パイライト型化合物の英語

カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも、高いエネルギー変換効率を提供できる光起電力素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photovoltaic element capable of offering high energy conversion efficiency even in an optical absorption layer formed from a compound having a chalcopyrite type crystal structure. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、基板にほぼ格子整合し、カルコパイライト型の結晶構造を有する磁性半導体層１４とを有している。例文帳に追加

The optical circuit device has a substrate 10 which consists of a group III-V compound semiconductor and a magnetic semiconductor layer 14 which is formed on the substrate, is nearly lattice matched with the substrate and has a crystalline structure of a chalcopyrite type. - 特許庁

カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも良好に加工でき、歩留まりを向上できる光起電力素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photovoltaic element that allows even an optical absorption layer formed from a compound having a chalcopyrite type crystal structure to be processed appropriately, and can improve yields. - 特許庁

鉄／鉄化合物からパイライト型結晶構造を有する二硫化鉄へと硫化処理させるプロセスであり、密閉容器内において、水蒸気と硫黄を含む混合ガスと、該鉄／鉄化合物を気相中で接触させながら加熱して反応させることを特徴とする硫化処理方法である。例文帳に追加

In this sulfiding treatment method which is a process for performing sulfiding treatment from iron/iron compound into iron disulfide having a pyrite type crystal structure, mixed gas containing steam and sulfur is brought into contact with the iron/iron compound in a gas phase, and simultaneously heated and reacted together in a sealed container. - 特許庁

本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、２種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。例文帳に追加

The half-metallic antiferromagnetic material is a compound having a crystal structure of nickel arsenic type, sphalerite type, wurtzide type, chalcopyrite type, or lock salt type, and is comprised of two or more types of magnetic elements and chalcogens or pnictogens. - 特許庁

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction. - 特許庁

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。例文帳に追加

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110. - 特許庁

ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。例文帳に追加

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by the compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on the surface of a glass substrate 110. - 特許庁