スパッタリング比の英語

スパッタリング時におけるパーティクルの発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成することが可能であり、かつ高密度で低コストのタングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density, low-cost tungsten sputtering target capable of reducing the occurrence of particles at the time of sputtering and also capable of depositing a sputter film having low resistivity, and its manufacturing method. - 特許庁

得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いて、スパッタリング法を行うことで、表面が平滑で、かつ、比抵抗の小さい透明導電性薄膜を得ることができる。例文帳に追加

The transparent electrically conductive thin film having the high surface smoothness and the low specific resistance can be obtained by a sputtering method using the obtained oxide sintered compact as the sputtering target. - 特許庁

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。例文帳に追加

In the tungsten sputtering target, a crystal orientation ratio (110)/(200) of crystal surfaces (110) and (200) found by X-ray diffraction of a surface to be sputtered is 0.1 to 6.5. - 特許庁

誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣスパッタリング法に用いるターゲット材料の比抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲットから形成されることが好ましい。例文帳に追加

The dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are preferably formed from targets for sputtering whose target materials used for the DC sputtering method have ≤10 Ωcm specific resistance value. - 特許庁

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。例文帳に追加

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering. - 特許庁

磁気記録媒体の信号雑音比が向上され及び面記録密度が増強された記録層を得る為のスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットから形成された磁気記録媒体の記録材料を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target that improves signal-noise ratio of a magnetic recording medium and obtains a recording layer in which surface recording density is increased, and to provide a recording material of the magnetic recording medium formed from the sputtering target. - 特許庁

ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを提供すること。例文帳に追加

To provide a CoCrPt-based sputtering target which has enhanced homogeneity as a target and suppresses the occurrence of nodule or arcing and has a target composition ratio by reducing the size and amount of generation of high chromium content particles containing chromium atoms at high concentration and unevenly distributed in the CoCrPt sputtering target. - 特許庁

半導体基板上に、スパッタリング法でアルミニウム合金からなる膜を形成する際、スパッタリング成膜中のアルゴンガス中に含有する窒素および酸素の、スパッタリングガス全体に対する分圧比が各々約５１ｐｐｍ以下、約１１ｐｐｍ以下になるように制御して、アルミニウム合金からなる膜を形成する。例文帳に追加

When a film of aluminum alloy is formed on a semiconductor substrate by a sputtering process, partial pressure ratios of nitrogen and oxygen included in an argon gas during the sputtering film formation to the entire sputtering gas are controlled to be about 51 ppm or less and about 11 ppm or less respectively to thereby form a film of aluminum alloy. - 特許庁