METHOD FOR PRODUCING N,N,N',N'-TETRAARYLBENZIDINE DERIVATIVE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン誘導体の製造方法 - 特許庁

N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL例文帳に追加

ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁

N,N,N',N'-TETRAKIS(2-PYRIDYLMETHYL)ETHYLENEDIAMINE DERIVATIVE, AND INTERMEDIATE THEREOF例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ピリジルメチル）エチレンジアミン誘導体およびその中間体 - 特許庁

N,N,N',N'-TETRAKIS(2-PYRAZINYLMETHYL)ETHYLENEDIAMINE DERIVATIVE, AND INTERMEDIATE THEREOF例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ピラジニルメチル）エチレンジアミン誘導体およびその中間体 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N,N,N',N'-TETRAKIS(AMINO-SUBSTITUTED ARYL)DIAMINOAROMATIC COMPOUND例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（アミノ置換アリール）ジアミノ芳香族化合物の製造方法 - 特許庁

To provide a method for producing an N,N,N',N'-tetraarylbenzidine derivative in a good efficiency.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン誘導体を効率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

The relation between an intra prediction residual BD_Intra(n) and a gain G_Intra(n) is that the G_Intra(n) becomes a maximum value when the BD_Intra(n) is a minimum value of 0, and the G_Intra(n) becomes a minimum value of 0 when the BD_Intra(n) is a maximum value.例文帳に追加

イントラ予測残差BD_Intra(n)とゲインG_Intra(n)との関係は、BD_Intra(n)が最小値０のときG_Intra(n)は最大値、BD_Intra(n)が最大値のときG_Intraは最小値０となる。 - 特許庁

N,N,N',N'-[4,4',4",4'''-TETRAKIS(N,N-DIARYLAMINO)PHENYL]-1,4- DIAMINOBENZENE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−｛４，４’，４’’，４’’’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）フェニル｝−１，４−ジアミノベンゼン類およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method of regenerating in a high yield and recovering N,N,N',N'-tetramethylazodicarboxamide which is used as Mitsunobu reaction reagent from the N,N,N',N'-tetramethylhydrazinodicarboxamide after a reaction at mild conditions.例文帳に追加

光延反応試薬として用いられるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルアゾジカルボキサミドを、温和な条件で反応後のＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヒドラジノジカルボキサミドより高収率で再生・回収する方法を提供する。 - 特許庁

Gates of the N transistor N 17 and N transistor N 18 are commonly connected to a column line CL.例文帳に追加

ＮトランジスタＮ１７のゲートおよびＮトランジスタＮ１８のゲートは，カラム線ＣＬに共通接続されている。 - 特許庁

The pre-charge drive circuits 51-5q are formed in a cross region, and constituted of (n) channel MOS transistors NM1 and (n) channel MOS transistors NM2.例文帳に追加

プリチャージドライブ回路51〜5qは、クロス領域に形成され、nチャネル型のMOSトランジスタNM1と、nチャネル型のMOSトランジスタNM2とで構成されている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N,N'-DISUBSTITUTED 1,4- DIAMINOANTHRAQUINONE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ′−二置換された１，４−ジアミノアントラキノンの製造方法 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte containing electrolyte includes at least one compound selected from a group consisting of 1,4- diazabicyclo[2,2,2]octane, N,N-dialkylpiperazine, and N,N,N,N-tetraalkyl ethylenediamine.例文帳に追加

電解質を含有する非水電解液において1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、N,N−ジアルキルピペラジン、及びN,N,N,N−テトラアルキルエチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物をさらに含有することを特徴とする非水電解液。 - 特許庁

N-(1,1,2,2-Tetrachloroethylthio)-1,2,3,6-tetrahydrophthalimide; N-(1,1,2,2-Tetrachloroethylthio)-3a,4,7,7a-tetrahydrophthalimide (alias Captafol)発音を聞く 例文帳に追加

Ｎ－（一・一・二・二－テトラクロロエチルチオ）－一・二・三・六－テトラヒドロフタルイミド（別名キャプタフォル） - 日本法令外国語訳データベースシステム

An N transistor Q4 and an N transistor Q5 constitute a current mirror circuit.例文帳に追加

ＮトランジスタＱ４とＮトランジスタＱ５は、カレントミラー回路を構成する。 - 特許庁

An N transistor Q1 and an N transistor Q2 constitute a current mirror circuit.例文帳に追加

ＮトランジスタＱ１とＮトランジスタＱ２は、カレントミラー回路を構成する。 - 特許庁

n-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE n-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｎチャネル型薄膜トランジスタ、ｎチャネル型薄膜トランジスタの製造方法および表示装置 - 特許庁

The first transistor and the second transistor are connected in series between the n-th bit line and the (n+1)th bit line.例文帳に追加

前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターは、ｎ番目のビットラインとｎ＋１番目のビットラインとの間に直列に連結される。 - 特許庁

This composition contains a compound containing an amine selected from the group consisting of N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylene diamine, N,N,N',N'-tetrakis(2-hdroxyethyl)ethylene diamine, N,N,N',N'-tetramethylethylene diamine, tris[2-(isopropylamine)ethylamine] represented by the figure, etc., or their cosmetically permissible salts, and a sensation blocking agent.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、および下記トリス［２−（イソプロピルアミン）エチルアミンなどからなる群より選択されるアミン含有化合物またはそれらの美容的に許容可能な塩と、感覚遮断薬とを含む組成物。 - 特許庁

The transistor is an enhancement type n-channel type transistor.例文帳に追加

トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。 - 特許庁

P-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR, N-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタ、Ｎ型薄膜トランジスタ及び半導体装置 - 特許庁

Also, the transistor is constituted of an N-channel transistor.例文帳に追加

また、上記トランジスタをＮチャネル型トランジスタで構成されている。 - 特許庁

TETRA-n-BUTYLAMMONIUM BROMIDE HYDRATE-BASED HEAT STORAGE MATERIAL例文帳に追加

臭化テトラｎ−ブチルアンモニウム水和物系蓄熱材 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING N-MYRISTOYL TRANSFERASE ACTIVITY例文帳に追加

Ｎ−ミリストイルトランスフェラーゼ活性の測定方法 - 特許庁

COCCULAURINE-N-METHYL TRANSFERASE例文帳に追加

コクラウリン−Ｎ−メチルトランスフェラーゼ - 特許庁

An N-type TR N5 also turns on.例文帳に追加

また、Ｎ型トランジスタＮ５もオン状態となる。 - 特許庁

To improve an S/N in spread spectrum communication.例文帳に追加

スペクトラム拡散通信において、Ｓ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

n-TYPE AND HETERO-JUNCTION ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ｎ型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ - 特許庁

N-TYPE THIN FILM TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｎ型薄膜トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

Triply arrayed n-type MOS transistors are composed similarly.例文帳に追加

Ｎ型の３連のＭＯＳトランジスタも同様に構成する。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

The transistor has n- and p-type embodiments.例文帳に追加

本トランジスタはｎ型及びｐ型実施形態を有する。 - 特許庁

The driving method includes: turning on gate lines on the N-th row; closing a switch, so that charges of gate lines on two rows are neutralized and a gate ON voltage of gate lines on the N-th row is reduced to a secondary ON voltage for gates; and turning off gate lines on the N-th row.例文帳に追加

駆動方法は、N行目のゲートラインをオンさせ、スイッチをターンオンして、二つの行のゲートラインでの電荷が中和されて、N行目のゲートラインでのゲートオン電圧をゲート第2レベルオン電圧に引き下げ、N行目のゲートラインをオフさせる。 - 特許庁

If it is turned off, then use N cylinders, 64 heads and 32 sectors/track, where N is the capacity of the disk in MB.発音を聞く 例文帳に追加

無効になっている場合、N シリンダ、64 ヘッド、 32セクタ/トラックを使用しますが、 ここで `N' は MB 単位のディスク容量です。 - FreeBSD

Ink used in the inkjet recording system comprises tetraazacycloalkane-N, N', N'', N'''-tetraacetic acid as a metal ion scavenger.例文帳に追加

インクジェット記録システムは、使用するインクがテトラアザシクロアルカン‐Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ'''‐四酢酸を金属イオン捕捉剤として含む。 - 特許庁

EXTRACTANT, EXTRACTING SEPARATION METHOD, N,N,N',N'-TETRAKIS(2-METHYLPYRIDYL)ETHYLENEDIAMINE DERIVATIVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

抽出剤及び抽出分離方法、並びにＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−テトラキス（２−メチルピリジル）エチレンジアミン誘導体及びその製造方法 - 特許庁

CRYSTAL TRANSFORMATION OF N,N,N',N'-TETRAKIS(2,4,6- TRIMETHYLBENZYL)-3,6-DIAMINO-2,5-PYRAZINEDICARBONITRILE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２，４，６−トリメチルベンジル）−３，６−ジアミノ−２，５−ピラジンジカルボニトリルの結晶変態 - 特許庁

The compound of the general formula II includes N,N,N',N'-tetrakis(4-biphenyl)-1,4- phenylenediamine of formula 27.例文帳に追加

一般式ＩＩの化合物の例として式２７のＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−１、４−フェニレンジアミンが挙げられる。 - 特許庁

N,N,N',N'-TETRAOCTYL-3-METHYLIMINODIGLYCOL AMIDE COMPOUND AND COMPLEXING EXTRACTANT OF SPECIFIC METAL COMPRISING THE COMPOUND例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’—テトラオクチルー３−メチルイミノジグリコールアミド化合物及びその化合物からなる特定金属の錯形成抽出剤 - 特許庁

TMDGA(N, N, N', N'-tetramethyl-1,3-oxapentanediamide), one of DGA compounds, is provided as a complexing agent.例文帳に追加

錯形成剤として、ＤＧＡ化合物の一つである、ＴＭＤＧＡ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−オキサペンタンジアミド）を開発した。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N,N,N',N'-TETRASUBSTITUTED AMINIDIUM SALT, DIAMINOCARBENE, AND TRANSITION METAL COMPLEX COORDINATED WITH THE SAME例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ置換アミジニウム塩、ジアミノカルベンおよびジアミノカルベン配位遷移金属錯体の合成方法 - 特許庁

BACK EXTRACTION METHOD OF Am (III) AND Pu (IV) IN ORGANIC SOLVENT INTO NITRIC ACID BY N, N, N', N'-TETRAMETHYLDIGLYCOLAMIDE (TMDGA) COMPOUND例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジグリコールアミド（ＴＭＤＧＡ）化合物により有機溶媒中のＡｍ（ＩＩＩ），Ｐｕ（ＩＶ）を硝酸溶液に逆抽出する方法 - 特許庁

By the magnetic head unit 200, each magnetic track Tr_1-Tr_n is scanned, so that waveform data Wf_1-Wf_n is obtained.例文帳に追加

磁気ヘッド部２００によって各磁気トラックＴｒ_1〜Ｔｒ_nを走査し波形データＷｆ_1〜Ｗｆ_nを取得する。 - 特許庁

To house N+M (N, M>0) multiplexed transmission lines and to prevent the degradation of packet abandonment characteristics even when the flow of packet traffic is biased.例文帳に追加

N＋M（N，M＞0）重化された伝送路を収容し、かつパケットトラヒックの流れが偏ってもパケット廃棄特性が劣化しないようにする。 - 特許庁