤例文帳に追加

FLUORINE-CONTAINING ORGANOSILICON COMPOUND AND FLUORINE-CONTAINING SURFACTANT - 特許庁

ケイ素系重合体の表面処理方法および物品例文帳に追加

SURFACE TREATMENT METHOD OF SILICON POLYMER, AND ARTICLE - 特許庁

炭化ケイ素基板の表面再構成方法例文帳に追加

METHOD FOR RECONSTITUTING SURFACE OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁

ケイ素部品表面のポリッシング加工方法例文帳に追加

POLISHING WORK METHOD OF SILICON PART SURFACE - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板例文帳に追加

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。例文帳に追加

As the silicon carbide substrate, a silicon carbide single crystal wafer obtained by cutting at an off-angle of 0.4-2° from the (0001)c-plane of an α-type (hexagonal) silicon carbide single crystal is used. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。例文帳に追加

The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a process of firing a mixture containing ethyl silicate and phenol resin under an inert atmosphere to extract powder of a silicon source that contains a silicon simple substance generated during the generation of a silicon carbide powder body; and a vapor deposition process of depositing the silicon source to a surface of the silicon carbide sintered compact. - 特許庁