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シリコンナイトライドの英語
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英訳・英語 silicon nitride
「シリコンナイトライド」を含む例文一覧
該当件数 : 44件
シリコンナイトライド膜の成膜方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM - 特許庁
シリコンナイトライド膜のエッチング方法例文帳に追加
METHOD FOR ETCHING SILICON NITRIDE FILM - 特許庁
その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること120によって形成される。例文帳に追加
A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer 120. - 特許庁
コンデンサはポリシリコンとシリコンナイトライドでウェハ上に積層形成することができる。例文帳に追加
The capacitor can be formed on the wafer by laminating polysilicon and silicon nitride onto the wafer. - 特許庁
銅の相互接続は、薄い金属-シリコン-ナイトライドのキャップ(108)を伴う遷移金属-ナイトライドバリア(106)を有する。例文帳に追加
Mutual connection of copper includes a transition metal-nitride barrier 106 with a thin metal-silicon-nitride cap 108. - 特許庁
被処理基板上に形成されたシリコンナイトライド膜を、高い安定性の下で、しかも発塵の少ない状態にてエッチングする。例文帳に追加
To etch a silicon nitride film formed on a substrate to be processed with high stability and without producing dust. - 特許庁
第1実施形態として、基板上に形成したシリコン含有固体物質は例えば、シリコンナイトライド層のような薄膜層である。例文帳に追加
In a first embodiment, the solid material containing silicon formed on the substrate is a thin film layer, e.g. such as a silicon nitride layer. - 特許庁
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「シリコンナイトライド」を含む例文一覧
該当件数 : 44件
これらのステップ100、110、120及び130を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。例文帳に追加
By repeating these steps 100, 110, 120 and 130, a silicon nitride layer of a desired thickness is formed. - 特許庁
STI埋め込み層311を堆積する前にトレンチキャッピングナイトライド308及びシリコンナイトライド層320を除去している。例文帳に追加
Before a STI burying layer 311 is deposited, a trench capping nitride 308 and a silicon nitride 320 are eliminated. - 特許庁
被処理基板3上に形成されたシリコンナイトライド膜12を除去するためのエッチング方法である。例文帳に追加
This etching method is used to remove a silicon nitride film 12 on a substrate 3 to be processed. - 特許庁
次に、シリコンナイトライド膜20よりも屈折率の低い、例えばシリコン酸化膜22を形成し(d)、表面を平坦化する(e)。例文帳に追加
Next, for example, a silicon oxidized film 22 having a refractive index lower than the refractive index of the silicon nitride film 20 is formed (d) to flatten the surface (e). - 特許庁
シリコンナイトライド膜12とシリコン基板1との間に配置される酸化膜10をゲート酸化膜の方向に向かって後退させ、シリコンナイトライド膜12のシリコン基板1に対する応力集中をシリコン基板1の角部から移動させる。例文帳に追加
The oxide film 10 disposed between a silicon nitride film 12 and the silicon substrate 1 is backed toward the direction of a gate oxide film, and stress concentration on the silicon substrate 1 of the silicon nitride film 12 is moved from a corner of the silicon substrate 1. - 特許庁
減圧下で加熱されたシリコンウェハ表面に原料ガスを供給し熱分解によりシリコンウェハ表面にシリコンナイトライド薄膜を形成するにあたり、シリコンナイトライド薄膜形成用の処理ガスに水素ガスを添加する。例文帳に追加
In the formation of the silicon nitride thin film onto the surface of the silicon wafer by the supply of a material gas to the surface of the silicon wafer heated in a reduced pressure atmosphere and by thermal decomposition, a hydrogen gas is added to a processing gas for forming the silicon nitride thin film. - 特許庁
フッ素原子を含むガスと、酸素ガスと、窒素ガスと、水素原子及びフッ素原子が結合したガスとを混合したガスから成るプロセスガスを用いたドライエッチングによってシリコンナイトライド膜12を除去する。例文帳に追加
A mixed gas made of oxygen gas, nitrogen gas, and gas combining hydrogen atoms and fluorine atoms is used as a process gas, so that the silicon nitride film 12 is removed by dry etching. - 特許庁
太陽電池ウエハ上にパッシベーション膜として形成されたシリコンナイトライド膜または酸化チタン膜にYAGレーザーを照射して、前記パッシベーション膜を部分的に除去する。例文帳に追加
The passivation film is removed partially by irradiating a YAG laser on a silicon nitride film or titanium oxide film which is formed on the solar battery as a passivation film. - 特許庁
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