バンド内遷移の英語

プラズモン励起は、高速電子のバンド内遷移を伴わない。例文帳に追加

Plasmon excitation does not involve interband transitions of the fast electron.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

ここで、基底サブバンドは、約２００ｍｅＶといった広いバンド幅を有しているため、ｎ＝２のサブバンドから基底サブバンドへと遷移した電子は、基底サブバンド内の低エネルギー領域へと極めて短い時間のうちに移動する。例文帳に追加

Since the base subband has a wide-band width of about 200 meV, the electrons which shift from the subband of n=2 to the base subband move to a low-energy region in the base subband in a very short time. - 特許庁

結晶中の高エネルギーのブロッホ波状態にある電子は、放射量子の同時放出によって低エネルギーのブロッホ状態にある電子に遷移する。この過程は、高速電子のバンド内遷移を必要とする。例文帳に追加

An electron in a high-energy Bloch wave state in a crystal makes a transition to one of lower energy with the simultaneous emission of a quantum of radiation. This necessitates an interband transition of the fast electron.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

ＱＣレーザーのカーレンズモード同期は、サブバンド内レーザー遷移に起因する屈折率の非線型性によって実現される。例文帳に追加

A Kerr lens mode synchronization of QC laser is realized by nonlinearity in refractive index caused by laser transition is subband. - 特許庁

これによって、保護層１５（１）は、バンドギャップＥｇが小さく、従来のＭｇＯ単体からなる保護層に比べて、Ｖ．Ｂ．、Ｃ．Ｂ．およびバンドギャップ内に存在する電子の放電空間２４への遷移確率が変化する。例文帳に追加

Thereby, in the protective layer 15(1), a band gap Eg is small and a probability of transition to a discharge space 24 of electrons present in the V.B., the C.B. and the band gap varies as compared with a conventional protective layer formed of a MgO simple body. - 特許庁

画像の間引きによる多段階の動きベクトル検出の際は、各段階毎の画像データメモリを持つか、各段階時にデータ更新をしなければならず、前者では内部メモリ容量の増大、後者では外部メモリから内部メモリへの画像データ転送回数が増えるために、データ転送に係るバンド幅の逼迫、データ遷移による消費電力の増加につながる。例文帳に追加

To provide a circuit for employing block matching to detect a motion vector that prevents a memory capacity used for detecting the motion vector or the number of data transfer times from being increased in each of multi- stages caused by interleaving data. - 特許庁

第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁