ドリフト面の英語

絶縁性基板１１の一表面側に電子のドリフトする強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成される。例文帳に追加

A strong electric field drift layer 6 whereon electrons drift is formed on one surface of the insulated board 11 while a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト部６に注入された電子は、強電界ドリフト部６内を表面に向かってドリフトし表面電極７をトンネルして放出される。例文帳に追加

The electrons injected in the strong electrostatic drift region 6 and originated from the n-type silicon substrate are drifted in a strong electrostatic drift region 6 toward surface and are tunneled through the surface electrode 7 to be emitted. - 特許庁

強電界ドリフト部６は、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の厚み方向に直交する断面が網目状に形成され上記電子がドリフトするドリフト部６１と、網目の中に満たされたドリフト部６１よりも熱伝導性の良い放熱部６２とからなる。例文帳に追加

The strong electric field drift part 6 consists of a drift part 61 for the electron to drift on it while having a mesh cross section perpendicular to the thickness direction of the n-type silicon substrate 1 of a conductive substrate, and a heat radiating part 62 having higher heat conductivity than the drift part 61 filled in the mesh. - 特許庁

強電界ドリフト層６が、下部電極１２と表面電極７との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子がドリフトするドリフト部を構成している。例文帳に追加

The strong field drift layer 6 forms a drift part where an electron is drifted by an electric field acting when a voltage is applied between the lower electrode 12 and the surface electrode 7. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし金薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7. - 特許庁

Ｎ＋型ドレイン領域としてのシリコン基板２１の一主面上にＮ型第１高抵抗ドリフト層２２が配置され、第１高抵抗ドリフト層２２上にＮ−型第２高抵抗ドリフト層２３が配置されている。例文帳に追加

An N- type first high resistance drift layer 22 is arranged on one face of a silicon substrate 21 as an N+ type drain area, and an N- type second high resistance drift layer 23 is arranged on the first high resistance drift layer 22. - 特許庁

計測器ドリフト検知装置において、ドリフト判定の対象とする計測器の一覧を提示する表示画面、各計測器のドリフト判定に適用可能なドリフト判定モデルを提示する表示画面およびこのドリフト判定モデルを実行するプログラムに適用可能なパラメータを提示する表示画面を出力するＨＭＩ手段１６を備えるようにした。例文帳に追加

This gauge drift detection device is provided with an HMI (Human Machine Interface) means 16 for outputting a display picture for presenting the list of drift determination object gauges, a display picture for presenting a drift determination model applicable to the drift determination of each gauge and a display picture for presenting a parameter applicable to a program for executing the drift determination model. - 特許庁