シリコン制御整流素子の英語

横方向シリコン制御整流素子及びこれを備えるＥＳＤ保護素子例文帳に追加

LATERAL-DIRECTION SILICON CONTROL RECTIFYING ELEMENT, AND ESD PROTECTION ELEMENT EQUIPPED WITH THE SAME - 特許庁

該点弧角の下限値に基づいて位相制御器３２において前記シリコン制御整流素子の点弧角を制御する。例文帳に追加

Based on the lower limit value of the ignition angle, the ignition angle of the silicon control rectifying element is controlled by a phase controller 32. - 特許庁

ソレノイド・コイル３４の付勢は、シリコン制御整流器のような適当なスイッチング素子によって制御する。例文帳に追加

Activation of a solenoid coil 34 is controlled with an adequate switching element such as a silicon control rectifier. - 特許庁

（ロ）Ｓ点から固定抵抗Ｒａ（１２）→シリコン制御整流素子ＳＣＲ（１４）アノードＡ，カソードＫ→ＡＣ２を直列に接続しておく。例文帳に追加

(II) From S point to a fixed resistor Ra (12)- a silicon control rectifying element SCR (14) anode A, cathode B- AC 2 are connected in series. - 特許庁

保持電圧を高くすること、及び小型化の両方を実現出来る横方向シリコン制御整流素子及びこれを備えるＥＳＤ保護素子を提供する。例文帳に追加

To provide a lateral-direction silicon control rectifying element which can be made high in hold voltage and also made compact, and to provide an ESD protection element equipped with the same. - 特許庁

トリガ電圧を低下させ、高密度の集積回路で信頼性ある静電放電保護特性を得られる半導体装置、具体的にはシリコン制御整流素子（ＳＣＲ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device ensuring reliable electrostatic discharge protection characteristics in a high density integrated circuit by lowering the trigger voltage, more specifically a silicon controlled rectifier element(SCR). - 特許庁

図４の回路図のように（イ）ＡＣ１→温度ヒューズＴＦ（１０）→電流ヒューズＩＦ（９）→二次線（３）→シリコン制御整流素子ＳＣＲ（１４）のアノードＡ、カソードＫ→一次線（２）→ＡＣ２を直列に接続する。例文帳に追加

An AC1, a temperature fuse TF(10), a current fuse IF(9), a secondary wire (3). the anode A and cathode K of a silicon controlled rectifier SCR(14), and a primary wire (2) are connected in series in this order, as shown in the circuit diagram of the figure 4. - 特許庁