テルル原子の英語

ロジウム塩及びテルル塩並びに錯化剤を含有する溶液を還元剤と接触させるとともに、錯化剤として硫黄原子及び／又は窒素原子を含む有機化合物を用いる。例文帳に追加

A solution containing a rhodium salt, a tellurium salt and a complexing agent is brought into contact with a reducing agent and an organic compound containing a sulfur atom and/or a nitrogen atom is used as a complexing agent. - 特許庁

次の一般式（１）、または、次の一般式（２）、（式中、Ｘ^1〜Ｘ^4はそれぞれ独立にセレン原子またはテルル原子である）で表されるベンゾジカルコゲノフェン誘導体である。例文帳に追加

The benzodichalcogenophene derivative is expressed by general formula (1) or general formula (2) (X^1 to X^4 are each independently selenium atom or tellurium atom). - 特許庁

シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。例文帳に追加

The present invention is a process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using the process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as the source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process. - 特許庁

原子番号５７のランタン(Ｌａ)から原子番号６３のユウロピウム(Ｅｕ)までの少なくとも一種と、酸素(Ｏ)、硫黄(Ｓ)、セレン(Ｓｅ)およびテルル(Ｔｅ)の少なくとも一種とを含むＸ線発光蛍光体をシンチレータ層に用いる。例文帳に追加

The X-ray emission phosphor containing one kind of element in the range from lanthanum (La) having the atomic number 57 to europium (Eu) having the atomic number 63, and at least one kind of element selected from oxygen (O), sulfur (S), selenium (Se) and tellurium (Te) is used for the scintillator layer. - 特許庁

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition. - 特許庁

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はテルルを（Ｔｅ）を最も多く含む層を有する抵抗変化層２２と、アルミニウム（Ａｌ）を２７．７原子％以上４７．４原子％以下の範囲内で含有するイオン源層２１とを有する。例文帳に追加

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%. - 特許庁

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。例文帳に追加

In the process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. - 特許庁