The other end of the fuse metal 3 is electrically connected to the drain 4d of an n-channel transistor 4 for programming which is formed on the substrate 14 and is applied with V_SS as a back bias.例文帳に追加

フューズ金属３の他端部を、基板１４上に設けられており、バックバイアスとしてＶ_SSが与えられるプログラミング用Ｎchトランジスタ４のドレイン４ｄに電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a programmable fractional division of frequency for performing fractional frequency division of a digital signal capable of improving solution, and realizing resolution step of 1/N (N is a non-zero natural integer).例文帳に追加

デジタル信号を分数分周する分周器において、分解能を改善し、１／Ｎ（Ｎは非零自然整数）の分解能ステップを有し、プログラミング可能な分数分周器を実現する。 - 特許庁

The method includes performing dynamic programming to allocate resources according to (N-1) normalized disturber coupling values and difference rate function values associated with N total users in the system involved in partial FEXT cancellation.例文帳に追加

方法は、部分的ＦＥＸＴ除去に関わるシステム中のＮ人の総ユーザと関連付けられた（Ｎ−１）個の正規化妨害者カップリング値とレート差関数値に従ってリソースを割り当てるように動的プログラミングを行うことからなる。 - 特許庁

Since the power source voltage Vdd is impressed to the n-type semiconductor substrate 11 via an electrode 22, a current easily flows to the leak path due to the rectifying action of diode when an external input is applied and thereby breakdown of the second easy breakdown region 17b for the purpose other than the programming can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１１には電極２２を介して電源電圧Ｖｄｄが印加されているため、外部入力があった場合ダイオードの整流作用からリークパス部を電流が流れやすくなり、プログラミング目的以外で第２易破壊領域１７ｂが破壊されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

Meanwhile, the programming voltage is applied to the control active region and reading active region, and a minus voltage is applied to the erase active region, and by improving an electric field between the capacity coupled floating gate and the erase active region, an F-N tunneling is furthermore often generated.例文帳に追加

一方、制御活性領域及び読み取り活性領域にプログラミング電圧を印加し、消去活性領域にマイナス電圧を印加して、容量結合された浮遊ゲートと消去活性領域との間の電界を高めることによって、Ｆ−Ｎトンネリングをさらによく起こす。 - 特許庁

The integrated circuit device includes first to n-th circuit blocks CB1-CBN provided along a D1 direction, and an information storage block ISB in which initial adjustment information for initial adjustment of the circuit block of the integrated circuit device is programmed and stored.例文帳に追加

集積回路装置は、Ｄ１方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮと、集積回路装置の回路ブロックの初期調整を行うための初期調整情報がプログラミングされて記憶される情報記憶ブロックＩＳＢを含む。 - 特許庁

In an FPGA, a non-volatile reprogrammable interconnection cell with a switch transistor and at least a second transistor for programming and sensing or a buried N+ region for the second transistor and a program for sensing applies a high voltage onto a common control gate for cell erasure operation.例文帳に追加

ＦＰＧＡおいて、スイッチトランジスタとプログラミング及びセンスのための少なくとも１つの第２トランジスタ、または、センスのための第２トランジスタ及びプログラムのための埋め込まれたＮ＋領域を有する不揮発性再プログラム可能相互接続セルがセル消去操作のために共通制御ゲート上に高電圧を印加する。 - 特許庁