マアンの英語

プラズマアンテナおよびこれを含むプラズマ処理装置例文帳に追加

PLASMA ANTENNA, AND PLASMA PROCESSING DEVICE INCLUDING THE SAME - 特許庁

プラズマアンテナおよびこれを用いたプラズマ処理装置が提供される。例文帳に追加

To provide a plasma antenna and a plasma processing device using the same. - 特許庁

本発明の実施形態によるプラズマアンテナは、プラズマ発生装置のプラズマアンテナにおいて、前記プラズマアンテナは、電源供給部から電源の供給を受けて、分岐部で誘電体の外周に向かって分岐されて、前記分岐されたアンテナは中央に集められて接地部で接地される形状である。例文帳に追加

The plasma antenna of a plasma generating device has a configuration in which power is supplied from a power supply part, the antenna is branched at a branch portion toward the outer periphery of a dielectric, and the branched antenna is collected in the central portion and grounded at the grounding portion. - 特許庁

これにより、ディスプレイ装置は、ガンマアンプを使用することなく各チャンネルドライバを十分に駆動することができる。例文帳に追加

Consequently, the display device sufficiently drives respective channel drivers without using a gamma amplifier. - 特許庁

それから、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。例文帳に追加

Then, after being subjected to a cleaning step after CMP, the surfaces of the silicon oxide film 39 and Cu wirings 46a to 46e are treated with reducing plasma (ammonia plasma). - 特許庁

シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成し、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。例文帳に追加

Cu wirings 46a to 46e buried in wiring grooves 40 cut in a silicon oxide film 39 are formed through a CMP method and subjected to cleaning, and then the surfaces of the silicon oxide film and the Cu wirings 46a and 46e are treated with a reducing plasma (ammonia plasma). - 特許庁

酸化シリコン膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成し、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、酸化シリコン膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。例文帳に追加

Cu wirings 46a to 46e filling wiring grooves 40 cut in a silicon oxide film 39 are formed by chemical and mechanical polishing and then subjected to a cleaning process, and the surfaces of the silicon oxide film 39 and the Cu wirings 46a to 46e are processed with reducing plasma (ammonia plasma). - 特許庁