バイアスひずみの英語

ケース１内に、バイアス磁界発生用磁石３、４を接合した超磁歪素子２を収容する。例文帳に追加

A super-magnetic distortion element 2 uniting bias magnetic field generating magnets 3 and 4 is accommodated in a case 1. - 特許庁

磁歪材１と、磁歪材１にバイアス磁界を印加する永久磁石３と、電磁変換を行うコイル２とを備える。例文帳に追加

The magnetostrictive element is provided with the magnetostrictive material 1, the permanent magnet 3 for applying a bias magnetic field to the magnetostrictive material 1, and a coil 2 for carrying out electromagnetic conversion. - 特許庁

バイアス電圧制御回路１５０は、バイアス電圧印加器１０５が外部光変調器１１０に印加するバイアス電圧を、外部光変調器１１０から出力される光信号に生じる二次歪の量が最小となるように制御する。例文帳に追加

A bias voltage control circuit 150 controls the bias voltage that a bias application unit 105 applies to the external optical modulator 110 so that the quantity of secondary distortion that is generated at the light signal outputted from the external modulator 110 becomes minimum. - 特許庁

そして、この低周波２次歪成分を低周波増幅器１６で増幅し、移相器１７で位相調整した後、多段高周波増幅器１３の最終段のゲート或いはベースバイアスにバイアス回路によって印加されるバイアス電圧に対して注入する。例文帳に追加

The low-frequency secondary distortion component is then amplified by a low-frequency amplifier 16 and after its phase is adjusted by a phase shifter 17, this component is injected into a bias voltage that is applied to a gate of the final stage of the multi-stage high-frequency amplifier 13 or to a base bias by a bias circuit. - 特許庁

入力端子１から出力端子２への信号路に直列に接続したダイオード９、ダイオード９へのバイアス端子３、バイアス阻止用キャパシタ4、５、バイアス短絡用インダクタ６、ＲＦ短絡用キャパシタ７、バイアス端子３と信号路との間に直列に接続した抵抗８を備えた歪補償回路を構成する。例文帳に追加

The distortion compensation circuit is provided with a diode 9 that is connected in series with a signal path from an input terminal 1 to an output terminal 2, a bias terminal 3 leading to the diode 9, bias blocking capacitors 4, 5, bias short-circuiting inductor 6, an RF short-circuit capacitor 7, and a resistor 8 connected in series between the bias terminal 3 and the signal path. - 特許庁

その結果、歪補償回路により歪みを抑制しながら、かつ低いバイアス信号レベルでの増幅動作が可能となる。例文帳に追加

As a result, the amplification is attained with the low bias signal level while suppressing distortion by the distortion compensation circuit. - 特許庁

大信号入力時に歪特性及び飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流Ｉｃ４を得る。例文帳に追加

To obtain a sufficient collector bias current Ic4, while suppressing the deterioration of the distortion characteristics and saturation characteristics when inputting a large signal. - 特許庁

バイアス磁界発生源を設けることなく機能することのできる磁歪素子及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetostriction element capable of functioning without providing a biased magnetic field generation source, and to provide its production method. - 特許庁