プラグ埋めの英語

配線コンタクト部の形成における埋め込みプラグの形成について、導電性材料を用いて埋め込みプラグを形成し、埋め込みプラグの導電性によって走査型電子顕微鏡による埋め込み高さの検査を可能とする。例文帳に追加

As for formation of a buried plug in formation of a wiring contact part, a buried plug is formed by using a conductive material and inspection of burying height by means of a scanning electron microscope is made possible by electrical conductivity of the buried plug. - 特許庁

障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。例文帳に追加

The opening including the barrier layer is filled to form a metal plug. - 特許庁

プラグ形成配線膜をコンタクトホールに埋め込み形成する。例文帳に追加

A plug forming wiring film 5 is then formed by embedding into the contact holes 4. - 特許庁

これらの開口２２、開口２４および開口２６中には、それぞれ、コンタクトプラグ３２、コンタクトプラグ３４およびコンタクトプラグ３６が埋め込まれている。例文帳に追加

These openings 22, 24 and 26 are filled, respectively, with contact plugs 32, 34 and 36. - 特許庁

ビアホールをプラグで埋め込む際、安定した状態でプラグを埋め込み、プラグ抵抗のバラツキを少なくすると共に、歩留まりを向上せしめた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device of a structure, wherein, when a via hole is buried with a plug, the plug is filled in the via hole in a stable state and with variations in the resistance of the plug lessened, the yield of the manufacture of the device is raised. - 特許庁

埋め込み特性に優れたプラグを有し、しかもプラグの酸化を防止することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a plug superior in embedding properties and moreover, which is capable of preventing oxidation of the plug. - 特許庁

デュアルダマシン法を用いて銅の埋め込み配線および接続プラグを形成するとき、接続プラグ中のボイド発生を防止する。例文帳に追加

To prevent a void from forming in a connection plug when forming embedded wiring of copper and the connection plug, using a dual-damascene method. - 特許庁