フォトファブリケーションの英語

フォトレジスト組成物は、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。例文帳に追加

A photoresist composition is especially useful for chemical amplification type photoresist compositions, and can suitably be used for wide uses such as fine processing of semiconductors, liquid crystals, the production of circuit boards for thermal heads and the like, and other photofabrication processes. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, having high sensitivity and small density dependence and ensuring slight surface roughening in etching. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、露光マージンに優れ、現像欠陥の発生数が軽減ざれたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition, which is suitably used in microphoto fabrication using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam and has excellent exposure margin and in which the generation of development defects is reduced. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which is suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and which has high sensitivity and small density dependency and is less liable to surface roughening in etching. - 特許庁

遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、ブリッジマージンが良好なネガ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To solve problems relating to a technique for improving performances in microphotofabrication using far UV light, in particular, ArF excimer laser light at a wavelength of 193 nm, and more specifically, to provide a negative resist composition having a good bridge margin. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが少なく、エッジラフネスが良好で、ＳＥＭ観察時シュリンクが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which can be suitably used for microphotofabrication using far-UV rays, and particularly ArF excimer laser light and which causes little roughening of the surface during etching and shows preferable edge roughness and little shrinkage during observation by an SEM. - 特許庁

遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、感度、パターン形状、パターン倒れに優れたネガ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To solve the problem in a technique for improving the performance of microphotofabrication using far ultraviolet ray light, particularly, ArF excimer laser having wavelength of 193 nm, more specifically, to provide a negative resist composition excellent in sensitivity, pattern shape and pattern collapse. - 特許庁

超ＬＳＩや高容量マイクロチップ製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ＰＥＢ温度依存性が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition suitable for use in an ultramicro-lithographic process for manufacturing VLSI or a high capacity microchip and in another photofabrication process, and having improved PEB temperature dependency, and to provide a pattern forming method using the same. - 特許庁