タンタル膜陽極酸化の英語

その後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する陽極酸化工程と、絶縁層１４ｘに水素を導入する水素添加アニール工程とを交互に複数回行う。例文帳に追加

Thereafter, an anodic oxidation step for forming an insulating layer 14x composed of an oxidation film by anodizing the surface of the lower electrode 13x, and a hydrogenation annealing step for introducing hydrogen to the insulating layer 14x are performed a plurality of times alternately. - 特許庁

前記陽極が、イリジウム酸化物と、白金、タンタル、チタン及びニオブから選ばれた金属又は金属酸化物とからなる被覆を設けた不溶性電極であること、陽極と陰極との間に隔膜として中性膜あるいはイオン交換膜を設けることが好ましい。例文帳に追加

The anode is preferably an insoluble electrode provided with a covering formed of iridium oxide and a metal or a metal oxide selected among platinum, tantalum, titanium and niobium, and a neutral membrane or an ion-exchange membrane is preferably provided between the anode and the cathode. - 特許庁

第一の金属膜をなすタンタル膜合金膜を、アルコール溶媒の化成液で陽極酸化し絶縁膜中の元素比を調整することで電圧−電流特性の急峻性の大きなＭＩＭ型非線形素子を提供する。例文帳に追加

A tantalum film alloy film for composing a first metal film is subjected to anodic oxidation in the formation liquid of an alcohol solvent for adjusting element ratio in an insulating film, thus providing an MI-type non-linear element with the sharp voltage-current characteristics. - 特許庁

絶縁層１上にスパッタリングにより窒化タンタル薄膜２を形成する際、窒化タンタルの膜厚方向に対して窒素濃度が変動するように所定の時間ごとにスパッタリングガス中の窒素分圧を変更して窒素濃度の異なる３層の窒化タンタル膜１１〜１３を形成し、これを陽極酸化することにより酸化膜を形成し、誘電体とする。例文帳に追加

When a tantalum nitride thin film 2 is formed on an insulation layer through sputtering, partial pressure of nitrogen in a sputtering gas is changed at a prescribed interval of time, so that the concentration of nitrogen varies in the film-thickness direction of the tantalum nitride, and three layers of tantalum films 11 to 13 are formed, and they are anodized to form an oxide film as a dielectric body. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

Upon manufacturing a nonlinear element 10x, after a lower electrode 13x is formed from a nitrogen-containing tantalum film, the surface of the lower electrode 13x is anodized to form an insulating layer 14x. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen and then an insulating layer 14x is formed by anodizing the surface of the lower electrode 13x. - 特許庁

陽極酸化皮膜層と導電性ポリマー層との同時生成が可能で、優れた容量出現率が得られるタンタル固体電解コンデンサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a tantalum solid electrolytic capacitor, in which an anodically oxidized coating film and a conductive polymer layer can be formed simultaneously, and from which a superior capacitance appearance ratio can be obtained, can be manufactured. - 特許庁

本発明は、２元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜、特に窒化タンタル薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、加熱による漏れ電流の増大を防ぎ、かつ一定の静電容量を確保し、かつ下部電極の電気抵抗を低く抑えた、高品質・高信頼性の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a thin-film capacitor which is high in quality and reliability and can prevent increase in leakage current due to heating, ensure constant electrostatic capacity and reduce electrical resistance in a lower electrode, and its manufacturing method, by forming a conductor thin film which is made mainly of two elements and can be anodized, especially a tantalum nitride thin film and anodizing it thereafter. - 特許庁