タクトをとるの英語

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、埋め込みプラグを介して層間絶縁膜上の金属配線と半導体とのコンタクトを取る。例文帳に追加

A contact hole is formed on the inter-layer insulating film, and a metal wire on the inter-layer insulation film and a semiconductor are brought into contact through a buried plug. - 特許庁

セレクトトランジスタのコンタクトを取るために別途必要とされるコンタクトホール形成工程をなくし、製造工程の簡略化を図る。例文帳に追加

To simplify manufacturing steps by eliminating the contact hole forming step, which is separately needed for making contact with select transistors. - 特許庁

そのため、コンタクト層の製膜面積を大きく取ることができ、コンタクト層と表面電極の位置あわせ精度を緩和することが可能となる。例文帳に追加

Therefore, the film formation area of the contact layer can be made large, and the aligning precision can be relaxed between the contact layer and the surface electrode. - 特許庁

コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting diode capable of easily making ohmic contact between a contact layer and a transparent electrode. - 特許庁

導電層を自己整合的に形成する場合において、第１の拡散層コンタクトプラグのコンタクトマージンを比較的大きく取る。例文帳に追加

To make a contact margin of a first diffusion layer contact plug relatively large when a conductive layer is formed in a self-alignment manner. - 特許庁

前記コンタクト領域は、ソース領域を貫いたトレンチを前記トレンチＭＯＳ構造に対して垂直に形成し、側壁部でソースコンタクトを底部でｐウエルのコンタクトをとる。例文帳に追加

The contact region contacts a source on a sidewall part and contacts a p-well on a bottom part by forming the trench penetrating a source region vertically to the trench MOS structure. - 特許庁

アースコンタクト16を本体15に取り付ける際、整合設定部64によってアースコンタクト16の整合調整部76をセンターコンタクト12との整合位置に弾性変形させ、整合をとる。例文帳に追加

When the ground contact is installed on the main body 15, the matching adjustment part 76 of the ground contact 16 is elastically deformed in the matching position with the center contact 12 by the matching setting part 64 and matching is made. - 特許庁

ソース用コンタクトホール内及びその周辺部であるソースセルの内部には基板電位をとるためのボディコンタクト領域が設けられずにソースセルの外部においてボディコンタクト領域１４が設けられ、ボディコンタクト領域１４から、ソース電極とは別の電極１５が延設されている。例文帳に追加

In neither the contact hole for a source nor a source cell at its peripheral part, a body contact region to be at the substrate potential is provided, a body contact region 14 is provided outside the source cell, and another electrode 15 is extended from the source electrode. - 特許庁