バイアス温度処理の英語

そして、信号処理部１６により、温度検出部２１により検出した温度に応じて、バイアスマグネット１４によって再生時に光磁気ディスク１に対して印加するバイアス磁界を設定する。例文帳に追加

The bias magnetic field to be impressed to the magneto-optical disk 1 in reproducing by a bias magnet 14 is set by a signal processing section 16 according to the temperature detected by the temperature detecting section 21. - 特許庁

パワーアンプのベースの電流に、温度変化および処理において直線性を維持する制御回路（３５５）によりバイアスをかける。例文帳に追加

Bias is applied to a base current of a power amplifier by a control circuit (355) which maintains linearity against temperature changes or processing. - 特許庁

処理容器内にプラズマを生成し、処理容器内に収容されたサセプターに載置された基板２１と処理容器の側壁との間にバイアスの電界を形成することによりプラズマを制御し、基板２１の中心部の温度を周縁部の温度よりも高くして基板に対し処理を行う。例文帳に追加

The processing of the substrate is carried out in a plasma processing vessel in which a plasma is generated and controlled by a bias electric field between the substrate 21 mounted on the susceptor contained in the processing vessel and the side wall of the vessel to make higher the temperature at the center of the substrate 21 than that of the periphery. - 特許庁

蒸着処理を、窒素及び／又はメタンの存在下、バイアス電圧５０Ｖ以下、且つ成膜時の処理温度３００℃以下の条件によるイオンプレーティング法で行う。例文帳に追加

The depositing treatment is performed by ion plating conditioned under the existence of nitrogen and/or methane, at a bias voltage of 50 V or lower and at a treatment temperature of 300°C or lower during coating. - 特許庁

高周波アプリケーションにおいて用いられるＨＢＴパワーアンプトランジスタのバイアスを制御する方法であって、温度変化や処理に対して安定性を有する方法が必要である。例文帳に追加

To provide a method for controlling bias of an HBT power amplifier transistor which is used in high frequency application and stable against temperature changes or processing. - 特許庁

また、センサ素子１１にバイアス電圧が与えられると、センサ素子１１からセンサ素子１１の抵抗値に応じた温度測定信号が出力され、信号処理部４１で増幅される。例文帳に追加

When a bias voltage is applied to the sensor element 11, the temperature measurement signal matching the resistance value of the sensor element 11 is output from the sensor element 11 and amplified by the signal processing unit 41. - 特許庁

温度分布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製膜処理をすることができるトレイレス斜め基板搬送装置を提供する。例文帳に追加

To offer a tray-less and oblique type of substrate transporting equipment which enables a uniform film forming treatment over a large-size substrate without a temperature distribution and a bias distribution. - 特許庁