コールドウォーの英語

パワーオン・リセットのようなコールドスタート状態であることを表すコールド／ウォームスタート信号がコールド／ウォームスタート信号回路１３から与えられると、リセット有効／無効選択回路１４によってリセット信号を有効にして、フラッシュＲＯＭ制御レジスタ２１を初期化し、チューンデータ領域２０ｂに記憶されるチューンデータをフラッシュＲＯＭ制御レジスタ２１にコピーする。例文帳に追加

When a cold/warm start signal indicating a cold start state like a power-on reset is given from a cold/warm start signal circuit 13, a reset signal is validated by a reset validating/invalidating selection circuit 14, and a flash ROM control register 21 is initialized, and chain data stored in a chain data area 20b is copied to the flash ROM control register 21. - 特許庁

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1. - 特許庁

コールドウォール形成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。例文帳に追加

To effectively clean a non-desired film adhered to each part during the film deposition on all the corners of a treatment vessel in a cold-wall type film deposition apparatus. - 特許庁

セルフ・アラインコンタクト用の窒化シリコン膜を成膜する場合に、サイドウォールをコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置で形成し、ＣＶＤ装置のチャンバの内壁温度を３０℃以下にする。例文帳に追加

In the case of forming the silicon nitride film for the self-aligned contact, a side wall is formed by the single wafer type heat CVD system of the cold wall type and the inner wall temperature of the chamber of the CVD system is turned to 30°C or lower. - 特許庁

コールドウォールタイプのチャンバー内にホットウォールタイプのシールドを設け、シールドの内部に反応領域を制限するように構成したことを特徴とする。例文帳に追加

The inside of a cold wall type chamber is provided with a hot wall type shield, and a reaction region at the inside of the shield is limited. - 特許庁

コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。例文帳に追加

To disclose a process adapted for rapid growth of a high-quality group III-V based compound semiconductor in an MOCVD reacting furnace with a cold wall. - 特許庁

真空処理容器内に被処理基板１０を搬入し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法である。例文帳に追加

This substrate mounting method is applied to a semiconductor manufacturing device for performing cold wall vacuum treatment for specific treatment by carrying in a substrate 10 into a vacuum treatment container and then mounting the substrate on a heated or cooled treatment stand 13. - 特許庁

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、ｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor. - 特許庁