コンチャの英語

ブルートゥース方式によりスレーブ機器と通信を行うマスタ機器及びそのビーコンチャネル形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a master equipment that communicates with slave equipments by Bluetooth method and a method for forming its beacon channel. - 特許庁

スイッチングトランジスタＱ１は、ドライビングトランジスタＱ２に比べてキャリア移動度の低いシリコンチャンネルを有する。例文帳に追加

Silicon channels in the switching transistor Q1 have lower carrier mobility than silicon channels in the driving transistor Q2. - 特許庁

注入および放出に対応した動作は、素子内に提供されるシリコンチャネルの性質によって決定される。例文帳に追加

Operations corresponding to the implantation and injection are determined by the property of a silicon channel provided in the device. - 特許庁

スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。例文帳に追加

A spin injection electrode structure IE includes: a silicon channel layer 12; a first magnesium oxide film 13A provided on a first portion of the silicon channel layer 12; and a first ferromagnetic layer 14A provided on the first magnesium oxide film 13A. - 特許庁

基板の両面にバッファ層１１ａ、１１ｂが形成され、一側のバッファ層１１ａにシリコンチャンネルが形成され、シリコンチャンネル上にはゲート絶縁層１３が形成され、ゲート絶縁層上にはゲート１４が設けられるシリコン薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The silicon thin-film transistor is provided with buffer layers 11a, 11b formed on both surfaces of a substrate, on the buffer layer 11a on one side being arranged a silicon channel, on which is formed a gate insulation layer 13, and on which a gate 14 is provided. - 特許庁

シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7. - 特許庁

第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。例文帳に追加

In the first magnesium oxide film 13A, there partially exists a first lattice matching portion P lattice-matched with both of the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A. - 特許庁

室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。例文帳に追加

To provide a spin injection electrode structure, a spin conduction element, and a spin conduction device capable of performing spin injecting in a silicon channel layer at room temperature. - 特許庁