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フェルミエネルギーの英語
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英訳・英語 Fermi energy
「フェルミエネルギー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
保護膜中に、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の層を斜めに積層することにより、長時間使用により保護膜表面が削れても、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料が常に表出するので、放電開始電圧低下の効果を維持できる。例文帳に追加
Layers of a material having higher Fermi energy than that of a metal or magnesium oxide are laminated diagonally in a protection membrane, so that even if a surface of the protection membrane is removed due to long use, the material having higher Fermi energy than that of a metal or magnesium oxide is always exposed to outside to maintain the effect of discharge start voltage drop. - 特許庁
第２の結晶体１５Ｂは、島状金属材料、酸化マグネシウムより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁材料、酸化マグネシウムより高いフェルミエネルギーを持つ半導体材料の少なくとも一つで構成する。例文帳に追加
The second crystal 15B is formed of at least one of island-shaped metal material, insulating material having higher Fermi energy than the magnesium oxide, and semiconductor material having higher Fermi energy than the magnesium oxide. - 特許庁
金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の設置による放電開始電圧低下の効果が、長時間使用によりなくなってしまうこと。例文帳に追加
To solve a problem in which effect of discharge start voltage drop obtained by provision of a material having higher Fermi energy than that of a metal or magnesium oxide is deteriorated when used for a long period of time. - 特許庁
電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加
A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it. - 特許庁
電界放出では、フェルミエネルギー近くの電子波はポテンシャル障壁で反射されるが、電子波の振幅ψの指数関数的な減少を伴いながら障壁の中に浸透する。例文帳に追加
In field emission, electron waves near the Fermi energy are reflected at the potential barrier but penetrate with an exponential decrease of their amplitude ψ into the barrier. 発音を聞く - 科学技術論文動詞集
イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。例文帳に追加
To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method. - 特許庁
バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。例文帳に追加
In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated. - 特許庁
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フェルミエネルギー
フェルミエネルギー
「フェルミエネルギー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
ここで、調整背面電極層１２は、少なくとも光吸収層１３と接触する部位の材料が、その仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいものに選定されている。例文帳に追加
Hereupon, in the adjustment back-face electrode layer 12, the work function of the material of its portion contacted at least with the light absorbing layer 13 is so selected as to be made equal to or larger than the Fermi energy of the material of the light absorbing layer. - 特許庁
半導体−電極界面、および、半導体−ゲート絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに電極および絶縁膜の表面修飾だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。例文帳に追加
Only surface modifications of an electrode and an insulating film are selectively changed, without changing TFT materials, by using a mathematical expression values of differences in Fermi energy on a semiconductor-electrode interface and a semiconductor-gate insulator interface to actualize n-type and p-type TFTs. - 特許庁
半導体−電極界面、および、半導体−絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに上薬だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。例文帳に追加
An expression giving a magnitude of difference in Fermi energy between on a semiconductor-electrode interface and on a semiconductor-insulator interface is used and only a cover coat is selectively changed while a TFT material is not changed, thereby achieving n-type and p-type TFTs. - 特許庁
ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位とｐ型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差は、約１ｅＶ以下である。例文帳に追加
Energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the Fermi energy level of the conductive layer is about 2 eV or lower, and energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the HOMO energy level of the p-type organic layer is about 1 eV or lower. - 特許庁
電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。例文帳に追加
When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer. - 特許庁
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