ビアラの英語

コア基板１上に乱反射加工を施したビアランド２ｂを形成し、基材上に樹脂層１０を形成した後、樹脂層にレーザーを照射することによりビアランドに至るビアホール１１を形成する。例文帳に追加

After a via land 2b subjected to irregular reflection machining is formed on a core substrate 1 and a resin layer 10 is formed on a base material, a via hole 11 reaching a via land is formed by applying laser beams to the resin layer. - 特許庁

ビアランドパット径をより小さくし、配線溝幅もより狭くした微細配線を得るための、ビアランドパットや回路配線の上面を平坦にすることができる技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technique capable of flattening the upper faces of a via land pad and/or circuit wiring for obtaining fine wiring in which via land pad size is reduced, and wiring groove width is made narrower. - 特許庁

配線層ビアランドから引き出された配線の断線を防止することができる半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a break in a wire drawn out from a wiring layer via land can be prevented. - 特許庁

ビアとビアランドとの接続信頼性を向上させるとともに、微細配線化の容易な多層配線基板の製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method for manufacturing a multilayer interconnection board for facilitating fine wiring while improving connection reliability between a via and a via hole. - 特許庁

このとき、ビアランド２ｂでレーザーをビアホールの内壁に向かって乱反射させることにより、ビアホール１１の底部を拡径させる。例文帳に追加

In this case, by irregularly reflecting laser beams toward the inner wall of the via hole by the via land 2b, the bottom section of the via hole 11 is expanded radially. - 特許庁

また、制御部１１は、部品の総ピン数と、最小ビアランド径と、基板面積との関係式を作成する。例文帳に追加

In addition, the control part 11 prepares a relational expression among the total number of pins, the minimum via land diameter and the circuit board area of the components. - 特許庁

配線層ビアランドからの配線の引き出し方向と半導体チップの対角線の延長線との角度は２０°以上である。例文帳に追加

An angle formed between the draw-out direction of the wiring from the wiring layer via land and the extension line of the diagonal line of the semiconductor chip is 20 degrees or more. - 特許庁

拡径部１１ａを含むビアホール１１内に導電性ペースト１２を充填してビアランド２ｂと導通させる。例文帳に追加

A conductive paste 12 is filled into the via hole 11 including a radially enlarged section 11a to make continuity with the via land 2b. - 特許庁